Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Краткие теоретические сведения




Задачи работы

Цель работы

ИЗМЕРЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ.

Лабораторная работа № 2

Контрольные вопросы

Содержание отчета

 

1. Название работы. Цель работы.

2. Используемое оборудование и схемы электрических соединений.

3. Результаты измерений.

4. Результаты расчётов и построенные опытные зависимости (графики).

5. Краткие выводы по каждой работе, анализ полученных результатов:

– сравнение опытных зависимостей (графиков) с теоретическими;

– сравнение полученных экспериментальных значений с табличными, с обязательными ссылками на источники информации;

– сопоставление их расхождений с точностью измерений.

6. Обобщающий вывод по всей лабораторной работе. Вывод включает в себя:

а) основные численные результаты работы;

б) погрешность измерений, в случае относительной погрешности более 15% обязательны анализ и указание причин, приведших к снижению точности эксперимента.

 

 

1. Приведите определение поляризации

2. Назовите основные механизмы поляризации

3. Приведите определение «диэлектрической проницаемости».

4. Физическая природа диэлектрических потерь.

5. На что расходуется мощность диэлектрических потерь и от чего она за­висит?

6. Приведите векторные диаграммы, соответствующие последовательной и параллельной схемам замещения диэлектрика.

7. Приведите определение тангенса угла диэлектрических потерь.

8. В чем опасность диэлектрических потерь в конденсаторах и изоляционных материалах?

 

 

 

Изучить влияние температуры на тангенс угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницае­мости представленных диэлектриков.

 

 

1. Построить график зависимости диэлектрической проницае­мости (или емкости) e и тангенса угла диэлектрических потерь tgd исследуемых диэлектриков от температуры.

2. Определить температурный коэффициент диэлектрической проницае­мости при температуре, указанной преподавателем.

 

 

Диэлектриче­ская проницаемость e зависит от концентрации молекул п диэлек­трика и поляризуемости a каждой молекулы. В свою очередь, п и a зависят от природы диэлектрика и его температуры, а a – еще и от частоты приложенного напряжения.

В твердых неполярных диэлектриках молекулярного стро- ения обладают в основ­ном только электронной поляризацией. Поэтому они имеют невысо­кое значение диэлектрической проницаемости (e = 2,0÷2,5).

Значения п и aэ от частоты напряжения не зависят, поэтому и диэлектрическая проницаемость e неполярных диэлектриков не за­висит от частоты во всем диапазоне, включая оптические частоты. При нагревании e монотонно снижается (рис. 2.1), так как умень­шается концентрация п поляризуемых молекул в результате теплово­го расширения диэлектрика. В области температуры плавления Т пл,(у парафина Т пл» 50 °С) e скачкообразно снижается.

 

Рис. 2.1. Зависимость диэлектрической проницаемости e неполярных диэлектриков от температуры Т

 

Величина, характеризующая относительное изменение e при на­гревании диэлектрика на один кельвин, называется температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости ТК e и измеряется в К–1:

.

 

Среднее значение -1) можно определить из выражения

 

,

 

где значение e2 измерялось при температуре Т 2а e1 – при Т 1.

Твердые диэлектрики молекулярного строения полярные (канифоль) наряду с электронной поляризацией обла­дают и дипольно-релаксационной.

Величина e полярных диэлектриков при нагревании вначале ме­няется незначительно, затем резко возрастает, проходит через макси­мум и далее медленно снижается; максимум с увеличением частоты напряжения смещается в область более высоких температур (рис. 2.2). Наличие максимума объясняется тем, что с увеличени­ем температуры дипольно-релаксационная поляризуемость aдр сна­чала возрастает, а затем снижается (см. рис. 2.2,1).

 

Рис. 2.2.Зависимость диэлектрической проницаемости e
полярного диэлектрика от температуры Т:

Частота измерения: f 1 = 102, f 2 = 103, f 3 = 104, f 4 = 105Гц;
Образующие e: 1 – aдр(T); 2 –aэ(T); 3 – n (T).

 

Вследствие нелинейной зависимости e от температуры ТКe на­ходят для различных температурных интервалов. Значения ТКe оп­ределяют чаще всего методом графического дифференцирования кривой зависимости e от Т (см. рис. 2.2). Для этого в точке А,со­ответствующей заданной температуре Т 1и частоте f 1 проводят каса­тельную к кривой и строят на ней, как на гипотенузе, прямоугольный треугольник произвольных размеров. Значение ТК e в точке А находится как отношение катетов треугольника с учетом масштабов e и Т, деленное на значение e в точке А.

Для твердых диэлектриков ионного строения с плотной упаковкой решетки ионами (корунд, кварц, слюда) характерны электронная и ионная поляризации. При нагревании диэлектрическая проницаемость обычно возрастает (ТК e положительный), так как возрастает aи (рис. 2.3, а).

У некоторых диэлектриков (титаносодержащая керамика) ТК e отрицательный, поэтому при нагревании e у них уменьшается.

Рис. 2.3. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости e диэлектрика с плотной упаковкой решетки – корунда (а)и с неплотной упаковкой решетки – элек­тротехнического фарфора (б). Образующие e: 1 – aэ(T); 2 aн(T); 3 – п (Т);4 aир(T)

 

Диэлектрическая проницаемость аморфных и кристаллических диэлектриков с неплотной упаковкой решетки ионами (электротехнический фарфор, неорганические стекла, асбест) зави­сит от температуры и частоты напряжения вследствие проявления ионной и, главным образом, ионно-релаксационной поляризаций (см. рис. 2.3, б ). У этих диэлектриков ТК e положительный и в отличие от ТК e диэлектриков ионного строения с плотной упаков­кой решетки имеет высокие значения. Увеличение диэлектрической проницаемости при нагревании происходит преимущественно за счет роста концентрации ионов, принимающих участие в ионно-релаксационной поляризации.

В кристаллических диэлектриках с плотной упаковкой решетки ионами поляризация не вызывает рассеивание мощности приложенного электрического поля, поэтому диэлектри­ческие потери обусловлены только удельной электро­проводностью и имеют небольшие значения, тангенса угла потерь (tgd» 10-4), который при нагревании незначительно возрастает (рис. 2.4, а,б, кривые II) так как возрастает удельная электро­проводность (см. рис. 2.4 а, кривая I). Наличие примеси, искажаю­щей кристаллическую решетку, приводит к существенному увеличе­нию tgd.

В диэлектриках аморфных и кристаллических с неплотной упаков­кой решетки поляризация, вызывает ионно-релаксационные потери. Диэлектрические потери в этом случае обусловлены элек­тропроводностью и ионно-релаксационной поляризацией (см. рис. 2.4, а, кривые 1 и 2). Диэлектрические потери в этих диэлектриках выше (tgd» 10-2), чем в диэлектриках кристаллических с плотной упаковкой решетки ионами и сильно зависят от температуры (см. рис. 2.4, б,кривая I): при нагревании tgd существенно возрастает (ср. кривые I и II рис. 2.4).

Рис. 2.4.Общий вид (а)зависимости tgd от температуры T диэлектриков
ионного строения аморфных или кристаллических с неплотной упаковкой решетки ионами (I) и с плотной упаковкой решетки ионами (II):
потери обусловленные электро­проводностью (1) и

ионно-релаксационной поляризацией (2);

температурная зависимость (б)tgd изоляторного фарфора (I) и

алюминоксида (корунда) – (II) при 1 МГц

 

В неполярных диэлектриках молекулярного строения потери обу­словлены только удельной электропроводностью. У этих диэлектриков наблюдается электронная поляриза­ция; релаксационные виды поляриза­ции отсутствуют. Диэлектрические по­тери небольшие (tgd» 10-4) и при нагревании слегка возрастают (анало­гично кривой tgd 1 рис. 2.5).Нали­чие ионогенной примеси (например, влаги) приводит к существенному воз­растанию диэлектрических потерь.

 

Рис. 2.5. Общий вид зависимости tgd жидких неполярных
диэлектриков от температуры Т.

1- образующая tgd, обусловленная удельной электропроводностью.

 

В полярных диэлектриках (напри­мер, в канифоли) на кривых зависи­мости tgd от температуры и часто­ты напряжения, подобно полярным жидким диэлектрикам, проявляется максимум тангенса угла диэлектрических потерь, обусловленный дипольно-релаксационной поляризаци­ей (рис. 2.6). В этих диэлектриках, так же как в жидких полярных, диэлектрические потери складываются из потерь, обусловленных электропроводностью и дипольно-релаксационной поляризацией. Величина tgd» 10-3-10-2.

 

Рис. 2.6. Зависимость e(1) и tgd(2) канифоли от температуры Т при 50 Гц

 

2.4. Используемое оборудование

 

Модули «Функциональный генератор», «Магнитомягкие ма­териалы и тепловой коэффициент сопротивления / емкости», «Модуль питания», минимодуль «ТКЕ конденсаторов», «Измеритель RLC», мультиметр, соедини­тельные проводники.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-04-25; Просмотров: 544; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.