Для управления дин.ОЗУ используются специальные контроллеры типа К1810ВТ3

DRAM

В динамических – 1 бит хранится в виде электрического заряда емкости сток-подложка или затвор-подложка МОП – транзистора, через несколько миллисекунд емкость разряжается и требуется подзарядка или регенерация. Но так как в дин. ОЗУ требуется меньше элементов на 1 бит, то можно достичь больших объемов микросхем. Существуют различные схемы реализации ячейки. Но во всех используется МОП – технология. Конденсатор представляет собой две маленькие металлические пластинки, разделённые тонким слоем диэлектрика, он может быть изготовлен таким маленьким, как это позволяет сделать текущее развитие технологического процесса. Память DRAM имеет наивысшую плотность ячеек из всех доступных на сегодняшний день типов памяти. Это делает её наиболее дешёвой, и она используется в качестве основной оперативной памяти компьютеров.

Сз – емкость сток-подложка. В режиме хранения тр-р заперт, при выборке Сз подключается к линии ЗС и в зависимости от заряженного или разр.состояния Сз влияет на потенциал ЛЗС.

При регенерации производится считывание хранимого бита информации, передача его на линию записи данных и последующая запись этого бита в ту же ячейку.

ОЗУ дин типа настолько малы, что на их работу стали влиять даже a-частицы, излучаемые элементами корпуса ИС.

Для обеспечения адресации ЗУ большого объема используют мультиплексирование адресов во времени, Сначала подаются m младших разрядов, сопровождая их стробом RAS(строб адреса строки), затем m старших, сопровождая стробом CAS (строб адреса столбца). Мультиплексирование позволяет уменьшить число адресных выводов в 2 раза (для того же объема).

Пример- К565РУ6

Дата добавления: 2014-12-08