Кристалл CdS 21 страница

Рис. 25.17. Принцип устройства усилительной (а) и генераторной (б) ЛОВ О-типа

нет резонансных систем, она обладает резонансными свойствами. Усиление в такой лампе получается лишь в узкой полосе частот, причем положение этой полосы в диапазоне частот зависит от ускоряющего постоянного напряжения U. Изменяя его, можно осуществить электронную перестройку. Значительно более широко применяются генератор­ные ЛОВ О-типа (рис. 25.17, б). В них около коллектора расположено не вход­ное, а поглощающее устройство (зату­шевано), которое поглощает волну, от­раженную от выходного конца замед­ляющей системы. Такая волна может появиться при неполном согласовании на выходе и ухудшает работу ЛОВ.

Первоначальные слабые колебания в генераторной ЛОВ возникают от флюктуаций электронного потока, затем эти колебания усиливаются и начинается генерация. Следует заметить, что генера­ция может возникнуть и в усилитель­ной ЛОВ, если ток пучка в ней превы­сит некоторое критическое значение. Частота колебаний, генерируемых ЛОВ, зависит от ускоряющего напряжения U. Поэтому возможна электронная пере­стройка частоты с коэффициентом пере­крытия до 2. В генераторных ЛОВ сантиметрового диапазона изменение частоты при перестройке составляет еди­ницы мегагерц на один вольт ускоряю­щего напряжения. Выходная мощность генераторных ЛОВ бывает от десятков милливатт до единиц ватт, а КПД — несколько процентов. Ускоряющее на­пряжение — сотни или тысячи вольт, а ток пучка — от единиц до десятков миллиампер.

Разновидность генераторных ЛОВ — так называемые резонансные ЛОВ, в которых отсутствует поглотитель, а за­медляющая система замкнута накоротко около коллектора и поэтому становится резонатором. В таких ЛОВ возможна не только электронная, но и механиче­ская перестройка частоты. Резонансные ЛОВ обладают более высокой стабиль­ностью частоты и более высоким КПД.

Рассмотренные выше магнетроны дают большую выходную мощность и обладают высоким КПД. Недостатки их — узкополосность, а также невозмож­ность электронной перестройки частоты и усиления. А ЛБВ и ЛОВ О-типа, наоборот, широкополосны, в них воз­можна электронная перестройка часто­ты и усиление колебаний, но зато они имеют сравнительно малый КПД и во многих случаях небольшую выходную мощность. Поэтому были разработаны приборы, сочетающие в себе достоин­ства магнетронов и ламп бегущей или обратной волны.

Широкое применение получили ЛБВ и ЛОВ М-типа (ЛБВМ и ЛОВМ). На рис. 25.18 изображена схематически ЛБВМ плоской конструкции. Электро­ны, эмитированные накаленным като­дом К, попадают в постоянное электри­ческое поле напряженностью Е_у, создан­ное напряжением управляющего элек­трода УЭ, и в постоянное магнитное поле с индукцией В, созданное внешней магнитной системой, не показанной на чертеже. Под действием этих двух по­лей электронный поток искривляет тра­екторию и движется к коллектору К' в пространстве взаимодействия между замедляющей системой ЗС и «холод­ным» катодом ХК. Как видно, у ЛБВМ «холодный» катод находится в том мес­те, где в магнетронах расположен на-

Рис. 25.18. Принцип устройства плоской ЛБВ М-типа

каленный катод. Замедляющая система находится под постоянным положитель­ным потенциалом относительно этого катода. Поэтому на электронный поток действует поперечное постоянное элек­трическое поле напряженностью Е и постоянное магнитное поле с индукцией В. Двигаясь в этих скрещенных полях, электронный поток передает часть энер­гии электромагнитной волне, распрост­раняющейся от входа к выходу, т. е. про­исходит усиление. Для устранения воз­можности самовозбуждения в замедляю­щей системе находится поглотитель П.

Коэффициент полезного действия ЛБВМ при большом входном сигнале может быть 50 — 70%, а коэффициент усиления доходит до сотен. В непрерыв­ном режиме работы ЛБВМ имеет вы­ходную мощность до нескольких кило­ватт, а у импульсных ЛБВМ она может составлять несколько мегаватт. В насто­ящее время ЛБВМ используются глав­ным образом как мощные выходные усилители. Вариант устройства ЛБВМ цилиндрической конструкции показан схематически на рис. 25.19. На нем сохранены обозначения, бывшие на рис. 25.18.

Аналогично ЛБВМ устроены ЛОВМ, которые могут быть усилительными или генераторными. В этих лампах выход расположен вблизи накаленного катода. Электронный поток взаимодействует с волной, распространяющейся ему на­встречу. Усилительные ЛОВМ имеют вход и выход, а в генераторных ЛОВМ имеется только выход и около коллек­тора помещен поглотитель. Выходная мощность генераторных ЛОВМ при не­прерывной работе достигает нескольких десятков киловатт в дециметровом диа­пазоне и сотен ватт — в сантиметровом; КПД составляет 50 — 60%. Возможна электронная перестройка частоты путем изменения ускоряющего напряжения U.

25.6. АМПЛИТРОН И КАРМАТРОН

Представители приборов М-типа, со­четающие в известной степени принци­пы работы магнетрона и ЛОВМ,— амплитрон и карматрон. В отличие от ЛОВМ они имеют такой же накаленный цилиндрический катод, как и магнетрон.

Усилительный прибор амплитрон по­казан схематически на рис. 25.20. Он имеет замедляющую систему в виде цепочки резонаторов, но в отличие от магнетрона эта цепочка разомкнута и в анодном блоке образованы вход и выход. Чтобы устранить возможность самовозбуждения колебаний л-вида (как в магнетроне), в амплитроне делают обычно нечетное число резонаторов. Так же, как и в магнетроне, возникает замкнутое вращающееся электронное «облачко», которое взаимодействует с движущейся навстречу электромагнит­ной волной. При передаче энергии элект­ронов этой волне происходит усиление колебаний.

Рис. 25.20. Принцип устройства амплитрона

Рис. 25.19. Принцип устройства цилиндри­ческой ЛБВ М-типа

Амплитроны применяются в каче­стве усилителей сравнительно мощных сигналов; КПД амплитронов не менее 55%, а в мощных и сверхмощных при­борах достигает 85%. В непрерывном режиме амплитроны дают выходную мощность до 500 кВт, а в импульс­ном — 10 МВт и даже больше. Коэффи­циент усиления — десятки. Относитель­ная ширина полосы частот 5 — 10%. Анодное напряжение — единицы или де­сятки киловольт, а ток анода — десятки ампер.

Карматрон — прибор, предназначен­ный для генерации колебаний. Он име­ет такое же устройство, как и ампли­трон, но вместо входа — согласованную нагрузку. Выходная мощность и КПД такие же, как у амплитронов.

Для генерации более стабильных по частоте колебаний используют ампли­трон в сочетании с высокодобротным внешним резонатором, включенным на вход амплитрона, и некоторыми допол­нительными приборами. Получающееся при этом более сложное устройство названо стабилотроном. В нем генери­руются колебания с высокой стабиль­ностью частоты, причем возможна перестройка частоты примерно на 10%.

Мы познакомились с важнейшими типами электронных приборов СВЧ. Кроме них разработаны многие другие приборы, имеющие пока не такое широ­кое применение.

ГЛАВА ДВАДЦАТЬ ШЕСТАЯ

НАДЕЖНОСТЬ И ИСПЫТАНИЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

И ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ

26.1. НАДЕЖНОСТЬ И ИСПЫТАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

При правильной эксплуатации ис­правные полупроводниковые приборы имеют высокую надежность, характери­зующуюся интенсивностью отказов Х = = 10^-7-f-10^-8 ч^-1. Изображенная на рис. В.1 кривая интенсивности отказов в зависимости от времени для полу­проводниковых приборов имеет гори­зонтальный участок протяженностью в десятки тысяч часов. Такая надежность значительно выше, нежели у ЭВП.

Внезапные отказы у полупроводни­ковых приборов возникают главным об­разом за счет пробоя п — р-переходов, обрывов и коротких замыканий выводов. Эти отказы обычно составляют не бо­лее 20% всех отказов. Значительно чаще происходят постепенные отказы, которые у транзисторов бывают из-за постепенного уменьшения коэффициента усиления тока, увеличения начального обратного тока коллекторного перехода, увеличения коэффициента шума. Иногда наблюдается временная нестабильность параметров.

Наиболее часто снижается надеж­ность от перегрева. Повышение темпе­ратуры — главный «враг» полупроводни­ковых приборов. Поэтому надо всегда стремиться понижать температуру кор­пуса приборов, особенно мощных, ко­торые нагреваются наиболее сильно. В частности, следует по возможности эксплуатировать приборы в облегченном режиМе. Во многих случаях надежность можно существенно повысить с по­мощью добавочных теплоотводов. При­мер дополнительного радиатора, сделан­ного из полосок металла с отверстиями для транзистора или диода, приведен на рис. 26.1. Такой радиатор лучше всего делать из меди, алюминия или латуни, но можно использовать и сталь. Корпус транзистора или диода должен возможно более плотно прилегать к пластинам радиатора. Увеличение числа пластин усиливает охлаждение. Поверх ­

Рис. 26.1. Радиатор из металлических пла­стин для транзистора

ность радиатора желательно зачернить.

Вредно влияет на надежность полу­проводниковых приборов влага. Для борьбы с ней приборы помещают в герметичные корпуса, а сами полупро­водниковые кристаллы покрывают тон­ким слоем какой-либо защитной пленки.

Хотя механическая прочность и виб­ростойкость полупроводниковых прибо­ров велика, все же следует оберегать их от ударов и чрезмерных вибраций.

Ранее уже указывалось, что полупро­водниковые диоды и биполярные тран­зисторы отказывают под действием зна­чительного ионизирующего излучения. Зато туннельные диоды и полевые тран­зисторы обладают гораздо более высо­кой радиационной стойкостью.

Для обеспечения надежности полу­проводниковых приборов необходимо в процессе их эксплуатации соблюдать следующие правила:

1. Рабочие напряжения, токи и мощ-
ности не должны превышать максималь-
ных допустимых. Нельзя использовать
приборы в режиме, когда одновременно
два параметра достигают максимальных
допустимых значений.

2. Транзисторы не должны даже
короткое время работать с отключенной
базой. Для увеличения стабильности их
работы сопротивление цепи базы долж-
но быть минимальным.

3. Желательно снижать рабочую тем­пературу прибора. Если она на 10 °С ниже предельной, то число отказов сни­зится вдвое.

4. Рекомендуется защищать прибор от перенапряжений. Для этого могут применяться схемы стабилизации напря­жения питания. Недопустима подача питающих напряжений неправильной полярности.

5. Пайку выводов надо делать паяль­ником мощностью не выше 60 Вт не ближе 10 мм от корпуса в течение не более 5 с. При этом необходимо осу­ществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки, например зажав вывод плоскогубцами или пинцетом.

6. Изгиб выводов можно делать
не ближе 10 мм от корпуса.

7. Не следует располагать приборы вблизи нагревающихся деталей. Жела­тельно всегда обеспечить возможно луч­ший теплоотвод от корпуса прибора.

8. Не рекомендуется крепить прибо­ры только на выводах.

9. Недопустимо проверять полупро­водниковые приборы при помощи та­ких омметров, которые могут создавать в приборе опасные для него токи или напряжения.

10. Для МОП-транзисторов опасен
пробой диэлектрического слоя при воз-
никновении на затворе заряда статиче-
ского электричества. Поэтому затвор
должен быть всегда заземлен по посто-
янному току или соединен с корпусом
(непосредственно или через какой-либо
резистор).

Полупроводниковые приборы лучше всего проверять с помощью специальных испытателей, но часто приходится де­лать простейшую проверку и при от­сутствии таких испытателей.

Например, полупроводниковые дио­ды проще всего проверить омметром (авометром). Необходимо измерить пря­мое и обратное сопротивление диода. Нормальное прямое сопротивление сос­тавляет десятки ом у германиевых дио­дов и сотни ом у кремниевых. Обрат­ное сопротивление у германиевых дио­дов должно быть сотни килоом, а у кремниевых может достигать нескольких мегаом. У более мощных диодов прямое и обратное сопротивление соответствен­но меньше, нежели у маломощных. Вместо сопротивления возможно изме­рить прямой и обратный ток соответ­ственно с помощью миллиамперметра и микроамперметра. Для того чтобы эти приборы не вышли из строя при пробое диода, последовательно в цепь обязательно надо включить ограничи­тельный резистор. Его сопротивление определяется по закону Ома как R_0Tp = £//_тах, где Е — напряжение источ­

Рис. 26.2. Схемы для измерения начального коллекторного тока транзистора при обрыве цепи эмиттера (а) и при коротком замыка­нии базы с эмиттером (б)

ника и J_max — максимальный ток, на ко­торый рассчитан измерительный прибор. Если при такой проверке обнаружено, что сопротивление диода все время постепенно уменьшается (ток растет), то диод неисправен.

Простейшая проверка исправности и — р-переходов и отсутствия обрывов у транзистора производится омметром. Один зажим омметра подключают к базе, а другой — поочередно к эмиттеру и коллектору. В зависимости от поляр­ности напряжения на переходах омметр покажет либо прямое сопротивление (десятки ом), либо обратное (сотни килоом или даже единицы мегаом). Чтобы измерить и то и другое сопротив­ление переходов, надо повторить изме­рение, переключив зажимы омметра. При подобных проверках нельзя допус­кать, чтобы токи и напряжения в тран­зисторе превысили предельное значение.

Рассмотренная проверка еще не поз­воляет сделать заключение о возмож­ности нормальной работы транзистора в той или иной схеме. Поэтому не­обходимо убедиться в том, что началь­ные токи коллектора не превышают допустимых значений и что коэффици­ент усиления Р не ниже нормального.

Начальные токи измеряются по схе­мам, приведенным на рис. 26.2. Для предохранения микроамперметра вклю­чен ограничительный резистор, сопро­тивление которого рассчитывается так, как было указано. В простейшем случае измеряется только начальный ток кол­лектора /_к0. Для мощных транзисторов вместо микроамперметра применяется миллиамперметр. При измерении осо­бое внимание надо обратить на то, что постепенное возрастание начальных то­ков свидетельствует о неисправности транзистора.

Для измерения коэффициента усиле­ния Р можно в простейшем случае использовать схему, приведенную на рис. 26.3. В ней напряжение источника питания Е равно нескольким вольтам, а сопротивление в проводе базы Rq таково, что ток базы имеет какое-то нормальное для данного транзистора значение /_б. Можно считать, что R₆ «ж E/i₆. Если разделить значение тока коллектора /_к, измеряемого миллиампер­метром, на значение тока базы, то по­лучим приближенное значение Р, т. е. Р ~ h Ik или, заменив /_б на E/R₆, полу­чим Р ж i_KR₆/E. Например, если Е = = 4,5 В и /_б = 0,1 мА, то R₆ ж 4,5:0,1 = = 45 кОм. При токе /_к = 4 мА получим Р = 4:0,1 = 40. Погрешность такого из­мерения невелика, так как не учитыва­ется падение напряжения на эмиттерном переходе, которое составляет всего лишь десятые доли вольта, т. е. значительно меньше напряжения Е. Большая точ­ность в измерении параметра Р вообще не требуется, так как у транзисторов всегда наблюдается разброс параметров.,

Рекомендуют еще проверять работу транзистора в какой-либо схеме простей­шего генератора.

+ £ -

Рис. 26.3. Простейшая схема для измерения коэффициента усиления транзистора

Полевые транзисторы с п —р-перехо­дом надо проверять на проводимость канала между истоком и стоком и на исправность управляющего и —р-перехо­да. Последний испытывается так же, как и п — р-переходы в диодах или би­полярных транзисторах, при небольших напряжениях, допустимых для данного транзистора, чтобы не произошел про­бой перехода.

У МОП-транзисторов также прове­ряется проводимость канала и изоляция между затвором и каналом. При всех испытаниях затвор должен быть зазем­лен, чтобы не произошел пробой ди­электрического слоя. Для проверки ка­чества полевого транзистора необходи­мо измерить его крутизну — главный параметр. Это можно осуществить, оп­ределив по миллиамперметру изменение тока стока при изменении напряжения затвора. Изменяют напряжение, в част­ности, включением между затвором и истоком одного сухого элемента (1,5 В).

26.2. НАДЕЖНОСТЬ И ИСПЫТАНИЕ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ

В электровакуумных приборах вне­запные отказы происходят вследствие короткого замыкания между электро­дами, обрыва вводов, пробоя изоляции, трещин в стекле баллона и других явлений. Причины постепенных отказов заключаются в постепенных необрати­мых изменениях оксидного катода, при­водящих к ослаблению эмиссии, в утеч­ках между электродами, выделении га­зов из электродов и т. д.

Для электронных ламп характерна интенсивность отказов Ю^-5 ч^-1 и менее. Для обычных ламп и ламп с повышен­ной надежностью и долговечностью ин­тенсивность отказов различается при­мерно в 5 — 10 раз, а иногда и больше. Наименьшую надежность имеют мощ­ные генераторные, модуляторные и уси­лительные лампы, высоковольтные ке­нотроны и другие мощные приборы. Высокая надежность и долговечность приборов может быть обеспечена стро­гим соблюдением правил эксплуатации, изложенных в справочниках. Прежде всего нельзя допускать превышения пре­дельных значений тока, напряжения и мощности, а также температуры^ давле­ния и влажности окружающей среды, уровня ударных, вибрационных и других механических воздействий. Нельзя экс­плуатировать приборы в режимах, ког­да одновременно два параметра дости­гают предельных значений.

Перегрев приборов — одна из глав­ных причин отказов. Для повышения надежности прибор должен работать в режиме, создающем меньший нагрев. Повышение температуры даже на не­сколько градусов может иметь решаю­щее влияние на надежность. Важно обес­печить хороший отвод теплоты. Иногда целесообразно на сильно нагревающийся баллон надеть радиатор с несколькими ребрами (рис. 26.4), сделанный из по­лоски листового металла, например алю­миния, латуни или меди. Наружную поверхность такого радиатора следует зачернить для лучшего излучения. Ко­нечно, надо уменьшать нагрев и от внешних источников, например от других деталей или от солнечных лучей. Сле­дует иметь в виду, что большие дозы ионизирующего излучения могут отрица­тельно повлиять на нормальную ра­боту ламп. Надежность контактов в ламповой панели снижается в тропиче-ких условиях под влиянием плесени и высокой влажности. К снижению на­дежности могут привести следующие режимы:

наибольшее напряжение накала и ма­лый ток катода;

наименьшее напряжение накала и большой ток катода-;

наибольшая мощность, выделяемая на электродах, и большое сопротивле­ние цепи управляющей сетки;

наибольшая температура баллона при больших напряжениях электродов и малом токе катода.

Рис. 26.4. Радиатор из листового металла для лампы

Следует всячески ослаблять вибра­ции, удары и другие механические воз­действия на приборы. При работе при­

боров в условиях пониженного давле­ния ухудшается теплообмен, и в этом случае необходимо снижать предельную мощность, выделяемую на электродах. Повышение влажности может вызвать окисление и ухудшение контактов в лам­повых панелях, увеличение токов утеч­ки и даже пробой между выводами.

Приборы должны быть правильно укреплены. Указываемое в справочни­ках для многих приборов вертикальное рабочее положение необходимо, и это условие надо соблюдать. Во время пай­ки выводов сверхминиатюрных ламп надо обеспечивать теплоотвод между местом пайки и баллоном, например зажимая вывод плоскогубцами. Изгиб выводов разрешается делать не ближе 5 мм от баллона.

Строгое и неуклонное соблюдение всех указанных выше и приводимых в справочниках правил эксплуатации электровакуумных приборов является необходимым условием для того, чтобы они работали с высокой надежностью и долговечностью.

При нарушении нормальной рабо­ты РЭА поиски неисправности во мно­гих случаях следует начинать с про­верки ламп, так как наиболее часто от­казы бывают именно в них. Существу­ют специальные испытатели, с по­мощью которых можно проверить при-емно-усилительные лампы различных типов. Правила работы с такими испы­тателями изложены в инструкциях. Но если испытателя нет, то надо пользо­ваться более простыми способами. Один из них заключается в том, что прове­ряемая лампа вставляется на соответ­ствующее место в другое, исправно работающее устройство. Тогда о каче­стве лампы можно судить по работе данного устройства.

Необходимо также уметь проверять лампы и без помощи радиоаппаратуры. Проверка целости подогревателя или катода прямого накала, а также от­сутствия замыканий между электродами производится с помощью омметра. Можно применить и простейший испы­татель (пробник), состоящий из последо­вательно соединенных источника тока (например, сухого элемента) и вольт­метра. Вместо последнего можно приме­нить миллиамперметр с добавочным резистором, или головной телефон, или лампочку накаливания.

Эмиссию катода проверяют по схе­ме, приведенной на рис. 26.5. Подается нормальное напряжение накала, все сет­ки соединяются с анодом и работают как один анод, а напряжение источника питания анодной цепи должно быть не более 15 В. В анодную цепь включен миллиамперметр, который при наличии эмиссии катода покажет ток. Миллиам­перметр можно заменить вольтметром. Если заранее проверить таким способом исправную, лампу, то по отклонению стрелки измерительного прибора можно будет судить об интенсивности эмиссии катода любой другой лампы данного типа, Подобная проверка возможна и без анодного источника, если присоеди­нить анодную цепь к плюсу батареи накала, но в этом случае ток анода будет значительно меньше.

Для того чтобы проверить выводы электродов на отсутствие обрывов, надо в схеме на рис. 26.5 поочередно вклю­чать миллиамперметр в разрыв провода от каждого электрода (на схеме места включения показаны косыми крестика­ми). При отсутствии обрыва вывода прибор покажет наличие тока в проводе данного электрода.

Рис. 26.5. Простейшая схема для проверки выводов лампы и эмиссии катода

Поскольку главный параметр усили­тельных ламп крутизна, то весьма же­лательна ее проверка. Если крутизна имеет нормальное значение, то, как пра­вило, лампа исправна. Для определения крутизны на электроды подают номи­нальные питающие напряжения (при этом, конечно, нельзя превышать пре­дельные токи и мощности). В анодной

цепи должен быть миллиамперметр. Из­менив напряжение управляющей сетки на 1 или 1,5 В, например включив в цепь сетки один сухой элемент, заме­чают изменение анодного тока. По этим данным легко находят крутизну. Другой способ состоит в том, что в анодную цепь дополнительно включают резистор нагрузки с небольшим сопротивлением (например, 100 Ом), а на управляющую сетку подают синусоидальное перемен­ное напряжение, значение которого из­вестно. Усиленное напряжение на ре­зисторе нагрузки измеряют. Разделив его на сопротивление резистора, полу­чают значение переменного анодного тока. После этого уже легко определить крутизну.

Ионные приборы тлеющего разря­да, т. е. неоновые лампы, стабилитроны, тиратроны, знаковые индикаторы и дру­гие, следует проверять по напряжению возникновения разряда и появленцю све­чения. При этом необходимо включать ограничительный резистор, чтобы тлею­щий разряд не перешел в дуговой. Поскольку ток приборов тлеющего раз­ряда обычно составляет несколько мил­лиампер, то сопротивление ограничи­тельного резистора можно всегда ориен-

1. Аксененко М. Д., Бараночников М. Л., Смолин О. В. Микроэлектронные фотоприем­ные устройства. М.: Энергоатомиздат, 1984.

2. Никулин И. М., Викулина Л. Ф., Ста-феев В. И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983.

3. Денискин Ю. Д., Жигарев А. А., Смир­нов Л. П. Электронные приборы. М.: Энер­гия, 1980.

4. Джолли У. П. Криоэлектроника. М.: Мир, 1975.

5. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбу­нов Ю. И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987.

6. Жигарев А. А., Шамаева Г. Г. Элек­тронно-лучевые и фотоэлектронные приборы. М.: Высшая школа, 1982.

7. Квантовая электроника. Маленькая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1969.

8. Коган Л. М. Полупроводниковые све-
тировочно рассчитать по закону Ома: взять для примера ток 2 — 3 мА и раз­делить разность между напряжением источника и рабочим напряжением дан­ного прибора на это значение тока.

* * *

Электроника развивается быстрыми темпами. Разрабатываются новые при­боры для более высоких частот, мощ­ностей, температур, причем возможно меньших размеров. Большое внимание уделяется повышению надежности, дол­говечности, стабильности, механической прочности, температуростойкости и ра­диационной стойкости. Особенно быстро развивается микроэлектроника и кванто­вая электроника. Ряд специальных на­правлений электроники получает все более широкое применение.

Многие направления современной электроники являются результатами вы­дающихся достижений физики твердого тела и квантовой физики. Несомненно, что в области электроники произойдет еще много интереснейших открытий, которые будут содействовать научно-техническому прогрессу.

СПИСОК

РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

тоизлучающие диоды. М.: Энергоатомиздат, 1983.

9. Красильников В. А., Крылов В. В. По-
верхностные акустические волны. М.: Знание,
1985.

10. Лавриненко В. В. Пьезоэлектриче­ские трансформаторы. М.: Энергия, 1975.

11. Морозов А. И., Проклов В. В., Стаи-ковский Б. А. Пьезоэлектрические преобра­зователи для радиоэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1981.

12. Морозова И. Г. Физика электрон­ных приборов. М.: Атомиздат, 1980.

13. Мочалов В. Д. Магнитная микро­электроника. М.: Советское радио, 1977.

14. Носов Ю. Р. Оптоэлектроника. М.: Советское радио, 1977.

15. Носов Ю. Р., Сидоров А. С. Оптроны и их применение. М.: Радио и связь, 1981.

16. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полу­проводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987.

17. Речицкий В. И. Акустоэлектронные

радиокомпоненты. М.: Радио и связь, 1987. 22. Тарасов Л. В. Лазеры и их примене-

18. Справочник по элементам радиоэлек- ние. М.: Радио и связь, 1983.

20. Степаненко И. П. Основы теории 24. Трейер В. В. Электрохимические при-
транзисторов и транзисторных схем.-4-е боры. М.: Советское радио, 1978.

изд. М.: Энергия, 1977.

21. Стрижевский И. В., Дмитриев В. И., ²⁵- Федотов Я. А. Основы физики полу-
Финкельштейн Э. Б. Хемотроника. М.: Hay- проводниковых приборов. - 2-е изд. М.: Со-
ка 1974. ветское радио, 1969.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие................................................................................................................................... 3

Введение.................................................................................................................................................. 4

8.1. Электроника в народном хозяйстве.................................................................................. —

8.2. Краткие сведения по истории электроники......................................................................... 5

8.3. Требования к электронным элементам РЭА...................................................................... 9

8.4. Полупроводниковые приборы в электронике.................................................................. 11

8.5. Движение электронов в однородном электрическом поле.............................................. 13

8.6. Движение электронов в неоднородном электрическом поле.......................................... 16

8.7. Движение электронов в однородном магнитном поле..................................................... 17

РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, МИК-
РОЭЛЕКТРОНИКА И СПЕЦИАЛЬНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕК-
ТРОНИКИ................................................................................................................................... 19

ГЛАВА ПЕРВАЯ. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.............................

1.1. Электроны в твердых телах....................................................................................... _

1.2. Собственная электронная и дырочная электропроводность. Ток дрейфа 21

1.3. Примесная электропроводность................................................................................ 26

1.4. Диффузия носителей заряда в полупроводниках............................................................. 29

Дата добавления: 2015-05-06