Маркировка печатных плат состоит из основной (наносимой обязательно) и дополнительной.
Маркировка выполняется краской, устойчивой к воздействию нейтральных растворителей или способом, которым выполняется проводящий рисунок.
Основная маркировка должна содержать:
1.обозначение печатной платы или ее условный шифр;
2.дату изготовления;
3.буквенно-цифровое обозначение слоя МПП.
Дополнительной маркировкой по необходимости могут быть нанесены на ПП: позиционное обозначение навесных ИЭТ; изображение контуров навесных ИЭТ; цифровое обозначение первого вывода ИЭТ, контрольных точек; обозначение положительного вывода полярного ИЭТ (знак "+") и др.
Место расположения и данные по маркировке должны быть указаны на чертеже ПП в соответствии с ГОСТ 2.314-68.
В учебных чертежах необходимо указывать как основную, так и дополнительную маркировку.
Оформление КД документации на печатные платы должно производиться в соответствии с ГОСТ 2.109-73 и ГОСТ 2.417-78. Чертеж ОПП иди ДПП должен содержать основные проекции платы с печатными проводниками и другими элементами (отверстиями, контактными площадками и т.п.).
Сборочный чертеж МПП должен содержать данные по сборке и контролю МПП, причем чертежи слоев МПП рекомендуется изображать на отдельных листах. На чертеже слоя проставляют габаритные размеры. Допускается на слои МПП чертежи не выпускать, при этом в зависимости от характера производства слои МПП могут учитываться как детали или как материал.
Индивидуальное задание
Разработать конструкцию и провести расчет платы печатной заданного преподавателем блока электронной лечебной аппаратуры.
Список рекомендуемой литературы
6.1.Боровиков С.М. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности: Учебник для вузов. – Мн.: Дизайн ПРО, 1998.
6.2.Боровиков С.М., Погребняков А.В. С.М. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности: Сборник задач. – Мн.: БГУИР, 2001.
6.3.Медицинская электроника. Дипломное проектирование / В.М. Бондарик, В.А. Бурский, А.Н. Осипов и др.; Под ред. А.П. Достанко. – Мн.: БГУИР, 2002. – 158 с.
6.4.Кореневский Е.А., Попечителев Е.П., Филист С.А. Проектирование электронной медицинской аппаратуры для диагностики и лечебных воздействий. – Курск: Курск. гор. типография, 1999. – 537 с.
6.5.Агаханян Т.М. Электронные устройства в медицинских приборах: Уч. пос. для вузов. Москва: БИНОМ, 2005. – 510 с.
6.6.Справочник конструктора РЭС: Компоненты, механизмы, надежность / Н.А. Барканов, Б.Е. Бердичевский, П.Д. Верхопятницкий и др.; Под ред. Р.Г. Варламова. ‑ М.: Радио и связь, 1985.
6.7.Разработка и оформление конструкторской документации РЭС: Справочник / Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов, Н.Г. Миронова, А.В. Алимов. ‑ М.: Радио и связь, 1989.
6.8.Единая система конструкторской документации: Справочное пособие / С.С. Борушек и др. ‑ М.: Издательство стандартов, 1989.
6.9.Основы конструирования радиоэлектроники / Ж.С. Воробьева, Н.С. Образцов, И.Н. Цырельчук и др. – Мн.: БГУИР, 2001.
Приложение А
Максимальные значения интенсивностей отказов элементов электронной аппаратуры (для учебных целей) [1]
Наименование элемента (группа, вид, тип)
Интенсивность отказов х 10-6 1/ч
Полупроводниковые (ПП) цифровые интегральные схемы (ИС) 1-й степени интеграции
0,40
ПП цифровые ИС 2-й степени интеграции
0,45
ПП цифровые ИС 3-й степени интеграции
0,50
ПП цифровые ИС 4-й степени интеграции
0,60
ПП аналоговые ИС 1-й степени интеграции
0,45
ПП аналоговые ИС 2-й степени интеграции
0,55
ПП аналоговые ИС 3-й степени интеграции
0,65
Транзисторы полевые малой мощности
0,30
Транзисторы полевые средней мощности
0,35
Транзисторы полевые большой мощности
0,45
Транзисторы кремниевые малой мощности
0,40
Транзисторы кремниевые средней мощности
0,45
Транзисторы кремневые большой мощности
0,50
Транзисторы германиевые малой мощности
0,45
Транзисторы германиевые средней мощности
0,55
Транзисторы германиевые большой мощности
0,65
Транзисторы маломощные в ключевом режиме
0,40
Транзисторы большой и средней мощности в ключевом режиме
0,60
Диоды высокочастотные кремниевые
0,20
Диоды высокочастотные германиевые
0,30
Диоды импульсные в ключевом режиме
0,15
Диоды выпрямительные маломощные, I ср. выпр. < 300 мА
0,20
Диоды выпрямительные средней мощности, I ср. выпр. = 0,3..10 А
0,50
Диоды-столбы высоковольтные выпрямительные
0,80
Блоки (мосты) выпрямительные кремниевые, I ср. выпр. < 400 мА
0,40
Блоки (мосты) выпрямительные германиевые, I ср. выпр. > 400 мА
1,10
Стабилитроны маломощные, Ртах < 1 Вт
0,90
Стабилитроны средней мощности Ртах < 5 Вт
1,25
Варикапы
0,20
Светодиоды
0,70
Диоды туннельные и обращенные
0,27
Диоды инфракрасного излучения
0,80
Фотодиоды
0,70
Диоды сверхвысокочастотные
6,00
Оптроны
0,75
Тиристоры маломощные, Iср < 2 А
2,20
Тиристоры маломощные, Iср < 2..10 А
4,40
Резисторы постоянные непроволочные, Рном < 0,5 Вт, ток постоянный
0,05
Резисторы постоянные непроволочные, Рном < 0,5 Вт ток переменный
0,10
Резисторы постоянные непроволочные, Рном = 1...2 Вт, ток постоянный
0,08
Резисторы постоянные непроволочные, Рном = 1...2 Вт, ток переменный
0,15
Резисторы постоянные проволочные, Рпом < 10 Вт
0,40
Резисторы постоянные проволочные, Рном < 50 Вт
0,80
Резисторы переменные непроволочные
0,50
Резисторы переменные непроволочные, с выключателем
1,30
Резисторы переменные проволочные
1,20
Резисторы переменные проволочные ползункового типа
Индикаторы цифробуквенные на основе светодиодов одноразрядные
1,00
Индикаторы цифробуквенные на основе светодиодов многоразрядные
3,00
Индикаторы люминесцентные сигнальные
3,30
Лампочки сигнальные, накаливания
8,00
Лампочки сигнальные, неоновые
10,00
Кинескопы черно-белого изображения
7,50
Кинескопы цветного изображения
9,50
Трубки осциллографические (ЭЛТ)
10,00
Катушки индуктивности, dпров. < 0,1 мм
0,30
Катушки индуктивности, dnpoв > 0,1 мм
0,20
Дроссели, dnpов. < 0,1 мм
0,30
Дроссели, dnpов > 0,1 мм
0,20
Обмотки сетевых трансформаторов, dпров. < 0,1 мм
0,75
Обмотки сетевых трансформаторов, dnpoв > 0,1 мм
0,50
Трансформаторы входные и выходные
0,90
Трансформаторы импульсные
0,13
Трансформаторы высоковольтные
2,50
Реле электромагнитные общего применения
2,50**
Реле электромагнитные миниатюрные
0,60**
Герконы
0,30*
Соединители (разъемы) штепсельные
0,20***
Гнезда, клеммы
0,70*
Вилки двухполюсные
0,50
Зажимы
0,01*
Тумблеры, кнопки
0,40**
Переключатели галетные
0,40**
Переключатели малогабаритные
0,30**
Переключатели малогабаритные модульные (П2К) с независимой фиксацией
0,30**
Переключатели малогабаритные модульные (П2К) с зависимой фиксацией
0,37**
Микропереключатели типа МП
0,30*
Штеккеры (гнезда) телевизионные
2,12
Лепесток контактный
0,20
Плата (колодка) контактная межблочного монтажа
0,40*
Провод монтажный
0,30****
Кабели (шнуры)
0,60****
Кабели (шнуры) питания
2,00****
Держатели предохранителей
0,20
Предохранители
5,00
Изоляторы
0,50
Шайбы, прокладки изолирующие
0,75
Соединения пайкой, ток постоянный
0,04
Соединения пайкой, ток пульсирующий
0,40
Соединения накруткой
0,02
Платы печатного монтажа
0,20
Линии задержки
0,75
Фильтры пьезокерамические
0,25
Резонаторы кварцевые
0,37
Магнитопроводы ленточные
0,10
Ферритовые элементы
0,01
Головки магнитные малогабаритные
7,50
Электродвигатели асинхронные, сельсины
12,30
Электродвигатели синхронные
0,51
Электродвигатели постоянного тока
13,40
Батареи однозарядные
43,00
Батареи заряжаемые
2,00
Аккумуляторы
10,30
Датчики электромеханические пассивные
15,00
Конструкции несущие легкосъемных субблоков
0,10
Конструкции несущие РЭА
3,00
Пружины
2,20
Соединений механической пайкой
0,06
Соединения винтами 3...5 мм
0,001
Примечания:
1. Значения интенсивностей отказов элементов, помеченные символом, приведены соответственно:
* – на один контакт при номинальном токе;
** – на одну контактную группу при номинальном токе;
*** – на один штырек при номинальном токе;
**** – на каждый метр длины при номинальной плотности тока в проводе (неполный метр длины должен считаться как один метр).
2. При использовании безвыводных компонентов и технологии поверхностного монтажа – значения интенсивностей отказов компонентов можно уменьшать примерно на 50 %.
Приложение Б
Данные к расчету поправочного коэффициента a1,2
Рисунок Б.1 – Обобщенные зависимости поправочного коэффициента a1,2 от температуры и коэффициента нагрузки:
а – для контактных элементов (разъемы, реле, переключателей и т.п.);
б – для соединений пайкой; в – для резисторов типов С2-23 и ОМЛТ;
г – для переменных проволочных резисторов
Рисунок Б.2 – Обобщенные зависимости поправочного коэффициента a1,2 от температуры и коэффициента нагрузки:
а – для резисторов; б – для неполярных конденсаторов;
в – для изделий имеющих обмотки; г – для электролитических конденсаторов
Рисунок Б.3 – Обобщенные зависимости поправочного коэффициента a1,2 от температуры и коэффициента нагрузки:
а – для германиевых диодов; б – для кремниевых диодов;
в – для германиевых транзисторов; г – для кремниевых транзисторов
Рисунок Б.4 – Обобщенные зависимости поправочного коэффициента a1,2 от температуры и коэффициента нагрузки:
а – для кремниевых высокочастотных транзисторов;
б – для германиевых высокочастотных транзисторов;
в – для полупроводниковых цифровых интегральных микросхем;
г – для полупроводниковых линейно-импульсных интегральных микросхем
Приложение В
Значения поправочных коэффициентов (составлено для учебных целей)
Значения поправочных коэффициентов α3, учитывающих влияние механических воздействий [1]
Условия эксплуатации
Значение α3
Лабораторные
1,00
Стационарные
1,07
Полевые
1,07
Корабельные
1,37
Автомобильные
1,46
Железнодорожные
1,57
Самолетные
1,65
Значения поправочных коэффициентов α 4, учитывающих влияние относительной влажности [1]
Относительная влажность
Значение α4
60...70% при t = 20...40°С
1,0
90...98% при t = 20...25°С
2,0
90...98% при t = 30...40°С
2,5
Значения поправочных коэффициентов α 5, учитывающих атмосферное давление (высоту над уровнем моря) [1]
Высота, км
Значение α5
Высота, км
Значение α5
0...1
1,00
5...6
1,16
1...2
1,05
6...8
1,20
2...3
1,10
8...10
1,25
3...5
1,14
10...15
1,30
Приложение Г
Средние значения случайного времени восстановления τj элементов и функциональных частей электронной аппаратуры (для учебных целей) [1]
Элемент, функциональная часть РЭУ
τj, ч
Цифровые интегральные микросхемы малой и средней степени интеграции
1,5
Цифровые интегральные микросхемы большой и сверхбольшой степени интеграции
0,5
Аналоговые интегральные микросхемы малой и средней степени интеграции
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление