Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Устройство светодиода




Полупроводниковые источники света

Полупроводниковый излучатель — это оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию электромагнитного излучения в область видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой части спектра. К данному классу приборов относятся:

инфракрасные излучающие диоды;

светоизлучающие диоды;

полупроводниковые знаковые индикаторы;

полупроводниковые шкалы;

полупроводниковые экраны;

электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели. Рассмотрим более подробно некоторые из этих приборов.

В светодиодах преобразование электрической энергии в видимый свет — оптическое излучение — происходит при обычных температурах за счет свойств pn-перехода. В основе явления свечения светодиода лежит явление люминесценции.

Процесс люминесценции включает в себя два этапа. На первом этапе происходит генерация подвижных носителей заряда, накопление энергии.

На втором этапе возникает рекомбинация, в результате которой в окружающее пространство излучается энергия, затраченная на генерацию.

Для того чтобы излучаемая энергия имела спектральный состав в области видимого света, требуется подобрать соответствующий материал излучающих структур.

Для получения излучения в области видимого света используют материалы с большой шириной запрещенной зоны: фосфид галлия, карбид кремния, арсенид галлия и др.

В светодиодах применяют инжекционную люминесценцию, при которой рn-переход находится под прямым напряжением ипр, в результате чего происхо­дит инжекция основных носителей из одной области в другую.

 

В светодиодах излучающей является только одна область, поэтому стремятся получить максимальную инжекцию в эту область. Если излучающей является р-область, то концентрация примеси в я-области должна быть гораздо выше, чем в излучающей области, в данном случае р-области. В р-области происходит рекомбинация носителей с выделением в окружающее пространство видимого света (электромагнитного излучения).,

На рис. 10. показана конструкция плоскостного светодиода. При приложении прямого напряжения II к рп-переходу происходит диффузионный перенос носителей через него. Увеличивается инжекция дырок в п-область и электронов в р-область. Прохождение тока через рп-переход в прямом на правлении сопровождается рекомбинацией инжектированных неосновных носителей заряда. Рекомбинация происходит как в самом рn-переходе..

В большинстве полупроводников рекомбинация осуществляется через примесные центры (ловушки), энергетические уровни которых располагаются вблизи середины запрещенной зоны, и сопровождается выделением тепловой энергии — фонола. Такая рекомбинация называется безызлучательной. В ряде случаев процесс рекомбинации сопровождается выделением кванта света — фотона. Это происходит в полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны — прямозонных полупроводниках. Электроны с более высоких энергетических уровней зоны проводимости переходят на более низкие энергетические уровни валентной зоны {переход зона-зона), при рекомбинации происходит выделение фотонов и возникает некогерентное оптическое излучение..

 
 

 


Рисунок 10. Структурная схема светодиода.

 

Фотон, испущенный при переходе электрона, может вызвать индуцированное излучение идентичного фотона, при котором еще один электрон перейдет в валентную зону. Яркость свечения светодиода примерно пропорциональна числу зарядов, инжектированных рп-переходом. Желательно, чтобы количество инжектированных носителей было максимально в излучающей (активной) р-области. Для этого в п-область вводят больше донорной примеси, чем в р-область акцепторной. Преобладает инжекция электронов из n-области в р-область, и излучает р-область. Из-за относительно большой ширины запрещенной зоны исходного полупроводника рекомбинационный ток рn-перехода оказывается большим по сравнению с током инжекции, особенно при малых прямых напряжениях, и процесс рекомбинации в этом случае реализуется в основном в рn-переходе. Достоинства светодиодов:

высокий КПД преобразования электрической энергии в световую энергию;

сравнительно высокая направленность излучения;

высокое быстродействие, что позволяет использовать свето диоды в устройствах управления.

Существуют различного типа светодиоды, которые практически перекрывают весь оптический диапазон различных цветов.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 436; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.023 сек.