КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Программа работы. Задание на выполнение лабораторной работы
Задание на выполнение лабораторной работы
1. На основании экспериментальных данных натурального логарифма изменения тока через полупроводник ln(D i) от натурального логарифма светового потока ln(E). 2. Вычислить параметры полупроводника (коэффициент b и показатель степени x), применяемого для изготовления фоторезистора. 3. По осциллограмме тока определить значение времени жизни носителей заряда в полупроводнике.
1. Прочитать методические указания по подготовке и проведению лабораторной работы. 2. Получить у преподавателя вариант задания исходных данных к работе. 3. При ознакомлении с рабочим местом проверить наличие необходимых приборов и соединительных проводников (в случае отсутствия какого-либо комплектующего элемента типового комплекта необходимо немедленно сообщить об этом преподавателю или техническому персоналу); 4. Перед сборкой цепи проверить, чтобы все приборы на рабочем столе были выключены; 5. Согласно рис. 10.3 выполнить электрические соединения модулей для изучения фоторезистора. Монтаж схемы производить при отключенномпитании. Монтаж схемы производить на модуле «Фотопроводимость». РА1 и РА2 – мультиметры в режиме измерения постоянного тока с пределом 20мА. Для питания светодиода и фоторезистора обязательно использовать различные регулируемые выходы модуля питания. Установить минимальное напряжение питания обоих регулируемых каналов, повернув ручки против часовой стрелки до упора.
Рис. 10.3. Схема электрическая соединений типового комплекта для измерения зависимости проводимости полупроводника от интенсивности светового потока.
6. После проверки правильности соединений схемы преподавателем или лаборантом, подать напряжение питания на комплект включением автоматического выключателя и УЗО «Модуля питания». Включить мультиметры. Запустить на компьютере программу «DiSco». Включить отображение канала А и отключить канал В нажатием соответствующих кнопок. 7. Установить напряжение на фоторезисторе RК (канал А USB-осциллографа) около 14 В. Заносить в табл. 10.1 значения напряжения URK и токов iVD и iRK.
Таблица 10.1
8. Увеличивая регулятором напряжения модуля питания силу тока iVD в цепи светодиода до максимально возможной с шагом 1-ЗмА, записывать в табл. 10.1 значения тока iVD (по мультиметру РА1) и iR K (по мультиметру РА2). Отключить питание комплекта автоматом модуля питания. 9. Рассчитать световой поток светодиода по формуле:
,
где kVD – коэффициент зависящий от светодиода (kVD = 60 Кд/А); r –расстояние от источника света до приемника (r = 10 мм). Рассчитать изменение тока при облучении для каждого пункта табл. 10.1 по формуле: , где IRK.т – значение тока при отсутствии света, то есть при iVD = 0 10. Рассчитать ln(Δ i) и ln(Е) для каждого пункта табл. 10.1. Построить график зависимости ln(Δ i) = f (ln(Е)). Из графика определить коэффициент β (10.9) и показатель степени х (10.8) для измеряемого фоторезистора. 11. Согласно рисунку 10.4 выполнить электрические соединения модулей для определения времени жизни носителей заряда t. Монтаж схемы производить при отключенном питании. В качестве источника прямоугольного сигнала G 1 использовать модуль «Функциональный генератор». Подать питание на комплект автоматом модуля питания.
Рис.10.4. Схема электрическая соединений типового комплекта для измерения времени жизни носителей заряда в полупроводнике
12. Установить прямоугольную форму входного сигнала и частоту 20 Гц. Настроить амплитуду колебаний 4 В (контролировать каналом «В» осциллографа). Включить канал В USB -осциллографа. Настроить развертку и масштаб каналов А и В осциллографа таким образом, чтобы импульс занимал не менее половины экрана. Синхронизировать показания по каналу А.Определить по осциллограмме тока значение времен жизни носителей заряда τ (рис. 10.1), как время максимальной скорости нарастания или спада тока. 13. После оформления отчета и проверки результатов преподавателем необходимо разобрать схему, предоставить комплект в полном составе и исправности преподавателю или лаборанту.
Дата добавления: 2015-04-25; Просмотров: 428; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |