Порядок выполнения работы. Собрать на рабочем столе EWB схему виртуального макета по рис

4.1. Моделирование.

Собрать на рабочем столе EWB схему виртуального макета по рис. 9 биполяр­ного транзистора(БТ) типа p-n-p, соответствующим вашему варианту (табл. 1.5) и установить в ней требуемые значения Э.Д.С. источника питания и нагрузки транзистора.

Собратьна экране дисплея с помощью программы Multisim 10 виртуальные схемы включения биполяр­ного транзисторатипа p-n-p (рис.9), позволяющие определить его основные параметры.

Рис.9

Целью исследований БТ должно стать установление у него нормального активного режима и определение его основных параметров при включении по схеме с общим эмит­тером (ОЭ,рис.9). По экспериментальным данным найти статитаческие коэффициенты передачи токов ба­зы и эмиттера, т.е. которыми БТ обладает при воздействии напряжений постоянного тока, а также их входные и выходные сопротивления постоянному току. Затем определяются дифференциальные параметры транзисторов, т.е. Для этого в схему должны вводиться кроме источников постоянного напряжения, необходимые для реализации усилительного режима, источники входного переменного напряжения небольшой амплитуды, служащего источником усиливаемого сигнала.

Последовательность выполнения работы:

- установить в транзисторе нормальный активный режим класса А усиления. С этой целью Есм вначале принимается равным -0,3В (см.табл.1.5). Если транзистор остается за­пертым (токи коллектора и эмиттера близки к нулю), то необходимо увеличить до 0,5В и т.д. При отпирании транзистора (фиксируется при появлении токов коллектора и эмиттера) продолжать увеличение до момента, при котором вольтметр V покажет значение указанное в табл. 1.5.;

- снять показания всех приборов и определить статические коэффициенты передачи тока базы и эмиттера Затем рассчитать входное и выходное сопротивления транзистора постоянному току. При этом следует принять а за - падение напряжения на транзисторе, снятое с вольтметра V. Все при­боры должны быть установлены в режим постоянного тока, т.е. D;

-перевести транзистор поочередно в состояния насыщения и отсечки, подав на него Есм ⁼ -5В и Есм⁼0,1 В, соответственно. Снять показания всех приборов и занести в отчет.

( Пример) Снять показания всех приборов и определить статические коэффициенты передачи тока базы и эмиттера Затем рассчитать входное и выходное сопротивления транзистора постоянному току. При этом следует принять а за - падение напряжения на транзисторе, снятое с вольтметра V. Все при­боры должны быть установлены в режим постоянного тока, т.е. DC.

Есм=0,785 В, , , , .

4.2. Полученные результаты объеденить в пронумерованную таблицу.

4.3. Определелить результирующую абсолютную погрешность измерений. Для этого необходимо пользоваться дифференциалами функций. Дифференциалы некоторых функций (<А) указаны в таблице»А». Результаты расчётов объединить в пронумерованную таблицу).

Перевести транзистор поочередно в состояния насыщения и отсечки,подав на него Есм⁼ -5В и Есм⁼0,1 В, соответственно. Снять показания всех приборов и занести в отчет.

Пример. Есм=5В

4.4.Построить входные и выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ.Эти характеристики будут нобходимы при исследовании усилителей (для нахождения «рабочей точки»)

Дата добавления: 2015-05-06