Параметры транзистора

1. Статический коэффициент усиления по току в схеме с ОБ:

a=Iкр/Iэ (6)

Обычно a =0,9–0,99.

Статический коэффициент усиления по току в схеме о ОЭ имеет другое выражение. Его можно получить из соотношения Iк=aIэ+Iко, если подставить в него выражение Iэ=Iб+Iк. Тогда Iк=a(Iб+Iк)+Iко, откуда:

Iк=(a/(1–a))Iб+Iко/(1–a), (7)

или

Iк=bIб+Iкоэ, (8)

b=a/(1–a), (9)

где b=a/(1–a) статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ,выраженный через a.

Из уравнения (8) можно установить, что схема с ОЭ обладает большим усилением по току. Например, если a =0,985, то b =66.

Обратный ток коллекторного перехода в схеме с ОЭ.

Iкоэ=Iко/(1–a)=(1+b)Iко (10)

Коэффициенты a и b являются важнейшими параметрами транзисторов. Их часто называют коэффициентами передачи тока эмиттера (a) и тока базы (b).

2. Коэффициент обратной связи по напряжению. В схеме с ОБ он равен:

=DUэб/DUкб, (11)

в схеме с ОЭ:

=DUбэ/DUкэ, (12)

где DUэб, DUбэ, DUкб, DUкэ – соответственно приращения напряжений эмиттера, базы и коллектора.

3) Входное сопротивление. В схеме с ОБ равно:

Rвхб=DUэв/DIэ, (13)

в схеме с ОЭ:

Rвхэ=DUбэ/DIб, (14)

где DIэ и DIб – соответственно приращения тока эмиттера и тока базы.

4) Выходное сопротивление. В схеме с ОБ равно:

Rвыхб=DUкб/DIк, (15)

в схеме с ОЭ:

Rвыхэ=DUкэ/DIк (16)

На рис.7. показаны входные и выходные статические характеристики транзистора, включенного по схемам ОБ и ОЭ

Рис. 7. Входные и выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ (а,в) и по схеме с ОЭ (б,г)

Дата добавления: 2015-05-06