КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Исходные данные. Таблица 1 – Исходные данные. Вариант Тип транзистора Параметры транзистора p-n-p n-p-n
Таблица 1 – Исходные данные.
1. Определяем положение точки D ( и ). 2. На характеристики нанесём горизонтальную линию на уровне допустимого коллекторного тока и вертикальную линию, соответствующую половине допустимого напряжения коллектор-эмиттер . 3. Построим кривую допустимой рассеиваемой мощности . Затем определим значения коллекторного тока . Результаты занесём в таблицу 2. Координаты точек и нанесли на выходные характеристики и через них провели кривую . 4. На характеристиках провели линию нагрузки АЕ так, чтобы снять с транзистора максимальную мощность. Для этого площадь треугольника АВС должна быть максимальной. Но линия не должна выходить за пределы ограничительных линий, , , . Для надёжной работы транзистора желательно иметь некоторый запас по току и напряжению, поэтому выбирают и . Таблица 2.
Ом
Линия среднего значения проводиться так, чтобы заштрихованные площадки были равны. Мощность, потребляемая от одного источника питания, равна . От двух источников потребляется мощность вдвое больше: .
; ; .
Вопрос: Силовые биполярные и полевые транзисторы. IGBT – транзисторы.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 482; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |