Исследование биполярных транзисторов

Контрольные вопросы

Содержание отчета

Обработка результатов измерений

По результатам измерений необходимо построить следующие графики:

1. Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа, т.е. зависимости Iс = ƒ(Uси) при Uзи = 0; 0,2; 0,4; 0,6 В.

2. Семейство характеристик управления полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа, т.е. зависимости Iс = ƒ(Uзи) при Uси = -2,0; -4,0; -6,0 В.

3. Семейство выходных характеристик МДП–транзистора с индуцированным (обогащенным) каналом p-типа, т.е. зависимости Iс = ƒ(Uси) при Uзи = -3,0; -4,0; -5,0 В.

4. Семейство характеристик управления МДП–транзистора с индуцированным (обогащенным) каналом p-типа, т.е. зависимости Iс = ƒ(Uзи) при Uси = -2,0; -4,0; -6,0 В.

5. На семействах выходных характеристик каждого транзистора выбрать рабочую точку в режиме насыщения и рассчитать их дифференциальные параметры: S; Ri и μ.

Отчет должен содержать:

· Наименование и цель работы;

· Схемы измерений;

· Таблицы измеренных данных;

· Графики статических характеристик исследованных полупроводниковых приборов;

· Рассчитанные значения дифференциальных параметров исследованных полупроводниковых приборов: крутизны характеристики управления S = Δ Iс / Δ Uзи при Uси = const; дифференциального выходного (внутреннего) сопротивления Ri = Δ Uси / Δ Iс при Uзи = const; коэффициента усиления μ = S Ri.

· Краткие выводы по результатам проделанной работы.

1. Опишите устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

2. Объясните выходные и управляющие характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа.

3. Опишите устройство и принцип действия МДП–транзистора с индуцированным (обогащенным) каналом. Как образуется индуцированный канал в МДП–транзисторе и почему происходит инверсия электропроводности?

4. Объясните выходные и управляющие характеристики МДП–транзистора с индуцированным (обогащенным) каналом p-типа.

5. Назовите основные разновидности МДП–транзисторов. Чем отличаются их характеристики?

6. Перечислите дифференциальные параметры полевых транзисторов. Каков их физический смысл? Как их определяют по статическим характеристикам?

7. Нарисуйте схемы включения различных типов полевых транзисторов с общим истоком.

Лабораторная работа № 2

Цель работы: изучение принципа действия, исследование статических характеристик и определение дифференциальных параметров биполярных транзисторов, включенных по схемам: общая база (ОБ) и общий эмиттер (ОЭ) .

Дата добавления: 2015-05-06