КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Стабилитрон. Полупроводниковый стабилитрон - это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области обратимого пробоя практически не зависит от протекающего тока
Полупроводниковый стабилитрон - это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области обратимого пробоя практически не зависит от протекающего тока. Подобное свойство позволяет использовать стабилитроны в разнообразных схемах стабилизации апряжения. Стабилитроны - приборы, работающие в режиме обратимого лавинного или туннельного пробоя. Условное графическое изображение стабилитрона показано на рис.11.
Рис.11. Условное графическое изображение стабилитрона
Рабочим участком стабилитрона является участок на обратной ветви вольтамперной характеристики (рис.12.) в области напряжений, соответствующих обратимому пробою. Очевидно, что при некоторых значениях обратного напряжения (минимальное напряжение пробоя), ток прибора, ранее незначительный, начинает возрастать - наступает пробой p-n- перехода. Указанное значение напряжения пробоя прибора, называется напряжением стабилизации U ст прибора. По мере увеличения тока, протекающего через стабилитрон, напряжение на стабилитроне незначительно увеличивается (можно сказать, что с достаточной степенью точности, остается постоянным при возрастании тока).
Рис. 12. ВАХ стабилитрона и зависимость температурнго коэффициента напряжения(ТКН) от напряжения стабилизации. У стабилитронов с туннельным характером пробоя, который происходит в узких p-n- переходах (при напряженности внутреннего электрического поля Е вн>1,4×106 В/м), ТКН (рис. 12.). Для этих приборов характерным является напряжение стабилизации до 5 В.Наиболее распространены стабилитроны на основе широкого р-n -перехода с меньшей внутренней напряженностью поля (Е вн <5×104 В/м), для которых характерно развитие лавинного характера пробоя. Для подобных приборов обычным является напряжение стабилизации U ст > 5 В, (рис.12.).При напряжении стабилизации стабилитрона в пределах 5…6 В, в p-n -переходе одновременно существуют оба вида пробоя (смешанный тип пробоя). Дифференциальное сопротивление r д (r д = ∆ U ст/∆ I ст) характеризует качество стабилитрона на участке стабилизации, т.е. степень изменения напряжения стабилизации при изменении тока стабилизации.Зависимость дифференциального сопротивления r (U) во всем диапазоне напряжений показана пунктиром (рис. 13, а).
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 737; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |