КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Влияние температуры на работу полупроводниковых диодов
На электропроводимость полупроводников значительно влияет температура. Если температура повышается, то возрастает генерация пар носителей заряда и при этом электропроводимость возрастает. В этой связи прямой и обратный токи увеличиваются. Например для германиевых диодов при увеличении температуры на каждые 10° С обратный ток может возрасти в два раза, а для кремниевых диодов в 2,5 раза. Прямой ток при нагреве диода возрастает незначительно, так как такой ток получается за счет примесной проводимости. Также с повышением температуры незначительно возрастает барьерная электроемкость диода.Полупроводниковым диодом (ПД) называют полупроводниковый прибор (ППП), обладающий выпрямительным свойством и служащий ключом в процессе преобразования переменного двухполярного напряжения в пульсирующее напряжение одной полярности. Широкое применение ПД находят при создании выпрямительных схем для источников вторичного электропитания (ИВЭП), а также ограничителей амплитуды импульсных сигналов и разнообразных детекторов. Их вольтамперная характеристика (ВАХ) при малых значениях напряжения имеет вид, приведенный на рис. 1.а, из которого видно, что вблизи начала координат ПД ведут себя как нелинейные элементы с различными значениями обычного и дифференциального (либо статического и динамического, соответственно) сопротивлений, т.е. где и Если взглянуть на ту же характеристику при любых значениях входного напряжения (рис. 10,б), то можно заметить, что все ПД обладают некоторым порогом, т.к. начинают работать не с нулевого значения напряжения, и потерями - в виде падения напряжения при прямом включении (в проводящем состоянии)
Рис.10.Вольтамперная характеристика(ВАХ) полупроводниковых диодов.
Сопротивление Rд.пр диода считается его сопротивлением по постоянному току (проявляется при включении его в цепь постоянного тока с напряжением , а - его сопротивлением по переменному току, т.е. при включении в цепь переменного тока с амплитудой напряжения . Чтобы проверить это, необходимо исследовать выбранный диод, построить его ВАХ и определить его и в какой-либо одной точке. Аналогичные исследования необходимо провести также и со стабилитроном, под которым понимают ПД, имеющий на ВАХ при обратном включении линейный участок с очень большими изменениями протекающего по нему тока и малыми изменениями падения напряжения на нем. В ходе исследований требуется найти среднее значения этого напряжения (принимаемого за напряжение стабилизации стабилитрона) и дифференциальное сопротивление rст.диф на линейном участке ВАХ. Эти результаты могут пригодиться для создания источников вторичного электропитания.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 2145; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |