Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Контрольные тесты. 1.Токи в транзисторе p-n-p связаны соотношением:




Выводы.

1.Токи в транзисторе p-n-p связаны соотношением:

1. Iк=Iэ+Iб;

2. Iэ=Iк+Iб.

2. Назначение эммитера транзистора:

1. инжекция в области базы неосновных для нее носителей;

2. экстракция носителей базы.

3.Назначение коллектора транзистора:

1. инжекция в области базы неосновных для нее носителей;

2. экстракция носителей базы.

4.В транзисторе p-n-p, p-n переход включен в прямом направлении, а n-p в обратном, то это режим:

1.активный;

2.инверсный.

5.В транзисторе p-n-p, p-n переход включен в обратном направлении, а n-p в прямом, то это режим:

1. активный;

2. инверсный.

6.Оба перехода транзистора p-n-p смещены в прямом направлении в режиме:

1. отсечки;

2. насыщения.

7.Оба перехода транзистора p-n-p смещены в обратном направлении в режиме:

1. отсечки;

2. нормальном.

8.В базу транзистора p-n-p инжектируются:

1. электроны;

2. дырки.

9.Рабочими носителями в транзисторе p-n-p являются:

1. дырки;

2. электроны.

10.Толщина базы транзистора:

1. велика;

2. мала.

11.Коэффициент усиления по напряжению больше единицы транзистора pnp:

1. ОБ;

2. ОК.

12.Стрелка в схеме транзистора указывает на направление:

1. движение электронов;

2. тока в p-n переходе.

13.При всех схемах включения транзистора общий его электрод:

1. заземлен;

2. подключен к источнику питания.

14. Полевой транзистор - это ППП, усилительные свойства которого обусловлены:

1. потоком электронов или дырок через канал;

2. взаимодействием нейтронов и протонов;

3. взаимодействием электронов и дырок.

15. Управление полевым транзистором осуществляется:

1. напряжением на затворе;

2. током затвора;

3. частотой сигнала, приложенного к затвору.

16. Основные параметры полевых транзисторов:

1. крутизна ВАХ, дифференциальное сопротивление канала;

2. коэффициенты передачи токов и

3. напряжение включения и выключения.

17. Условием получения режима отсечки ПТУП является:

1. превышение напряжением на затворе соответствующего значения;

2. отпирание перехода;

3. запирание перехода.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 566; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.