Экспериментальная часть. Биполярные транзисторы

Общие сведения

Биполярные транзисторы

Часть II.

4.1 Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных
транзисторов

Транзистор (рисунок 4.1) представляет собой полупроводниковый триод, которого тонкий р -проводящий слой помещен между двумя n -проводящими слоями (n-р-n транзистор) или n -проводящий слой помещен между двумя
р -проводящими слоями (р-n-р транзистор).

р-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

Рисунок 4.1 – Структура и условное обозначение биполярного транзистора

Задание: Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного р-n переходов транзисторов типа р-n-р и типа n-р-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти р-n переходы ничтожно малы.

Последовательность выполнения эксперимента:

• Соберите цепь согласно схеме (рисунок 4.2а).

• Поочередно устанавливая значения токов I регулятором напряжения источника, измерьте соответствующие значения напряжения на р-n переходе U_БЭ и занесите их в таблицу 4.1.

• Измените схему сначала в соответствии с рисунком 4.2б, затем 4.2в и 4.2г и повторите все измерения.

Рисунок 4.2 – Схемы для выполнения эксперимента по снятию вольтамперных
характеристики эмиттерного и коллекторного р-n переходов транзисторов
типа р-n-р и типа n-р-n в прямом направлении

• На координатной плоскость (рисунок 4.3) постройте графики зависимостей I_пр (U_пр) для каждого случая и убедитесь, что вольтамперные характеристики всех р-n переходов практически совпадают.

• Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность (зажим «+» на «–») и, увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в р-n переходе практически остается равным нулю (не превышает 1 мА).

• Проделайте это с остальными р-n переходами согласно схемам на рисунке 4.2 при обратной полярности источника питания.

Таблица 4.1 – Таблица результатов измерений

Iпр, мА	Транзистор n-p-n	Транзистор p-n-p
Uбэ, В	Uбк, В	Uэб, В	Uкб, В

Рисунок 4.3 – Вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного
р-n переходов транзисторов типа р-n-р и типа n-р-n в прямом направлении

Вопрос 1: Каковы общие свойства обоих р-n переходов транзисторов двух типов?

Ответ:.................

Вопрос 2: Каковы отличия р-n переходов в двух типах транзисторов?

Ответ:.................

Дата добавления: 2014-12-07