Мощность, развиваемая в выходной (коллекторной) цепи транзистора

Зависит от f, так как f влияет на время передвижения носителей заряда от Э и К

Сх. О.Э.

Откуда получим

Перейдем от бесконечно малых к конечно малым приращениям и обознач.

Продифференцируем уравнения

Запишем систему уравнений, предст. собой вх. и вых. хар-ки транзист.

Изобразим БТ как активный четырехполосник.

Связь между малыми изменениями входных и выходных токов и напряжением БТ определяются дифференциальными параметрами.

III- активный, рабочий режим

I_k зависит от I_Б и не зависит от U_кэ

Незначительный рост I_k c U_кэ объясняется модуляцией базы (U_БЭ – прямое, U_кэ – обратное.)

Это основной режим при усилении сигнала, т.к. выполняется условие I_k=f(I_Б)

С увеличением температуры I_k увеличивается за счет роста I_КБО (тепловая генерация ННЗ) и β, т.к. число рекомбинаций снижается.

2.1.5.4 Дифференциальные параметры БТ

U_вх=f₁(I_вх,U_вых)

I_вых=f₂(I_вх, U_вых)

əf₁ əf₁

dU_вх= dI_вх+ dU_вых

əI_вх əU_вых

əf₂ əf₂

dI_вх= dI_вх+ dU_вых

əI_вх əU_вых

əf₁ əf₁

= h₁₁ =h₁₂

əI_вх əU_вых

əf₂ əf₂

= h₂₁ = h₂₂

əI_вх əU_вых

∆U_вх=h₁₁∆I_вх+h₁₂∆U_вых

∆U_вых=h₂₁∆I_вх+h₂₂∆U_вых

∆U_вх

h₁₁= при ∆U_вых=0

∆I_вых U_вых=с

∆U_вх

h₁₂= при I_вх=с

∆U_вых

∆I_вых

h₂₁= при U_вых=c

∆I_вх

∆I_вых

h₂₂= при I_вх=с

∆U_вых

h₁₁ – входное сопротивление (Ом)

h₁₂ – коэффициент внутренней обратной связи близок к 0 – не рассматриваем

h₂₁ – коэффициент передачи входного тока

h₂₂ – выходная проводимость (1/Ом)

∆U_БЭ

h_11э= U_кэ=с – сотни Ом

∆I_Б

∆I_k

h₂₁= U_кэ=с – 30 – 1000=β

∆I_Б

f_гр – частота, при которой h_21э=1

∆I_k

h₂₂= I_Б=с - 1-10 мк/м

∆U_кэ

2.1.5.5 Предельные параметры БТ

Р=I_kU_кэ ограничена Р_кmax – с целью предотвращения выхода из строя транзистора

U_кэ≤U_кэ max (электрический пробой КП)

I_k≤I_kmax – (перегрев КП)

2.1.5.6 Схема замещения БТ с ОЭ

ЛЕКЦИЯ № 12

Дата добавления: 2014-11-18