Транзистори

Транзистори –електроперетворювальний напівпровідниковий прилад з одним або декількома переходами, придатний для посилення потужності, має три або більше виводів.

Біполярний транзистор – транзистор, в якому використовуються заряди носіїв обох полярностей. На відміну від напівпровідникових діодів біполярні транзистори мають два електронно-діркових переходів. Основою приладу служить пластина напівпровідника, має назву база. З двох сторін у неї вплавлена ​​домішка, що створює області з провідністю, відмінної від провідності бази. Таким чином, отримують транзистор типу р–n–р, коли крайні області є напівпровідниками з електронною провідністю, а середня – напівпровідником з дірковою провідністю. А також, транзистор типу n−p−n, коли крайні області є напівпровідниками з дірковою провідністю, а середня − напівпровідником з електронною провідністю. Нижню область називають емітером, а верхню колектором. На кордонах областей з різною провідністю утворюються два переходи. Перехід, утворений поблизу емітеру, називають емітерним, поблизу колектору − колекторним. При використанні транзистору в схемах на його переходи подають зовнішню напругу. Залежно від полярності цих напруг кожен з переходів може бути включений або в прямому, або в зворотному напрямку.

Відповідно розрізняють три режими роботи транзистору:

− режим відсічки, коли обидва перехода замкнені;

− режим насичення, коли обидва переходу відімкнуті;

− активний режим, коли емітерний перехід частково відімкнут, а колекторний замкнений.

Якщо ж емітерний перехід зміщений у зворотному напрямку, а колекторний − у прямому, то транзистор працює в зверненому (інверсному) включенні.

В основному транзистор використовують в активному режимі, де для зміщення емітерного переходу в прямому напрямку на базу транзистору типу p−n−p подається негативна напруга щодо емітеру. Напруга на колекторі зазвичай у кілька разів більше напруги на емітері.

6. Класифікація транзисторів

Транзистори класифікуються по вихідному матеріалу, потужності розсіювання, діапазону робочих частот, за принципом дії, тощо.

За вихідним матеріалом їх поділяють на дві групи: германієві та кремнієві. Германієві транзистори працюють в інтервалі температур від − 60 до +85°С, кремнієві − від −60 до +150°С. За діапазоном частот: низьких, середніх, високих частот.

По класу потужності: малі, середні, великі.

Транзистори малих потужностей:

− підсилювачі низьких та високих частот;

− малошумні підсилювачі;

− перемикачі насичені, ненасичені, мало струмові.

Транзистори великих потужностей:

− підсилювачі;

− генератори;

− перемикачі.

7. Позначення транзисторів

Перший елемент − матеріал (може стояти литера М – модернізований, розроблені до 1964 року):

Г − германій; К − кремній; А − з'єднання галію.

Другий елемент − підклас приладу:

Т − біполярні; П − польові.

Третій − призначення (довідкові дані);

4 і 5 − порядковий номер розробки та технологічний тип;

6 − розподіл технологічного типу (довідковий).

Приклад: ГТ-115А − широке застосування, германієвий, біполярний, низькочастотний, малопотужний, № розробки − 15, група А.

Перевірка працездатності проводиться виміром струмів, що протікають через перехід в прямому та зворотному напрямку.

На рисунку 43 зображено схематичне позначення та розпіновка транзисторів.

Рисунок 43 – Розпіновка транзисторів КТ315, КТ361, ВС547

8. Техніка безпеки для транзисторів

Для підвищення надійності та довговічності:

− знижувати робочу температуру транзистора (оптимально: від −5 до +400°С);

− обирати напругу та струм що не перевищують 0,7 найбільш допустимих;

− відводити тепло під час паяння;

− потужні прилади кріпити на радіаторах;

− вигин виводів здійснювати на відстані 10мм від корпусу;

− жорсткі висновки згинати забороняється;

− температура та час пайки − 2600°С та 2÷3сек;

− необхідно виключити можливість подачі напруги живлення зворотної (помилковою) полярності, яким може бути пробитий один з переходів транзистора, тобто в ланцюг живлення транзистора послідовно включають напівпровідниковий діод;

− транзистори не слід розміщувати в сильних магнітних полях (захищати під час пайки прилад від статичної електрики шляхом заземлення: устаткування, вимірювальних приладів, паяльників), застосовувати заземлюючі браслети та інструменти;

− виводи бази повинні приєднуватися першими, а відключатися останніми. Забороняється подавати напругу на транзистор з відключеною базою.

Дата добавления: 2014-12-10