Контроллер формирует адресные и управляющие сигналы в режимах работы и регенерации, формирует сигнал готовности памяти к обмену

Одной из разновидностей EEPROM является флеш-память (англ. Flash Memory).

Flash – память построена на транзисторах с плавающим затвором, но с некоторыми особенностями. Фл. используются в 90% всех ПК, более 90% сотовых телефонов и т д.

Стирание осуществляется для отдельных блоков, а не отдельных слов, что позволяет исключить схемы управления записью\стиранием с разрешающей способностью до 1 байта и тем самым повышает быстродействие при снижении стоимости. Флэш-память имеет блочную структуру.

Микросхемы имеют специализированиие блоки,т. е. несимметричные блочные структуры, так называемые Boot-блоки, где информация надежно защищена от стирания, они хранят программы инициализации системы после включения питания (BIOS).

Имеются еще симметричные блоки с развитыми средствами перезаписи информации. Называется такая память Flash-File Memory.Характерный объем блока-64Кбайта.

В ИС F происходят более сложные процессы, чем в других схемах ROM, т.к. помимо чтения происходят еще процессы стирания и записи новых данных. F имеет управление словами-командами, записываемыми процессором в специальный внутренний регистр команд, который определяет работу автомата управления.

Состав команд:

1 Подготовка стирания

2. Стирание и проверка

3. Подготовка программирования

4.Программирование и проверка

5. Чтение данных

6. Чтение кодов идентификатора (нужны при проверках правильности)

7.Сброс

Flash-память емкостью n х m

Старшие разряды шА выбирают один из блоков, младшие - слово в блоке.

Младшие разряды шD производят ввод-вывод мл. байта данных и команду внутреннему автомату управления процессами стирания/записи (CUI)-

Command User Interfase

Старшие разряды шD выводят старший байт и выводят данные идентификатора в режиме чтения.

СЕ – вход разрешения выбора кристалла

OE – переводит выходные буферы в третье состояние

WE – управляет доступом к командному интерфейсу пользователя (CUI)

RP – вводит схему в состояние экономии мощности

RY/BY – состояние внутреннего автомата записи 0-занат, 1- готов.

WR- разрешает или запрещает защиту запрещения записи

BYTE – байтовый или словарный режим

ИС FFM имеют сейчас емкость до 4 Гбит при времени доступа при чтении 70-150нС, питание 5-1,8В. Разрядность 8/16бит. Длительность стирания и записи блока - неск.секунд.

Дата добавления: 2014-12-08