Кристалл CdS 11 страница

Пентоды отличаются от тетродов более высоким коэффициентом усиления, достигающим иногда нескольких тысяч. Это объясняется тем, что защитная сетка выполняет роль дополнительной экранирующей сетки. Возрастает и внут­реннее сопротивление, иногда до миллио­нов ом. Проходная емкость еще меньше, чем у тетродов.

Выражение для действующего напря­жения пентода имеет вид

"д ~ "fll + ^Dl^ug2 + D_YD₂u_gb + D_lD₂D₃u_a.

(19.11)

Проницаемость пентода

D = D_tD₂D₃. (19.12)

Поскольку значение D мало, а третье слагаемое в выражении (19.11) либо рав­но нулю, либо очень невелико (так как D₁D₂ «; 1), то действующее и запираю­щее напряжение выражается так же, как и для тетрода:

"д ~ Щ1 + DlU_g2 HUgban ~ ~DlU_g2- (19.13)

Анодно-сеточные характеристики у пентода такие же, как у тетрода, т. е. «левые».

Закон степени трех вторых для пен­тода имеет вид

i_K = g4>², (19.14)

где катодный ток

h = h + i_gi + 1д2 + i_g3- (19.15)

При отрицательных напряжениях управляющей сетки i_gl = 0. Ток i_g3 учи­тывают лишь при и_дЪ > 0. Поэтому в большинстве случаев ток катода явля­ется суммой двух токов, как и в тетроде:

h = h + ig2. (19.16)

Защитная сетка иногда используется как вторая управляющая. Кроме того, возможно применение пентода вместо двух ламп. Тогда в одном каскаде используется триодная часть пентода (катод и первые две сетки), а в другом каскаде работает весь пентод.

19.3. СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТЕТРОДОВ И ПЕНТОДОВ

Особенность схем включения тетро­дов и пентодов — цепь экранирующей сетки. Напряжение этой сетки в пентодах может быть любым, так как динатрон­ный эффект уничтожен. В маломощных каскадах оно обычно небольшое (20­50% анодного напряжения), так как при усилении слабых колебаний не требуется большой анодный ток. В более мощных каскадах анодный ток должен быть больше и U_g2 о берется выше, устанавли­вают даже U_g2 о = fa-Питание экранирующей сетки от от­дельного источника иногда применяется в мощных каскадах. В маломощных

и многоламповых устройствах такой спо­соб невыгоден. Но его достоинство — постоянство напряжения U_g2 о- Напряже­ние и_д2о можно подавать также от анодного источника.

Наиболее распространена подача на­пряжения на экранирующую сетку через понижающий (гасящий) резистор R_g2 со­противлением от единиц до сотен килоом (рис. 19.4; а). В схеме

U_g20 = E_a-I_g20R_g2. (19.17)

Если известен ток экранирующей сетки, то сопротивление, необходимое для получения напряжения U_g20,

R_g2 = (E_a-U_g20)/I_e2o- (19-18)

Например, при Е_а = 160 В, U_g20 = = 60 В и 1_д20 = 0,5 мА получим R_g2 = = (160-60)/0,5 = 100/0,5 = 200 кОм.

Рис. 19.4. Схемы питания экранирующей сетки через понижающий резистор (а) и с помощью делителя (б)

Недостаток рассмотренного способа состоит в том, что напряжение U_g20 изменяется при изменении режима лам­пы. Если изменяется напряжение накала, анода или управляющей сетки, то изме­нится ток 1_{д2 0}. Тогда изменится падение напряжения на R_g2, а следовательно, и напряжение экранирующей сетки.

Более высокую стабильность напря­жения экранирующей сетки дает дели­тель напряжения, состоящий из двух ре­зисторов R_t и R₂, соединенных после­довательно (рис. 19.4,6). Через эти рези­сторы проходит ток делителя /_дел. Напря­жение, создаваемое им на резисторе R_u подается на экранирующую сетку. Схема с делителем менее экономична, так как бесполезно расходуется ток /_дел. Чем больше ток /д_ел по сравнению с током 1_в2 о>^тем стабильнее напряжение U_{g2 0}, но зато больше потери энергии в самом делителе.

Расчет сопротивлений R_t и R₂ де­лают по формулам

Ri = и_д20/1_дел

и R₂ = (E_a - U_g20)(I_g20 + /д_ел). (19.19)

Например, требуется рассчитать де­литель для подачи напряжения U_g20 = = 80 В от анодного источника с напря­жением Е_а = 240 В, если I_{g2 0} = 1 мА, а ток делителя выбран /_дел = 4 мА. Находим: ^ = 80:4 = 20 кОм; R₂ = = 160:5 = 32 кОм.

Для уменьшения проходной емкости экранирующую сетку соединяют с като­дом через конденсатор достаточно боль­шой емкости. Сопротивление этого кон­денсатора должно быть малым. Для то­ков высокой частоты достаточна емкость в тысячи или десятки тысяч пикофарад, а при низкой частоте емкость состав­ляет десятые доли микрофарада. Такой конденсатор практически создает корот­кое замыкание для переменного тока.

Если этого конденсатора нет, то переменный ток может проходить из цепи управляющей сетки в анодную цепь через емкости C_g2._g\ и С_а._д2 (рис. 19.5). А при наличии конденсатора переменный ток из сеточной цепи прой­дет через емкость С_д2._дЬ а далее у него два пути: первый — через емкость С_д2 с очень малым сопротивлением, вто­рой — через емкость С_а._д2, сопротивление которой велико, а затем через нагрузку, имеющую также большое сопротивле­ние. Почти весь ток идет по первому пути, а по второму ответвляется ни­чтожная часть тока. Таким образом, экранирующая сетка с конденсатором

-L - £_a + Рис. 19.5. Межэлектродные емкости в тетроде

С_д2 устраняет емкостную связь между анодной и сеточной цепями.

Следует сказать еще об одной роли конденсатора С_д2. В усилительном кас­каде ток экранирующей сетки пульсирует подобно анодному току. Если перемен­ная составляющая тока экранирующей сетки проходит через резистор R_g2 (или делитель), то напряжение на нем пульси­рует. Тогда напряжение экранирующей сетки также изменяется. Колебания этого напряжения происходят в противофазе с переменным напряжением управляю­щей сетки, и переменная составляющая анодного тока уменьшается. Если же переменная составляющая тока экрани­рующей сетки проходит через конденса­тор С_д2, то на резисторе R_g2 падение напряжения будет только от постоянной составляющей тока. А на конденсаторе С_д2, имеющем весьма малое сопротив­ление, падение переменного напряжения очень мало. Для цепи экранирующей сетки создается режим работы без на­грузки (по переменному току) и напря­жение U_g20 становится-постоянным.

Не следует смешивать переменную составляющую тока экранирующей сет­ки 1_д2 с переменным током через меж­электродные емкости. Ток 1_д2 создается эмиссией катода. Генератором этого тока является триодная часть лампы, состоящая из катода, управляющей и экранирующей сетки. Если лампа заперта или катод не накален, то ток 1_д2 равен нулю. А токи через межэлектродные емкости не представляют собой элект­ронных потоков в вакууме. Например, емкостный ток от источника колебаний через емкости С_д2._дХ и С_д2 существует независимо от того, заперта или отперта лампа, есть эмиссия катода или нет ее.

19.4. ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕТРОДОВ И ПЕНТОДОВ

Анодно-сеточные характеристики те­тродов и пентодов напоминают характе­ристики триодов, но имеют ряд осо­бенностей. Они не используются для расчетов и поэтому здесь не рассмат­риваются.

U_g1 =const<0 Ug2=COnst U_ff3=const л

	Uqf 120 В i	Uqs'O Ugf	+ 2B
					U7r0
					7*'.
					-40
				j£B_
					■=78 В
					Ца

6) мА 20  

40 80 120 160 200 ZkQ В

Рис. 19.6. Характеристики пентода для токов анода, экранирующей сетки и катода (а) и семейство анодных характеристик (б)

Для практических расчетов поль­зуются характеристиками токов анода, экранирующей сетки и катода при по­стоянных напряжениях всех сеток (рис. 19.6, а). Катодный ток мало изменяется при изменении анодного напряжения, а характеристики токов анода и экрани­рующей сетки имеют две области. В области / (режим возврата) резко возрастает анодный ток и резко спадает ток экранирующей сетки при небольших изменениях анодного напряжения. Это объясняется тем, что при малом анодном напряжении около защитной сетки созда­ется второй потенциальный барьер. При и_а = 0 почти все электроны не могут преодолеть этот барьер и возвращаются

на экранирующую сетку. Ее ток макси­мален, а на анод попадают лишь элект-рбны со значительными начальными скоростями. Они образуют начальный анодный ток /₀.

Анод сильно действует на второй потенциальный барьер, и даже незначи­тельное увеличение анодного напряже­ния приводит к росту анодного тока и уменьшению тока экранирующей сет­ки. По мере увеличения анодного на­пряжения второй потенциальный барьер понижается и, когда все электроны, про­летевшие сквозь экранирующую сетку, его преодолевают, наступает режим пе­рехвата.

При дальнейшем повышении анод­ного напряжения рост анодного тока происходит главным образом за счет токораспределения. Анод действует на потенциальный барьер около катода через три сетки, и его влияние ослаб­лено во много раз. Значительные изме­нения анодного напряжения вызывают очень малые изменения токов (область II). Кривые становятся пологими. Эти участки характеристик обычно исполь­зуются как рабочие. Высокие значения коэффициента усиления и внутреннего сопротивления получаются именно при работе в области //. Не следует эту область считать режимом насыщения.

Семейство анодных характеристик пентода при и_д2 = const и и_дЪ = const дано на рис. 19.6,6. Чем больше отри­цательное напряжение управляющей сет­ки, тем меньше анодный ток и тем ниже проходят характеристики. При этом они идут более полого и ближе друг к другу. Если увеличить напряжение экра­нирующей сетки, то характеристики рас­положатся выше и граница между областями I и II (рис. 19.6, а) сдви­нется вправо.

19.5. ПАРАМЕТРЫ ТЕТРОДОВ И ПЕНТОДОВ

Параметры тетродов и пентодов определяются аналогично параметрам триода. Крутизна характеристики

S = AiJAu_gl при u_a = const, и_д2 = const,

и_дЪ = const. (19.20)

9 И. П. Жеребцов

Управляющая сетка в тетродах и пентодах расположена так, же, как и в триодах. Поэтому крутизна у тетродов и пентодов примерно такая же, как у триодов, т. е. составляет единицы или десятки миллиампер на вольт.

Внутреннее сопротивление

R_t = Aua/Aia при и_д1 = const, и_д2 = const, и_дЪ = const. (19.21)

Вследствие того что действие анод­ного напряжения в тетроде или пентоде ослаблено во много раз, сопротивление R_x составляет от сотен килоом до единиц мегаом и сильно зависит от токораспределения.

Коэффициент усиления определяется так:

р. = — AuJAu_gi при i_a = const,

и_д2 = const, и_дЪ = const (19.22)

и достигает сотен и тысяч.

Соотношение р = SR_t остается в силе. Проницаемость D тетродов и пентодов не равна обратному значению коэффи­циента усиления, так как определяется при условии постоянства катодного, а не анодного тока:

D = —Au_gl/Au_a при i_K = const,

и_д2 = const, и_дЪ = const. (19.23)

Вследствие значительной нелиней­ности характеристик тетрода и пентода параметры их при изменении режима сильно изменяются. При увеличении отрицательного напряжения управляю­щей сетки, т. е. при уменьшении анод­ного то^а, крутизна уменьшается, а внутреннее сопротивление и коэффи­циент усиления увеличиваются. Особен­ность тетродов и пентодов — зависи­мость коэффициента усиления от ре­жима.

На рис. 19.7 показано определение параметров пентода из характеристик для заданной точки Т. Крутизна опреде­ляется по точкам А и Б; внутреннее сопротивление — по точкам В и Г, при­чем неточно, так как приращение тока получается малым. Зная S и R_b находят р по формуле р = SRi.

0 ~"

Рис. 19.7. Определение параметров пентода из анодных характеристик

В режиме перехвата параметры S, R_t и р имеют наибольшие значения. При малых анодных напряжениях все параметры резко уменьшаются.

С увеличением отрицательного на­пряжения управляющей сетки анодные характеристики идут ближе друг к другу, что соответствует увеличению R_{ и уменьшению S.

Параметры триодной части тетрода или пентода S_Tp, R_irp и определя­ются по обычным формулам, с учетом того что роль анода выполняет экра­нирующая сетка. Эти параметры анало­гичны параметрам обычного триода.

При расчете режимов работы и прак­тическом применении тетродов и пенто­дов необходимо учитывать предельные параметры, в частности максимальную

ДОПУСТИМУЮ МОЩНОСТЬ Р_д2тах, ВЫДе­ляемую на экранирующей сетке.

19.6. МЕЖЭЛЕКТРОДНЫЕ ЕМКОСТИ

ТЕТРОДОВ И ПЕНТОДОВ

На схеме усилительного каскада с тетродом (рис. 19.8) помимо емкостей С_д\-_К, C_a._fli и С_а._к показаны емкость между сетками С_д\._д2, емкость анод — экранирующая сетка С_л._д2 и емкость экранирующая сетка — катод С_д2._к.

Входная емкость тетрода в режиме нагрузки

С_Вх.раб = C_gUK + C_gUg2 + С_а.₀₁(1 + К). (19.24)

Проходная емкость С_л._д\ в тетроде составляет малые доли пикофарада. По­этому значение С_й._дХ (1 + К) гораздо

Рис. 19.8. Схема усилительного каскада с тет­родом

меньше, нежели первые слагаемые. Счи­тают

Свх.раб ~ Сд\-к + Сд\-д2- (19.25)

У тетрода входная емкость в режиме нагрузки значительно меньше, чем у триода.

Сравним, например, входные емкости для каскада с триодом, имеющего С_д._к = 12 пФ, С_а._в = 6 пФ, К = 20, и кас­када с тетродом, у которого С_д\._к = = 12 пФ, С_дХ._д2 = 10 пФ, С_л._дХ = 0,02 пФ, К = 100.

В статическом режиме для триода Qx = С_д._к + С_л._д = 12 + 6 = 18 пФ, для тетрода С_вх = С_д1._к + С_дХ._д2 = 12 + 10 = = 22 пФ; в рабочем режиме для триода С_Вх.раб = С_д._к + С_а.,(1 + К) = 12 + 6-(1 + 20) = = 138 пФ, для тетрода С_вх._раб ~ С_вх = = 22 пФ.

Выходная емкость тетрода

Свых = Q-K + С&-д2, (19.26)

что несколько больше, чем у триода (для него было С_вых = С_а__к).

Пентод имеет десять межэлект­родных емкостей. Однако в усилитель­ном каскаде экранирующая и защитная сетки для переменного тока обычно замкнуты с катодом. Поэтому емкости С_д2-к, С₀з._к и С_д2._дъ оказываются замк­нутыми накоротко. Входная емкость пентода

Свх.раб ~ С_вх = С_д\._к + С_д\._д2 + С_д\ф. (19.27)

Выходная емкость пентода

С_Вых = С_а._к + С_а._вз + С_а.02- (19.28)

Как правило, эта емкость немного больше, чем у тетрода.

Рис. 19.10. Распределение электронов (а) и потенциала (б) в лучевом тетроде

19.7. УСТРОЙСТВО И РАБОТА ЛУЧЕВОГО ТЕТРОДА

Кроме пентодов получили распро­странение лучевые тетроды. В них ди­натронный эффект устранен путем созда­ния для вторичных электронов потен­циального барьера между экранирующей сеткой и анодом.

В лучевом тетроде увеличено рас­стояние между экранирующей сеткой и анодом и сетки имеют одинаковое число витков, причем витки расположены друг против друга. При такой конструкции электроны летят от катода к аноду бо­лее плотными пучками — «лучами» (рис. 19.9). Чтобы они не летели в направлении держателей сеток, имеются экраны 3i и Э₂, соединенные с катодом. Кроме того, поверхность катода, нахо­дящаяся против держателей сеток, не покрывается оксидным слоем и поэтому не эмитирует.

За счет более плотных электрон­ных потоков возрастает плотность объ­емного заряда. Это вызывает понижение потенциала в пространстве между ано­дом и экранирующей сеткой. Если на­пряжение анода ниже, чем экранирующей сетки, то в промежутке экранирующая сетка — анод образуется потенциальный барьер для вторичных электронов.

о-)

r<o~:

Рис. 19.9. Принцип уст­ройства и условное графи­ческое обозначение луче­вого тетрода

A

На рис. 19.10 показано распределе­ние электронов в электронном пучке и потенциала в промежутке анод — экрани­рующая сетка при u_a < и_д2. Кривая / соответствует обычному тетроду или лу­чевому тетроду, если ток в нем не­большой. Кривая 2 для лучевого тетро­да с нормальным анодным током по­казывает, что при и_а = 50 В и и_д2 = = 200 В создается потенциальный барь­ер «высотой» 30 В для вторичных электронов, выбитых с анода. На участ­ке от cp_min = 20 В до анода на вторичные электроны действует тормозящее поле, которое возвращает их на анод. А пер­вичные электроны, имея большие ско­рости за счет напряжения экранирую­щей сетки, преодолевают этот барьер и попадают на анод.

В обычных тетродах экранирующая сетка «разбивает» электронные потоки и перехватывает много электронов. По­этому не получаются достаточно плот­ные электронные потоки и не создается потенциальный барьер для вторичных электронов. Достоинство лучевых тетро­дов — уменьшенный ток экранирующей сетки (не более 7 % анодного).

19.8. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ЛУЧЕВОГО ТЕТРОДА

Анодно-сеточные характеристики лу­чевых тетродов такие же, как у обыч­ных тетродов или пентодов. Основные характеристики лучевого тетрода —

9*

Рис. 19.11. Семейство анодных характеристик лучевого тетрода

/ л

анодные (рис. 19.11), Они похожи на характеристики пентодов, но имеют не­которые особенности. Переход из об­ласти / в область II получается более резким, так как анод влияет на второй потенциальный барьер, в лучевом тет­роде сильнее, нежели в пентоде. В ре­зультате за счет сужения нерабочей области / расширяется рабочая об­ласть //.

Другая особенность лучевого тетро­да — динатронный эффект при значитель­ных отрицательных напряжениях управ­ляющей сетки, когда катодный ток не­большой и плотность объемного заряда недостаточна для создания потенциаль­ного барьера, задерживающего вторич­ные электроны. С уменьшением анодно­го тока динатронный эффект проявля­ется все сильнее. Но лампы, как правило, не работают при малых анодных напря­жениях и токах. Поэтому динатронный эффект в лучевых тетродах практически не проявляется.

Параметры лучевых тетродов опре­деляются по тем же формулам (19.20) — (19.23), что и для обычных тетродов. В лучевых тетродах проницаемость обеих сеток примерно одинакова, но управляющую сетку делают не очень густой, чтобы лампа имела «левые» анодно-сеточные характеристики. Экра­нирующая сетка также не очень густая, и коэффициент усиления несколько ниже, чем у обычных тетродов. Внутреннее сопротивление составляет от десятков до сотен килоом. Крутизна получается та­кой же, как и в других лампах, т. е.

единицы — десятки миллиампер на вольт. При переходе от области // в область / анодных характеристик значения S, R_t и р для лучевого тетрода резко умень­шаются.

Межэлектродные емкости у лучевых тетродов примерно такие же, как у обычных, но емкость С_&._д\ несколько больше, из-за того что экранирующая сетка более редкая.

Схема включения лучевого тетрода в усилительный каскад такая же, как и для пентода. Напряжение экранирующей сетки может быть равно анодному или даже несколько больше его (в более мощных каскадах). В последнем случае не следует выключать анодное напря­жение или размыкать анодную цепь, оставляя полное напряжение на экрани­рующей сетке, так как резко возрастает ток экранирующей сетки и она может перегреться.

В мощных каскадах лучевые тетро­ды с успехом заменяют пентоды. По сравнению с пентодами они имеют не­сколько лучшие характеристики и мень­ший ток экранирующей сетки. Но их изготовление сложнее, так как требуется точный монтаж сеток и должны быть установлены экраны. Вследствие того что при малых анодных токах в луче­вых тетродах возникает динатронный эффект, эти лампы не изготовляют на малые мощности. Отсутствие защитной сетки делает лучевые тетрады менее уни­версальными, тогда как у пентодов эта сетка иногда используется в качестве второй управляющей сетки. Кроме того, подавая на нее то или иное, постоян­ное напряжение, можно изменять режим работы пентода. Наконец, у пентодов более высокий коэффициент усиления и меньшая проходная емкость.

19.9. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ТЕТРОДОВ И ПЕНТОДОВ

Графоаналитический расчет рабочего режима тетродов и пентодов делают, как правило, с помощью анодных ха­рактеристик.

Для получения максимальной по­лезной мощности и наименьших нели­

Рис. 19.12. Усиления колебаний с помощью пентода при различном сопротивлении на-

нейных искажений сопротивление на­грузки у тетродов и пентодов должно быть значительно меньше их внутрен­него сопротивления. Необходимость этого очевидна из рис. 19.12, на котором даны рабочие характеристики пентода для различного сопротивления нагрузки Янь R_H2 и R_H. На каждой характе­ристике указана рабочая точка (7^ Ti и Т₂), соответствующая сеточному смещению Е_д1 = —4 В, и рабочий участок (А^, А₂Б₂ и АБ), соответствующий перемен­ному напряжению сетки с амплитудой 4 В.

Если сопротивление нагрузки R_Hl ве­лико, то рабочий участок А_ХБ_Х полу­чается сравнительно небольшим. Следо­вательно, малы амплитуды 'переменных составляющих анодного тока и напря­жения. Полезная мощность также мала. В данном режиме получаются большие искажения. Положительная и отрица­тельная полуволны переменных состав­ляющих анодного тока и напряжения резко неодинаковы.

Если сопротивление нагрузки R_h2 мало, то длина рабочего участка А₂Б₂ увеличивается. Амплитуда переменного анодного тока будет большой, но ампли­туда переменного напряжения невелика. Полезная мощность стала больше (пло­щадь треугольника мощности увеличи­лась), но она не максимальна, и опять получаются искажения (отрезок Т₂А₂ больше, нежели Т₂Б₂).

Можно подобрать наивыгоднейшее (оптимальное) сопротивление R_H, при котором рабочая точка делит рабочий участок пополам. Тогда искажения ста­нут наименьшими. Такому значению R_H соответствует рабочая характеристика, у которой отрезки ТА и ТБ равны. Теперь обе полуволны усиленного на­пряжения имеют одинаковые амплитуды и значение U_mR намного больше, чем в предыдущих случаях. Возросла и полезная мощность (увеличилась пло­щадь треугольника мощности). Опти­мальная рабочая характеристика идет гораздо круче, нежели статические ха­рактеристики. Это означает, что сопро­тивление R_H значительно меньше R,. Для большинства пентодов и лучевых тетродов оптимальное нагрузочное со­противление

Д„ = (0,05 + 0,2)R_t. (19.29)

Ориентировочно считают, что сопро­тивление R_H должно быть равно при­мерно 0,1 R,. При отклонении R„ от оптимального значения полезная мощ­ность уменьшается, хотя и нерезко, ц увеличиваются искажения. Наивыгод­нейшую рабочую характеристику опре­деляют подбором положения линейки, вращаемой вокруг точки М, в которой м_а = Е_а. Надо установить линейку так, чтобы получить равные отрезки ТА и ТБ. После этого значение R_H находят деле­нием Е_а на значение тока, соответ­ствующее точке пересечения рабочей характеристики с осью ординат.

Если сопротивление нагрузки R_H ве­лико только для переменной состав­ляющей, а для постоянного тока очень мало (например, в усилителе с транс­форматором или резонансным конту­ром), то рабочие характеристики' для различных R_H пересекаются в рабочей точке Т, а не в точке М. Для опреде­ления наивыгоднейшего режима в дан­ном случае линейку вращают вокруг точки Т до положения, при котором оба отрезка рабочего участка будут одинаковы.

Коэффициент усиления каскада для тетродов и пентодов определяется с учетом того, что можно пренебречь значением R_H по сравнению с Я,:

K*SR„. (19.30)

Таким образом, коэффициент усиле­ния каскада примерно пропорционален крутизне. Чем выше крутизна пентода или тетрода, тем большее усиление можно получить. В формуле (19.30) удобно S выражать в миллиамперах на вольт, a R_H — в килоомах. Например, если S = 2 мА/В и R_H = 100 кОм, то К = 2-100 = 200. Для триодов этой фор­мулой пользоваться нельзя.

19.10. ПЕНТОДЫ ПЕРЕМЕННОЙ КРУТИЗНЫ

Большое усиление в усилительных каскадах радиочастоты приемников по­лезно при слабых сигналах, а при сильных сигналах создаются значитель­ные искажения. Для удобства регули­ровки усиления в зависимости от силы сигналов некоторые пентоды делают с характеристикой, нижняя часть которой сильно удлинена (рис. 19.13). Эти лампы называют лампами переменной кру­тизны.

U_a= const

Рис. 19.13. Получение различного усиления при помощи лампы переменной крутизны

Подобная характеристика достига­ется тем, что управляющую сетку де­лают с переменной густотой: небольшой участок посредине сетки редкий, осталь­ная часть — густая. Тогда при большом отрицательном смещении сетки лампа на участках густой сетки запирается и работает только на участке редкой сетки, что соответствует малой крутизне, но большому напряжению запирания. Коэффициент усиления каскада К «SR^ получается малым. При небольшом отрицательном смещении действуют все участки сетки, но главное влияние на анодный ток оказывают участки густой сетки. Им соответствует значительная крутизна, но небольшое напряжение за­пирания. Большая крутизна обеспечивает высокий коэффициент усиления каскада.

Для слабых сигналов рабочая точка устанавливается на крутом участке ха­рактеристики (точка 7i), а для сильных сигналов отрицательное сеточное сме­щение увеличивается и рабочая точка располагается на участке с малой кру­тизной (точка Т₂). Колебания анодного тока в обоих случаях примерно одина­ковы. Установка нужной рабочей точки производится автоматически. Более сильные сигналы создают постоянное напряжение, которое подается в каче­стве дополнительного сеточного смеще­ния на лампу переменной крутизны и сдвигает рабочую точку на участок характеристики с малой крутизной. По­добная система называется автомати­ческой регулировкой усиления (АРУ).

Дата добавления: 2015-05-06