Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Методы осаждения металлических пленок




Контактные сопротивления

Контакт металла и полупроводника в изготавливаемых схемах, как правило, являются омическими. Сопротивление такого рода контактов Rc при слабом уровне легирования полупроводника не зависит от уровня его легирования Nd и задается выражением:

Rc = k/(q·A·T)·exp(q·f/(k·T)), где

A - постоянная Ричардсона,
k - постоянная Больцмана,
f - высота потенциального барьера на границе металл-полупроводник.

При высоком уровне легирования полупроводника Nd > 1019 см-3 Rc быстро уменьшается с ростом концентрации примеси по закону:

Rc ~ exp(C·f/Nd1/2),

где C = 4p·(e·m)1/2/h - константа.

Осаждение металлических пленок проводят, как правило, путем осаждения металлосодержащих компонент на поверхности подложек в вакуумных камерах. Осаждение осуществляется различными способами.


Принципиальная схема реактора для осаждения металлов

Основными частями вакуумной системы являются:

  • рабочая камера (1), в которой располагаются подложкодержатель (2) и источник распыляемого материала (3),
  • система предварительной откачки, состоящая из насоса предварительной откачки (10), форвакуумного насоса (7) и цеолитовых молекулярных ловушек,
  • система высокого вакуума, состоящая из охлаждаемой жидким азотом ловушки (5) и паромасляного диффузионного, турбомолекулярного или криогенного насосов (6),
  • система клапанов (4),
  • измерительные датчики,
  • система напуска распыляющего газа (9) для случая ионного распыления в атмосфере аргона.

Предварительные операции:

1. Для устранения возможных источников захвата атмосферных газов удаляют любые пленочные образования на внутренних поверхностях камеры.

2. Затем в камере создается предварительный вакуум до 20 Па, а с использованием молекулярных ловушек до 0.5 Па.

3. Далее с помощью системы создания высокого вакуума давление понижается до рабочей величины, составляющей 60 мкПа.

Загрузка пластин:

Пластины, предварительно обработанные в растворах HF (для уменьшения содержания ионов натрия), вводятся в рабочую камеру через загрузочный шлюз, в котором поддерживается пониженное давление.

В системах с ионным распылением в рабочей камере перед распылением поддерживается давление аргона порядка 1 Па. При этом содержание воды и кислорода не превышает 10 мПа.

После металлизации пластины через шлюз выводятся из рабочей камеры.

Тонкие металлические пленки получают различными способами. К основным из них относятся испарение металлов, магнетронный метод и химическое осаждение из газовой фазы.


Установка для магнетронного напыления




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-27; Просмотров: 668; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.