Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Краткие сведения о постоянных запоминающих устройствах




Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) (Read Only Memory (ROM)). ROM – это память, предназначенная только для чтения. Специальное запоминающее устройство, в которое при его изготовлении навсегда записаны определенные неизменяемые данные. Эти данные в последующем невозможно ни стереть, ни изменить, их можно только считывать, так как ПЗУ

не способно выполнять операцию записи. Такая память обычно выполняется на мікросхемах или лазерных дисках (CD – ROM) и предназначена для хранения данных,.Все постоянные запоминающие устройства можно разделить на три типа:

 

1. Однократно программируемые на заводе – изготовителе (ROM).

В качестве элементов памяти имеют набор плавких перемычек, которые в процес се программирования пережигаются импульсами тока.

 

2. Однократно программируемые пользователем (Programming ROM).

В качестве элементов памяти имеют набор плавких перемычек, которые в процес се программирования пережигаются импульсами тока. Отличие от ROM заключается лишь в том, что пережигание перемычек осуществляется не изготовителем, а пользователем. Для этого в структуре микросхемы предусмотрены специальные устройства, стоящие на выходах и обеспечивающие формирование тока программирования. Микросхемы ППЗУ выпускаются с целыми металлопленочными перемычками из легкоплавкого материала (например, нихрома) с низким сопротивлением. Процесс программирования состоит в пережигании этих перемычек. Для программирования ППЗУ, у которых в исходном состоянии записаны лог. 0,

необходимо подвести код адреса программируемого элемента и подать на выход, к котрому этот элемент памяти относится, одиночный импульс напряжения. При этом через перемичку протекает ток, достаточный для ее пережигания. Пережигать одновременно можно только одну перемычку. На остальные выводы микросхемы ППЗУ должны быть поданы уровни лог. 0.

Далее задается следующий адрес и процесс повторяется. Это обобщенный вид процесса программирования. Для программирования микросхем ППЗУ, у которых в исходном состоянии записаны лог. 1, необходимо на выводы подать лог. 1, а на выход, к которому относится элемент памяти, подать лог. 0.

 

3. Многократно программируемые пользователем (EPROM).

 

Репрограммируемые ПЗУ разделяются на два класса:

1. С режимом записи и стирания электрическим сигналом.

2. С режимом записи электрическим сигналом и стиранием ультрафиолетовым излучением.

Микросхемы РПЗУ допускают возможность многократного программирования (от сотен

до тысяч циклов), способны сохранять информацию при отсутствии питания несколько тисяч часов, требуют значительного времени на перепрограммирование (что исключает возможность использовать в качестве ОЗУ), имеют сравнительно большое время считывания. Элементом памяти в РПЗУ является полевой транзистор со структурой МНОП или МОП с

плавающим затвором или ЛИЗМОП – МОП транзистор с лавинной инжекцией заряда. Эти транзисторы под воздействием программирующего напряжения способны записать электрический заряд под затвором и сохранять его много тысяч часов без напряжения питания. Для того, чтобы перепрограммировать такое ПЗУ необходимо сначала стереть записанную ранее информацию. В РПЗУ на МНОП транзисторах стирание производится электрическим

сигналом, который вытесняет накопленный под затвором заряд. В РПЗУ на ЛИЗМОП транзисторах стирание записанной информации происходит под воздействием ультрафиолетового (УФ) излучения, которое облучает кристалл через специальное окно в корпусе микросхемы.

РПЗУ со стиранием УФ излучением имеют ряд недостатков, по сравнению с РПЗУ со стиранием электрическим сигналом. Так, например, для стирания информации УФ не обходимо вынимать микросхему из контактных устройств (панелек), что не совсем удобно. К тому же, наличие окна в корпусе обуславливает чувствительность микросхемы РПЗУ к свету, что увеличивает вероятность случайного стирания информации. Да и число циклов перепрограммирования всего лишь нескольких десятков, когда у РПЗУ со стиранием электрическим сигналом это же число достигает 10000.

Запоминающие устройства широко применяются при построении следующих

элементов:

1. Цифровые линии задержки.

2. Преобразователи кодов.

3. Дешифраторы для управления сложными объектами.

4. Генераторы сигналов различной формы.

5. Для хранения долговременного и кратковременного.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-03-29; Просмотров: 521; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.