Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Экспериментальная часть. Биполярные транзисторы




Общие сведения

Биполярные транзисторы

Часть II.

 

4.1 Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных
транзисторов

 

Транзистор (рисунок 4.1) представляет собой полупроводниковый триод, которого тонкий р -проводящий слой помещен между двумя n -проводящими слоями (n-р-n транзистор) или n -проводящий слой помещен между двумя
р -проводящими слоями (р-n-р транзистор).

р-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

Рисунок 4.1 – Структура и условное обозначение биполярного транзистора

 

Задание: Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного р-n переходов транзисторов типа р-n-р и типа n-р-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти р-n переходы ничтожно малы.

Последовательность выполнения эксперимента:

• Соберите цепь согласно схеме (рисунок 4.2а).

• Поочередно устанавливая значения токов I регулятором напряжения источника, измерьте соответствующие значения напряжения на р-n переходе UБЭ и занесите их в таблицу 4.1.

• Измените схему сначала в соответствии с рисунком 4.2б, затем 4.2в и 4.2г и повторите все измерения.

 

Рисунок 4.2 – Схемы для выполнения эксперимента по снятию вольтамперных
характеристики эмиттерного и коллекторного р-n переходов транзисторов
типа р-n-р и типа n-р-n в прямом направлении

 

• На координатной плоскость (рисунок 4.3) постройте графики зависимостей Iпр (Uпр) для каждого случая и убедитесь, что вольтамперные характеристики всех р-n переходов практически совпадают.

• Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность (зажим «+» на «–») и, увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в р-n переходе практически остается равным нулю (не превышает 1 мА).

• Проделайте это с остальными р-n переходами согласно схемам на рисунке 4.2 при обратной полярности источника питания.

 

Таблица 4.1 – Таблица результатов измерений

 

Iпр, мА Транзистор n-p-n Транзистор p-n-p
Uбэ, В Uбк, В Uэб, В Uкб, В
         
         
         
         
         
         

 

Рисунок 4.3 – Вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного
р-n переходов транзисторов типа р-n-р и типа n-р-n в прямом направлении

 

Вопрос 1: Каковы общие свойства обоих р-n переходов транзисторов двух типов?

Ответ:.................

Вопрос 2: Каковы отличия р-n переходов в двух типах транзисторов?

Ответ:.................





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-07; Просмотров: 707; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.