Схемы исследования. Схема исследования статических характеристик биполярного транзистора типа n-p-n, включенного по схеме «ОБ»

Схема исследования статических характеристик биполярного транзистора типа n-p-n, включенного по схеме «ОБ», представлена на рис. 2.14, а по схеме «ОЭ» - на рис. 2.15. Каждая из этих схем собирается поочередно в левом нижнем квадранте монтажного шасси с использованием комплекта соединительных проводов.

2Т602А

ММ-1 “V=” 2В ^{A mA com V}    

ММ-2 “A=” 200mA ^{A mA com V}    

ММ-4 “V=” 20B ^{A mA com V}

ММ-3 “A=” 200mA ^{A mA com V}    

Э К

Б

Рис. 2.14. Схема исследования статических характеристик биполярного транзистора 2Т602А, включенного по схеме «ОБ».

2Т602А

ММ-1 “V=” 2B ^{A mA com V}    

ММ-2 “A=” 20mA ^{A mA com V}    

ММ-4 “V=” 20B ^{A mA com V}

ММ-3 “A=” 200mA ^{A mA com V}    

К

Б

Э

Рис. 2.15. Схема исследования статических характеристик биполярного транзистора 2Т602А, включенного по схеме «ОЭ».

Напряжения питания подаются с гнезд источников стабилизированных напряжений: Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляются с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.

Дата добавления: 2015-05-06