Полевые транзисторыс управляющим p-n переходом

Высокое входное сопротивление.

Малая стоимость;

Хорошая воспроизводимость требуемых параметров;

Высокая технологичность;

Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом;

Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает электрический ток под воздействием электрического поля.

Униполярные (полевые) транзисторы

Униполярные (полевые) - в процессе образования токов участвуют носители заряда одного знака - электроны или дырки.

По способу создания делятся на:

2) МДП транзисторы с изолированным затвором:

а) со встроенным каналом;

б) с индивидуальным каналом.

Интерес к ним вызван их преимуществами по сравнению с биполярными транзисторами:

И

З

Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, n-каналом, по схеме с общим истоком.

U_зи

+

-

Схемное обозначение транзистора с управляющим p-n переходом.

Канал – полупроводник n-типа с относительно малым количеством донорской примеси.

Затвор – кольцевой слой полупроводника p-типа с высоким содержанием акцепторной примеси.

Электрод, от которого начинают движение носители заряда называется исток, электрод, к которому они движутся – сток.

По каналу, под действием продольного внешнего электрического поля, созданного U_си движутся электроны от истока к стоку.

носителей,чем n слой,изменение ширины p-n перехода происходит в основном за счет ширины канала (n). Измен. сечения токоведущ. канала → I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с

U_зи – обратное для p-n перехода, возникающего между затвором и каналом. При изменении U_зи, изменяется ширина p-n перехода - участка, обедненного ОНЗ, т.к. p-слой имеет большую концентрацию основных

Особенность полевого транзистора в том, что на I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с (сильнее). Эти процессы илюстрир. семейств. стокозатв. характеристик.

Дата добавления: 2014-11-18