КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
ВВЕДЕНИЕ. Цель работы: Изучение выпрямительных схем на полупроводниках
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Цель работы: Изучение выпрямительных схем на полупроводниках. Практическая проверка свойств выпрямителей, работающих на активную нагрузку. Изучение действия простейшего фильтра для сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения.
Оборудование: РНШ, амперметры, вольтметры, ваттметр, полупроводниковые диоды, реостат, конденсатор, осциллограф, ключи.
При контакте полупроводников различных типов проводимости на границе раздела возникает диффузионное перемещение основных носителей зарядов из одного полупроводника в другой, с последующей их рекомбинацией. В результате за счёт оставшихся в приграничном слое неосновных носителей заряда этот слой n-полупроводника заряжается положительно, а p-полупроводника – отрицательно. Это приводит к возникновению контактного электрического поля Ек, которое препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок из одного полупроводника в другой. В результате на границе раздела полупроводников образуется слой, обеднённый основными носителями заряды, который называется запорным слое, или p-n-переходом. Если к p-n-переходу подключить внешний источник тока, в полярности показанной на рис. 5.1 а), называемой обратной, то его напряжение вызовет появление внешнего поля Ев, совпадающего по направлению с полем Ек. В результате “ширина” запорного слоя возрастёт, и тока в цепи за счёт основных носителей заряда не будет. Возможен лишь незначительный обратный ток Iобр за счёт движения не основных носителей заряда. При включении напряжения прямой полярности (рис. 5.1б) внешнее поле Ев противоположено полю Ек. Ширина запорного слоя уменьшается, что приводит к уменьшению его сопротивления. В этом случае в цепи возникает прямой ток Iпр_, обусловленный движением основных носителей заряда.
Таким образом, p-n-переход обладает ярко выраженной односторонней проводимостью. Одностороннюю проводимость p-n-перехода широко используют для выпрямления переменного тока. Устройства. работающие на этом принципе и преобразующие переменный ток в постоянный называют полупроводниковыми диодами (винтелями). Существует много различных схем выпрямления. Наиболее распространёнными являются однополупериодная и двухполупериодная схемы. Однако эти схемы позволяют получить выпрямленное, но пульсирующее напряжение. Для уменьшения пульсаций (сглаживания) применяют так называемые сглаживающие фильтры. В простейшем случае роль сглаживающего фильтра выполняет конденсатор, обычно большой ёмкости, включенный параллельно нагрузке. При нарастании импульсов выпрямленного напряжения конденсатор заряжается, а при их убывании разряжается. Тем самым сглаживаются колебания выпрямленного напряжения.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 406; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |