Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Выходные характеристики транзистора ОЭ




при

IК, mA

IБ3

насыщение IБ2

IБ1 IБ3 > IБ2 > IБ1

IКЭО IБ=0

отсечка UКЭ, В

UКЭ НАС ГРАНИЧН. = UБЭ – прямое напряжение

 

а) - вход разомкнут, база висит в воздухе:

n p n

Э IКЭО К

Б (обрыв)

UКЭ

В этом случае напряжение распределяется между обоими переходами, но не равномерно. Большая его часть падает на обратно смещенный КП, имеющий большое сопротивление. ЭП будет находиться под очень небольшим прямым напряжением (минус подается на n-область), поэтому инжекцией из эмиттера в базу можно пренебречь, т.к. она будет незначительной.

Т.к. КП находится под обратным напряжением, то через него протекает небольшой тепловой ток , который, ввиду обрыва базы, вынужден протекать и через ЭП, образуя неуправляемый сквозной ток , который в раз больше теплового: ( десятки÷сотни).

Сквозной ток протекает сквозь все области транзистора – отсюда и его название.

Характеристика для данного случая – это характеристика обратно смещенного перехода, но в раз больше. Имеем режим отсечки.

б) но (9)

2-й закон Кирхгофа:

Неравенство (9) выполняется, если (вытекает из 2-го закона Кирхгофа), т.е. когда на коллекторе будет «плюс», что соответствует обратному включению КП. Имеем активный режим работы транзистора (ЭП прямо смещен, КП – обратно), для которого справедливо выражение: . Из этого выражения следует:

· каждому значению тока базы соответствует свое значение тока коллектора (своя характеристика);

· чем больше ток базы, тем больше ток коллектора, т.е. тем выше идет характеристика.

Выходные характеристики транзистора ОЭ идут под некоторым углом к оси абсцисс. Расстояние по вертикали между выходными характеристиками не одинаково: сначала оно возрастает, а потом уменьшается.

 

в) но (10)

Из 2-го закона Кирхгофа () вытекает:

 

 

неравенство (10) выполняется, если , т.е если наколлекторе будет «минус», что соответствует прямо смещенному КП.

Имеем режим насыщения (оба перехода прямо смещены). Эмиттер и коллектор инжектируют НЗ в базу, поэтому ток базы будет максимальным, а ток коллектора быстро упадет до нуля.

Для режима насыщения (для малых значений напряжения ) справедлив закон Ома (ток коллектора линейно зависит от выходного напряжения ).




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 346; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.