Приповерхностный слой полупроводников является токоведущим каналом этих транзисторов

Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.

Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)

Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И

В обл. выс. част. В обл. ниж. част.

На входе его практ. не расходуется мощность.

Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n

2.1.4.2 МДП транзистора

Выполн. Двух типов – со встр. индукц. кан.

2.1.4.3 МДП тр-ры со встроен. каналом

  2.1.4.4 МДП тр-р с индуц. каналом       Значение межэлектрод. емкостей С_зн1С_си<10пф С_зс<2пф Меньше, чем у тр-ров с упр. n-p пер. Применяется широко в интегр. исполнении.  

ЛЕКЦИЯ №11

2.1.5 Биполярные транзисторы

2.1.5.1 Структура, схемы включения, схемное обозначение

Дата добавления: 2014-11-18