Полевой транзистор со встроенным каналом (МДП- транзистор)

Полевые транзисторы с изолированным затвором.

Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют исток и сток в виде сильно легированных областей полупроводника. Оба вида полевых транзисторов (МДП и МОП) могут быть сконструированы с каналами p-типа и n-типа. Встроенный канал создается при изготовлении полевого транзистора, а индуцированный канал при работе полевого транзистора наводится под влиянием поля, которое приложено к затвору.

Такие МДП-транзисторы имеют канал, обогащенный носителями зарядов. Основу МДП транзистора со встроенным каналом составляет мало насыщенная примесью пластина полупроводника с электропроводимостью p-типа или n-типа (рис. 6)

Рис.6. Структурная схема полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.(тонкий слой полупроводника n-типа)

Если на затвор полевого транзистора со встроенным каналом n-типа подавать отрицательное напряжение (Uзи), то электроны выталкиваются из области канала в подложку, а канал обедняется носителями и ток Iс уменьшается. Когда подается на затвор полевого транзистора положительное напряжение, электроны втягиваются из подложки в канал и ток Ic через канал увеличивается. Следовательно МДП-транзистор может управляться положительным и отрицательным напряжением. Условное графическое изображение полевых транзисторов со встроенным каналом показана на рис. 7 (О-основание или подложка)

Рис. 7. Условное графическое изображение МДП транзисторов со встроенным каналом n-типа (а), p-типа (б)

Схема выключения МДП-транзисторов показана на рисунке 8 (а,б,в):

Рис. 8. Схемы включения МДП-транзисторов с ОИ (а), с ОС(б), с ОЗ(в).

Статические характеристики МДП-транзисторов показаны на рисунке 9 (а, б).

Рис. 9. Статические характеристики МДП-транзисторов со встроенным p-каналом. Выходные или стоковые (а), стокозатворная (б).

Дата добавления: 2015-05-06