КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Память типа PROM(ППЗУ)
|
|
|
|
Память типа PROM является как и ROM энергонезависимой.
Программируется и стирается в лабораторных условиях простыми программаторами с помощью создания или удаления перемычек. Плавкие перемычки включаются в электроды диодов или транзисторов. Изготавливают из титановольфрамовых сплавов или кремниевые.
 |
- Просты в применении, но небольшой емкости. При прожигании перемычек используют импульсы тока в десятки мА, которые подаются на линии данных.
- Пример КР556РТ15
 |
Память типа (EPROM) РПЗУ. Запоминающий элемент – транзистор с плавающим затвором.
Стирание производится или ультраф. облучением или эл.сигналом. Тр-ры с плавающим затвором имеют в подзатворном диэлектрике замкнутую проводящую область, в которую может быть введен заряд, способный сохраняться в ней в течение очень длительного времени. При стирании УФ лучами лучи вызывают фототоки и тепловые токи, что позволяет заряду покинуть плавающий затвор. Нужно окошко (10-1000циклов). Не применяют в авиации и космосе. При стирании электрическими сигналами технология программирования проще, можно стирать отдельные слова, число циклов-104-106 но площадь элемента больше, стоимость изготовления выше.
EEPROM — (англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ, ЭСППЗУ). Память такого типа может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз. Используется в твердотельных накопителях.
Задача-пример: При стандартной 16 разрядной адресной шине нужно организовать память объемом 64К на МС КР568РЕ2
 |
Память типа RAM (ОЗУ) Для чтения и записи.Не энергонезависимые.
|
|
|
Делятся на два класса – статические и динамические.
В статических ОЗУ (SRAM)для хранения 1 бита информации используется триггер и инф. сохраняется пока обеспечивается питание.
Структура статических ОЗУ чаще всего, как и у ПЗУ. Вместо ЗУ нужно поставить триггер и добавить вход запись\чтение.
Пример – 573РУ9А. ОЗУ статического типа.
Кроме входа CS имеются еще вход управления WR – запись, RD – чтение
А также вход ОЕ – разрешение считывания данных на шину данных (схема с тристабильными выходами, следовательно, может работать непосредственно с шиной. 0 на этом входе переводит выходы в третье состояние.
|
|
|
|
|
Дата добавления: 2014-12-08; Просмотров: 651; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!