Нормальный активный режим

Схема включения с общей базой

Усилитель с общей базой.

Среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.

Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх=I_к/I_э=α [α<1]

Входное сопротивление R_вх=U_вх/I_вх=U_бэ/I_э.

Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства:Хорошие температурные и частотные свойства. Высокое допустимое напряжение

Недостатки схемы с общей базой:Малое усиление по току, так как α < 1 Малое входное сопротивление Два разных источника напряжения для питания.

[править] Схема включения с общим эмиттером

I _вых = I _к I _вх = I _б U _вх = U _бэ U _вых = U _кэ

Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх=I_к/I_б=I_к/(I_э-I_к) = α/(1-α) = β [β>>1]

Входное сопротивление: R_вх=U_вх/I_вх=U_бэ/I_б

Достоинства:Большой коэффициент усиления по току Большой коэффициент усиления по напряжению Наибольшее усиление мощности Можно обойтись одним источником питания

Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки: Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой

Схема с общим коллектором

I _вых = I _э I _вх = I _б U _вх = U _бк U _вых = U _кэ

Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх=I_э/I_б=I_э/(I_э-I_к) = 1/(1-α) = β [β>>1]

Входное сопротивление: R_вх=U_вх/I_вх=(U_бэ+U_кэ)/I_б

Достоинства: Большое входное сопротивление Малое выходное сопротивление

Недостатки:Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.

Переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт)
U_ЭБ>0;U_КБ<0;

[править]Инверсный активный режим

Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое.

[править]Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты).

[править]Режим отсечки

В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты).

[править]Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам транзисторов

8

Каждый h - параметр имеет определенный физический смысл. Так, параметр h ₁₁ - это сопротивление, через которое течет входной ток i ₁ благодаря приложенному к нему напряжению u ₁; h ₁₂ - это параметр обратной передачи, он определяет, какая часть выходного напряжения передается во входную цепь; h ₂₁ - это параметр прямой передачи тока, он показывает, как передается в выходную цепь изменение тока во входной цепи; h ₂₂ - это проводимость, через которую течет выходной ток в результате приложенного выходного напряжения.

10 Основная схема тиристорной структуры показана на рис. 1. Она представляет собой четырёхслойный полупроводник структуры p-n-p-n, содержащий три последовательно соединённых p-n -перехода J1, J2, J3. Контакт к внешнему p -слою называется анодом, к внешнему n -слою — катодом. В общем случае p-n-p-n -прибор может иметь до двух управляющих электродов (баз), присоединённых к внутренним слоям. Подачей сигнала на управляющий электрод производится управление тиристором (изменение его состояния). Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором ^[1] (иногда просто тиристором, хотя это не совсем правильно). В зависимости от того, к какому слою полупроводника подключён управляющий электрод, тринисторы бывают управляемыми по аноду и по катоду. Наиболее распространены последние.

Описанные выше приборы бывают двух разновидностей: пропускающие ток в одном направлении (от анода к катоду) и пропускающие ток в обоих направлениях. В последнем случае соответствующие приборы называются симметричными (так как их ВАХ симметрична) и обычно имеют пятислойную структуру полупроводника. Симметричный тринистор называется также симистором или триаком (от англ. triac). Следует заметить, что вместо симметричных динисторов, часто применяются их интегральные аналоги, обладающие лучшими параметрами.

Тиристоры, имеющие управляющий электрод, делятся на запираемые и незапираемые. Незапираемые тиристоры, как следует из названия, не могут быть переведены в закрытое состояние с помощью сигнала, подаваемого на управляющий электрод. Такие тиристоры закрываются, когда протекающий через них ток становится меньше тока удержания. На практике это обычно происходит в конце полуволны сетевого напряжения\

Дата добавления: 2015-05-06