Общие сведения. Распределение тока в транзисторе и управляющий эффект тока базы

Распределение тока в транзисторе и управляющий эффект тока базы

В транзисторе р-n-р типа (рисунок 4.4) ток эмиттера к коллектору через базу обусловлен неосновными для базы носителями заряда – дырками. При положительном направлении напряжения U_ЭБ эмиттерный р-n переход открывается, и дырки из эмиттера проникают в область базы. Часть из них уходит к источнику напряжения U_ЭБ, а другая часть достигает коллектора. Возникает так называемый транзитный ток от эмиттера к коллектору. Он резко возрастает с увеличением U_ЭБ и тока базы.

В транзисторе n-р-n типа (рисунок 4.4) транзитный ток через базу обусловлен также неосновными для нее носителями заряда – электронами. Там они появляются из эмиттера, если к эмиттерному р-n переходу прикладывается напряжение U_БЭ, полярность которого показана на рисунке 4.4б.

Рисунок 4.4 – К пояснению работы биполярных транзисторов различного типа
при схеме включения транзистора с общей базой

Токи эмиттера, коллектора и базы связаны между собой уравнением первого закона Кирхгофа:

.

Обычно ток базы существенно меньше и , но от него существенно зависит как , так и . Отношение приращения тока коллектора к

приращению тока базы называется коэффициентом усиления по току:

.

Он может иметь значения от нескольких десятков до нескольких сотен, поэтому с помощью сравнительно малого тока базы можно регулировать относительно большие токи коллектора (и эмиттера).

Дата добавления: 2014-12-07