Биполярные транзисторы. Теоретические основы

Теоретические основы.

Цель работы.

Исследование биполярного и полевого транзисторов

Лабораторная работа №2

Контрольные тесты.

Выводы.

1. Для какой цели применяются в электронике полупроводниковые диоды:

а) для преобразования переменного напряжения в пульсирующее напряжение одной полярности;

б) для усиления электрических сигналов;

в) для запоминания информации.

2. По какому (или по каким) из перечисленных параметров подбираются диоды для выпрямителей:

а) по максимальным значениям прямого тока и обратного напряжения;

б) по максимальным значениям обратного тока и прямого напряжения;

в) по концентрации примесей.

3. Стабилитрон должен включаться:

а) в обратном направлении;

б) в прямом направлении;

в) по ходу движения.

4. Чем стабилитрон гарантирует возможность стабилизации напряжения:

а) наличием на графике его ВАХ участка с более значительным диапазоном изменения
тока, чем падения напряжения на нем;

б) наличием на графике его ВАХ участка с менее значительным диапазоном изменения тока, чем падения напряжения на нем;

в) наличием на графике его ВАХ участка с постоянным значением напряжения.

Ознакомление с принципом работы биполярного транзистора, установление его нормального активного режима при включении по схеме с общим эмит­тером и определение основных параметров (расчет, моделирование, эксперимент).

2.Приборы, макеты, программы. - --Компьютер ACER;

-Программа Multisim 10.

Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с тремя областями чередующегося типа электрической проводимости, разделенными двумя взаимодействующими р–п переходами, способный усиливать мощность.

Конструктивно–сплавной биполярный транзистор представляет собой пластинку монокристалла полупроводника проводимостью p или n – типа, по обеим сторонам которой наплавлены полупроводники, образующие с данным полупроводником иной тип проводимости.

На рис.1. показана конструкция транзистора, в которой в пластинку германия n–типа вплавлены по обеим сторонам шарики индия, образующие с германием проводимость p –типа.

Рис. 1. Реальная структура сплавного транзистора p-n-p

На рис.2. показана упрощенная плоскостная структура транзистора.

а) б)

Рис.2. Упрощённая структура транзистора p-n-p (а) и n-p-n (б)

Дата добавления: 2015-05-06