КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Указания к составлению отчета
|
|
|
|
Задание к работе в лаборатории
ГИМС, используемые в работе
Литература
1 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008, с.155-216.
2 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 274-280.
3 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998, с.201-214.
4 Савиных В.Л. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ. 2009
В лабораторной работе используются ГИМС серии К217. Исследуются микросхемы К217ЛБ2, К217ЛБ3, К217ЛБ4, К217ТР1 и К217ТК1. Принципиальные схемы приведены на рисунках 1-5.
5.1 Записать тип исследуемой микросхемы согласно заданного варианта.
5.2 Извлечь файл " ГИМС" из папки "Электроника" и выбрать топологию соответствующей ИМС.
5.3 Используя принципиальную схему, найти и обозначить её элементы на топологическом чертеже.
5.4 Для заданного варианта резистора Rm (таблица 1) определить его длину lm и ширину bm, а затем рассчитать коэффициент формы Кфm=lmbm. Результаты представить в соответствии с таблицей 2.
Таблица 1- Варианты заданий
| № вар | Тип ГИМС | Rm | Величина Rm, Ом | Rn | № вар | Тип ГИМС | Rm | Величина Rm, Ом | Rn |
| ЛБ2 | R1 | R5 | ЛБ4 | R3 | R9 | ||||
| ЛБ2 | R2 | R5 | ТР1 | R1 | R7 | ||||
| ЛБ2 | R3 | R5 | ТР1 | R2 | R8 | ||||
| ЛБ2 | R4 | R5 | ТР1 | R3 | R7 | ||||
| ЛБ3 | R1 | R3 | ТР1 | R4 | R8 | ||||
| ЛБ3 | R1 | R4 | ТК1 | R1 | R7 | ||||
| ЛБ4 | R1 | R7 | ТК1 | R2 | R8 | ||||
| ЛБ4 | R2 | R8 | ТК1 | R3 | R7 |
Таблица 2- Вариант №....., (тип микросхемы)
| Rm, Ом | lm | bm | КФm | RS, Ом | ln | bn | КФn, | Rn, Ом (расч) | Rn, Ом (измер) |
5.5 Используя коэффициент формы, рассчитать удельное сопротивление пленки Rs=RmKфm.
5.6 Определить длину ln и ширину bn резистора Rn, рассчитать Кфn, а затем величину его сопротивления Rn= Кфn× Rs.
5.7 Измерить при помощи омметра величину сопротивления Rn и сравнить ее с расчетной.
6.1 Привести принципиальную схему и чертеж топологии ГИМС с обозначением всех элементов и компонентов.
6.2 Результаты исследований по форме таблицы 2.
Рисунок 1- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ2
Рисунок 2- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ3
Рисунок 4- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ4
Рисунок 3- Принципиальная схема ГИМС К217ТР1
Рисунок 5- Принципиальная схема ГИМС К217ТК1
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводниковых интегральных микросхем
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводниковых интегральных микросхем (ППИМС) и её элементов.
|
|
|
|
|
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 911; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!