КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Фототранзистор
Фототранзистор — это полупроводниковый прибор, реагирующий на облучение световым потоком и способный одновременно усиливать фототок. Фототранзистор имеет, как и обычный биполярный транзистор, два рn-перехода. В электрическую цепь фототранзистор включается по схеме с общим эмиттером. Рассмотрим как один из возможных вариантов включения фототранзистор с разомкнутой базой (рис. 8). При таком включении напряжение UКЭ, несмотря на то что база оборвана, распределяется между обоими переходами пропорционально их сопротивлению. Причем напряжение UКЭ подается как прямое (+) на эмиттер, обратное (-) на коллектор. Потенциальный барьер на эмиттерном рn-переходе скомпенсирован только частично, так как большая часть напряжения U приложена к коллектору.
Рисунок 8. Структурная схема фототранзистора.
В отсутствие освещения в замкнутой цепи протекает темновой ток. При освещении базы начинается процесс генерации носителей заряда (дырки направляются к коллектору, а электроны — к эмиттеру). Происходит компенсация потенциального барьера эмиттерного перехода из-за того, что электроны накапливаются на границе с эмиттером. Это вызывает дополнительную инжекцию основных носителей — дырок из эмиттера в базу, где они становятся неосновными и под действием обратного напряжения 11обр на коллекторном переходе переходят в коллектор. Таким образом, в фототранзисторе управление производится за счет светового потока. В фототранзисторе фототок усиливается, как и в обычном биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, в Ь21 раз. Статические выходные характеристики фототранзистора 1К = f(UКз) при Ф = соnst аналогичны характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис.9).
Рисунок 9. Выходная статическая характеристика.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 449; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |