КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Кристалл CdS 22 страница
ГЛАВА ВТОРАЯ. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ И МЕТАЛЛОПОЛУПРОВОДНИ- КОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ............................................................................................................................ 31 2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения... — 2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении....................................... 33 2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении.................................... 35 2.4. Переход металл— полупроводник............................................................................ 37 ГЛАВА ТРЕТЬЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ......................................................... 38 3.1. Вольт-амперная характеристика................................................................................ — 3.2. Емкость........................................................................................................................ 40 3.3. Температурные свойства............................................................................................ 42 3.4. Рабочий режим......................................................................................................... — 3.5. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока 44 3.6. Последовательное и параллельное соединение......................................................... 50 3.7. Импульсный режим.................................................................................................... 51 3.8. Основные типы............................................................................................................ 52 ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ....................................................... 59 4.1. Общие сведения........................................................................................................... — 4.2. Физические процессы.................................................................................................. 60 4.3. Усиление с помощью транзистора............................................................................. 65 4.4. Основные схемы включения-.................................................................................. 67 4.5. Схемы питания и стабилизации режима.................................................................... 71 4.6. Транзистор в усилительных каскадах и в генераторе............................................... 74
ГЛАВА ПЯТАЯ. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАН- 5.1. Характеристики.... *............................................................. — 5.2. Параметры и эквивалентные схемы.......................................................................... 82 ГЛАВА ШЕСТАЯ. РАБОЧИЙ РЕЖИМ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ... 89 6.1. Расчет рабочего режима............................................................................................. — 6.2. Влияние температуры......................................................................................................... 95 6.3. Частотные свойства............................................................................................................. 97 6.4. Импульсный режим............................................................................................................ 99 6.5. Преобразование частоты полупроводниковыми приборами......................................... 101 6.6. Собственные шумы транзисторов и диодов.................................................................... 105 6.7. Основные типы биполярных транзисторов..................................................................... 108 ГЛАВА СЕДЬМАЯ. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.................................................................. 114 7.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом.......................................................... — 7.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором........................................................ 120 ГЛАВА ВОСЬМАЯ. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 123 8.1. Тиристоры.......................................................................................................................... — 8.2. Туннельные диоды.................................................................................................... 128 8.3. Полупроводниковые диоды для СВЧ..................................................................... 133 8.4. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна.............................................................. 136 8.5. Приборы с гетерогенными переходами................................................................... 138 8.6. Однопереходный транзистор.................................................................................... — 8.7. Полупроводниковые резисторы............................................................................... 139 8.8. Приборы на аморфных полупроводниках..................................................................... 140
8.9. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы................................................ 141 8.10. Термоэлектрические полупроводниковые приборы............................................... 141 ГЛАВА ДЕВЯТАЯ. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА................................................................................ 143 9.1. Общие сведения................................................................................................................... — 9.2. Пленочные и гибридные интегральные схемы.......................................................... 144 9.3. Полупроводниковые интегральные схемы............................................................... 147 9.4. Интегральные схемы на приборах с зарядовой связью и с инжекционным 9.5. Интегральные схемы для СВЧ _...................................................................................... 161 9.6. Надежность интегральных схем....................................................................................... 163 ГЛАВА ДЕСЯТАЯ. ПЬЕЗОЭЛЕКТРОНИКА И АКУСТОЭЛЕКТРОНИКА.... 10.1. Физические основы пьезоэлектроники............................................................................ — 10.2. Приборы пьезоэлектроники........................................................................................... 164 10.3. Физические основы акустоэлектроники........................................................................ 166 10.4. Приборы акустоэлектроники.......................................................................................... 167 ГЛАВА ОДИННАДЦАТАЯ. МАГНИТОЭЛЕКТРОНИКА.......................................................... 169 11.1. Гистерезисные магнитные элементы........................................................................ — 11.2. Цилиндрические магнитные домены.............................................................................. 171 11.3. Преобразователи Холла.................................................................................................. 173 11.4. Магниторезисторы........................................................................................................... 174 11.5. Магнитодиоды................................................................................................................... — 11.6. Магнитотранзисторы и магнитотиристоры.................................................................... 175 ГЛАВА ДВЕНАДЦАТАЯ. КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА.................................................. 176 12.1. Физические основы.............................................................................................. • — 12.2. Принцип работы лазера............................................................................................. 177 12.3. Свойства лазерного излучения................................................................................. 178 12.4. Основные типы лазеров.................................................................................................. 179
12.5. Применение лазерного излучения.................................................................................. 182 12.6. Мазеры............................................................................................................................. 183 12.7. Квантовые парамагнитные СВЧ-усилители................................................................... 184 ГЛАВА ТРИНАДЦАТАЯ. ОПТОЭЛЕКТРОНИКА................................................................. 186 13.1. Общие сведения........................................................................................................ — 13.2. Фоторезисторы.......................................................................................................... — 13.3. Фотодиоды................................................................................................................ 187 13.4. Фотоэлементы................................................................................................................. 188 13.5. Фототранзисторы............................................................................................................ 189 13.6. Фототиристоры............................................................................................................... 191 13.7. Светоизлучающие диоды............................................................................................ 192 13.8. Оптроны.......................................................................................................................... 194 ГЛАВА ЧЕТЫРНАДЦАТАЯ. КРИОЭЛЕКТРОНИКА, ХЕМОТРОНИКА, МОЛЕ- 14.1. Криоэлектроника.............................................................................................................. — 14.2. Хемотроника.............................................................................................................. 200 14.3. Молекулярная электроника...................................................................................... 203
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ..................................................... 206 ГЛАВА ПЯТНАДЦАТАЯ. ПРИНЦИП УСТРОЙСТВА И РАБОТЫ ЭЛЕКТРО- 15.1. Общие сведения, классификация..................................................................................... — 15.2. Устройство и работа диода............................................................................................. 207 15.3. Устройство и работа триода........................................................................................... 209 15.4. Электронная эмиссия..................................................................................................................................................................................................... — 15.5. Термоэлектронные катоды............................................................................................. 211
15.6. Особенности устройства электронных ламп................................................................. 215
ГЛАВА ШЕСТНАДЦАТАЯ. ДВУХЭЛЕКТРОДНЫЕ ЛАМПЫ............................................ 218 16.1. Физические процессы............................................................................................... — 16.2. Закон степени трех вторых....................................................................................... 220 16.3. Анодная характеристика........................................................................................... — 16.4. Параметры................................................................................................................. 221 16.5. Рабочий режим. Применение диода для выпрямления переменного тока 222 16.6. Основные типы.......................................................................................................... 223 ГЛАВА СЕМНАДЦАТАЯ. ТРЕХЭЛЕКТРОДНЫЕ ЛАМПЫ................................................ 224 17.1. Физические процессы........................................................................................................ — 17.2. Токораспределение....................... -................................................................................. 226 17.3. Действующее напряжение и закон степени трех вторых................................................ — 17.4. Характеристики............................................................................................................... 227 17.5. Параметры....................................................................................................................... 230 ГЛАВА ВОСЕМНАДЦАТАЯ. РАБОЧИЙ РЕЖИМ ТРИОДА............................................... 235 18.1. Особенности..................................................................................................................... — 18.2. Усилительный каскад с триодом................................................................................ 236 18.3. Параметры усилительного каскада.............................................................................. 240 18.4. Аналитический расчет и эквивалентные схемы усилительного каскада 242 18.5. Графоаналитический расчет режима усиления............................................................ 244 18.6. Генератор с триодом..................................................................................................... 247 18.7. Межэлектродные емкости.............................................................................................. — 18.8. Каскады с общей сеткой и общим анодом................................................................... 249 18.9. Недостатки триодов........................................................................................................ — 18.10. Основные типы приемно-усилительных триодов 250 ГЛАВА ДЕВЯТНАДЦАТАЯ. МНОГОЭЛЕКТРОДНЫЕ И СПЕЦИАЛЬНЫЕ ЛАМПЫ......................................................................................................................................... 251 19.1. Устройство и работа тетрода.......................................................................................... — 19.2. Устройство и работа пентода.. *................................................................. 254 19.3. Схемы включения тетродов и пентодов................................................................ 19.4. Характеристики тетродов и пентодов............................................................ 256 19.5. Параметры тетродов и пентодов................................................................................... 257 19.6. Межэлектродные емкости тетродов и пентодов.......................................................... 258 19.7. Устройство и работа лучевого тетрода........................................................,.. 259 19.8. Характеристики и параметры лучевого тетрода................................................... 19.9. Рабочий режим тетродов и пентодов..................................................................... 260
19.10. Пентоды переменной крутизны.............................................................................. 262 19.11. Краткие сведения о различных типах тетродов и пентодов................................. - 19.12. Специальные лампы....................................................................................................... 263 ГЛАВА ДВАДЦАТАЯ. ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТРУБКИ............................................... 264 20.1. Общие сведения.................................................................................................................... - 20.2. Электростатические электронно-лучевые трубки.............................................................. - 20.3. Магнитные электронно-лучевые трубки........................................................................ 275 20.4. Люминесцентный экран................................................................................................... 278 20.5. Краткие сведения о различных электронно-лучевых трубках..................................... 281 ГЛАВА ДВАДЦАТЬ ПЕРВАЯ. ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ И ИНДИКАТОРНЫЕ ПРИ- 284 БОРЫ............................................................................................................................................. 21.1. Электрический разряд в газах........................................................................................... — 21.2. Тлеющий разряд............................................................................................................... 287 21.3. Стабилитроны................................................................................................................... 291 21.4. Тиратроны тлеющего разряда......................................................................................... 295 21.5. Индикаторные приборы................................................................................................... 298 21.6. Дисплеи....................................................................................................................... 301 21.7. Краткие сведения о различных газоразрядных приборах...................................... 303 ГЛАВА ДВАДЦАТЬ ВТОРАЯ. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ................................ 304 22.1. Фотоэлектронная эмиссия........................................................................................ — 22.2. Электровакуумные фотоэлементы.......................................................................... 305 22.3. Фотоэлектронные умножители................................................................................ 307 ГЛАВА ДВАДЦАТЬ ТРЕТЬЯ. СОБСТВЕННЫЕ ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП 308 23.1. Причины собственных шумов.................................................................................. — 23.2. Шумовые параметры................................................................................................ 309 ГЛАВА ДВАДЦАТЬ ЧЕТВЕРТАЯ. ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП НА СВЧ....................................................................................................................... 311 24.1. Межэлектродные емкости и индуктивности выводов............................................ _ 24.2. Инерция электронов.................................................................................................. 312 24.3. Наведенные токи в цепях электродов...................................................................... 313 24.4. Входное сопротивление и потери энергии............................................................... 316 24.5. Импульсный режим.................................................................................................. 320 24.6. Основные типы электронных ламп для СВЧ.......................................................... 321 ГЛАВА ДВАДЦАТЬ ПЯТАЯ. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ СВЧ........................................................................................................................................ 323 25.1. Общие сведения......................................................................................................... — 25.2. Пролетный клистрон........................................................................................................ 324 25.3. Отражательный клистрон................................................................................................ 328 25.4. Магнетрон......................................................................................................................... 331 25.5. Лампы бегущей и обратной волны................................................................................. 337 25.6. Амплитрон и карматрон.................................................................................................. 342 ГЛАВА ДВАДЦАТЬ ШЕСТАЯ. НАДЕЖНОСТЬ И ИСПЫТАНИЕ ПОЛУПРО- 26.1. Надежность и испытание полупроводниковых приборов...................................... _ 26.2. Надежность и испытание электровакуумных приборов......................................... 346 Список рекомендуемой литературы............................................................................................. 348 [1] В литературе иногда ошибочно показывают, что за пределами поля электроны движутся по криволинейным траекториям.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 373; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |