Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Транзистор с индуцированный каналом (МОП- транзистор)




МОП-транзисторы могут быть выполнены с индуцированным каналом n-типа и p-типа. Транзистор (например n-типа) устроен так, что при отсутствии напряжения на затворе канал закрывается (рис. 10), в связи с тем, что n-области истока и стока образуют с О-основанием два p-n перехода, которые включены навстречу друг другу и при любой полярности напряжения СИ один из переходов заперт.

Рис. 10. Структурная схема полевого транзистора с индуцированным n-каналом.

 

В том случае, если на затвор подать положительное напряжение больше порогового Uзи >Uзи (пороговые), то создается канал n-типа, соединяющий исток и сток. МОП-транзисторы с индуцированным каналом p-типа имеют принцип работы такой же как n-типа, но полярность напряжений у них противоположна МОП транзисторам n-типа. Условное графическое изображение полевых транзисторов с индуцированным каналом показано на рис. 11.

 

Рис. 11. Условное графическое изображение МОП-транзисторов с индуцированным каналом n-типа (а), p-типа (б).

Следует заметить, что МОП-транзисторы можно включать по схеме с ОЗ, ОИ, ОС. На практике чаще используются схемы полевых транзисторов с ОИ, что дает возможность получить большие коэффициенты по напряжению, току и мощности.

Входные и выходные характеристики МОП-транзисторов показаны на рис. 12 (а, б)

Рис. 12. Статические характеристики МОП-транзистора: стокозатворные (а) и выходные (б).

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1186; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.