КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Контрольные тесты. 1.Токи в транзисторе p-n-p связаны соотношением:
Выводы. 1.Токи в транзисторе p-n-p связаны соотношением: 1. Iк=Iэ+Iб; 2. Iэ=Iк+Iб. 2. Назначение эммитера транзистора: 1. инжекция в области базы неосновных для нее носителей; 2. экстракция носителей базы. 3.Назначение коллектора транзистора: 1. инжекция в области базы неосновных для нее носителей; 2. экстракция носителей базы. 4.В транзисторе p-n-p, p-n переход включен в прямом направлении, а n-p в обратном, то это режим: 1.активный; 2.инверсный. 5.В транзисторе p-n-p, p-n переход включен в обратном направлении, а n-p в прямом, то это режим: 1. активный; 2. инверсный. 6.Оба перехода транзистора p-n-p смещены в прямом направлении в режиме: 1. отсечки; 2. насыщения. 7.Оба перехода транзистора p-n-p смещены в обратном направлении в режиме: 1. отсечки; 2. нормальном. 8.В базу транзистора p-n-p инжектируются: 1. электроны; 2. дырки. 9.Рабочими носителями в транзисторе p-n-p являются: 1. дырки; 2. электроны. 10.Толщина базы транзистора: 1. велика; 2. мала. 11.Коэффициент усиления по напряжению больше единицы транзистора pnp: 1. ОБ; 2. ОК. 12.Стрелка в схеме транзистора указывает на направление: 1. движение электронов; 2. тока в p-n переходе. 13.При всех схемах включения транзистора общий его электрод: 1. заземлен; 2. подключен к источнику питания. 14. Полевой транзистор - это ППП, усилительные свойства которого обусловлены: 1. потоком электронов или дырок через канал; 2. взаимодействием нейтронов и протонов; 3. взаимодействием электронов и дырок. 15. Управление полевым транзистором осуществляется: 1. напряжением на затворе; 2. током затвора; 3. частотой сигнала, приложенного к затвору. 16. Основные параметры полевых транзисторов: 1. крутизна ВАХ, дифференциальное сопротивление канала; 2. коэффициенты передачи токов и 3. напряжение включения и выключения. 17. Условием получения режима отсечки ПТУП является: 1. превышение напряжением на затворе соответствующего значения; 2. отпирание перехода; 3. запирание перехода.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 600; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |