КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Влияние температуры на работу полупроводниковых транзисторов
Общая характеристика схем включения транзисторов p-n-p типа. Н-параметры транзистора. Рассмотрим Н-параметры транзистора включенного по схеме с ОЭ (рис.8)
Рис. 8. Транзистор, как активный четырехполюсник, включенный по схеме с ОЭ. 1. Входное сопротивление VT для переменного тока: Н11= Uбэ/ iб (Uкэ=const). 17) 2. Выходная проводимость: Н22 = iк/ Uкэ (iб=const) (18) 3. Коэффициент усиления по току: Н21 = iк/ iб (Uкэ=const) (19)
Для маломощных транзисторов: . Для транзисторов средней и большой мощности (20) Выходная проводимость для маломощных транзисторов. , а для средней и большей мощности (21) Коэффициент усиления по току равен: . (22)
На работу транзисторов значительно влияет повышение температуры. При этом возрастает начальный ток коллектора, а, следовательно, это приводит к изменению характеристик транзистора. Например, для германиевого транзистора включенного по схеме ОБ при диапазоне нагрева от 200С до 700С Iко (начальный ток коллектора) увеличится в 25 раз. Известно, что Iк=Iко+ Iэ, (23) где - не зависит от температуры, Iэ=const и поэтому незначительное увеличение Iк при повышении температуры практически не изменяет режим работы транзистора. В том случае, если транзистор включен по схеме ОЭ, то начальным током является сквозной ток и он возрастает при изменении температуры от 200С до 700С примерно в 2 раза. Очевидно, что такое возрастание тока приводит к резкому изменению выходных характеристик (зависимости Iк от Uкэ) транзистора, перемещается рабочая точка и режим усиления нарушается. Относительная погрешность расчета, моделирования и натурного эксперимента при определении каждого параметра находится в процентах по формуле: δА=(ΔА/A)*100%, где ΔА-абсолютная погрешность; A-значение измеряемого параметра. Погрешности возникают при расчете, определении погрешностей отсчета на экране дисплея и погрешностей измерительных приборов при проведении натурных экспериментов. Для повышения точности отсчетов при прямых измерениях по экрану дисплея или с помощью измерительного прибора, целесообразно значение каждого параметра повторять,примерно, три раза и в формулу для расчета относительной погрешности подставлять средние значения. В таком случае ΔА= (ΔА1+ ΔА2+ ΔА3)/3; А= (А1+ А2+ А3)/3, где ΔА1, ΔА2,ΔА3 - погрешности отдельных замеров; А1, А2,А3 - значения отдельных замеров определяемого параметра. При проведении косвенных измерений для определения результирующей абсолютной погрешности необходимо пользоваться дифференциалами функций. Дифференциалы некоторых функций (<А) указаны в нижеприведённой таблице 1.
Таблица 1.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 697; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |