Подготовка к работе

Цель работы

БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ

Лабораторная работа № 2.

Указания к составлению отчета

Отчет должен содержать:

5.1 Схемы исследований транзистора.

5.2 Таблицы с результатами исследований.

5.3 Графики, полученные по данным таблиц 1 ÷ 5. Типовые виды графиков приведены на рисунке 5 ÷ 8.

Рисунок 5 - Характеристика прямой передачи

Рисунок 6 - Выходные характеристики

Рисунок 7-Зависимости RI и S от UЗИ

Рисунок 8 - Зависимости RСИ от UЗИ

Приложение А

Таблица А.1 – Варианты заданий

№ вар
Тип ПТ	KP202D	KP202E	KP302B	KP302G	KP302V
№ вар
Тип ПТ	KP303A	KP303B	KP303 D	KP303E	KP303G
№ вар
Тип ПТ	KP303I	KP303V	KP303Z	KP307A	KP307B
№ вар
Тип ПТ	KP307E	KP307G	KP307V	KP307Z	KP308A
№ вар
Тип ПТ	KP308D	KP308G	KP308V	KP312A	KP312B
№ вар
Тип ПТ	KP314A	KP903A	KP903B	KP903V	KP903G

Изучить принцип действия биполярного транзистора (БТ) его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Исследовать БТ в режиме усиления.

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1 Устройство БТ, принцип действия, основные физические процессы.

2.1.2 Схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).

2.1.3 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.

2.1.4 Уравнения коллекторного тока и коэффициенты передачи тока для всех схем включения.

2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения с ОБ и ОЭ.

2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.

2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, на его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и на предельные параметры.

2.1.8 Дифференциальные параметры БТ и их определение по статическим характеристикам транзистора.

2.1.9 Работа БТ в усилительном режиме.

2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1 Устройство плоскостного транзистора.

2.2.2 Принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.

2.2.3 Нарисовать схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n.

2.2.4 Начертить потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов для различных режимов работы.

2.2.5 Из каких компонентов состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора?

2.2.6 Из каких компонентов состоит ток базы?

2.2.7 Дать определение коэффициентов инжекции и переноса.

2.2.8. Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения?

2.2.9 Написать уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.

2.2.10 Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.

2.2.11 Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активный, отсечка и насыщение.

2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора?

2.2.13 Объяснить влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ.

2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры?

2.2.15 Объяснить построение рабочей области выходных характеристик транзистора.

2.2.16 Объяснить влияние температуры на рабочую область БТ.

2.2.17 Привести систему уравнений h-параметров в дифференциальной и комплексной формах.

2.2.18 Показать, как определяются h-параметры по статическим характеристикам транзистора.

2.2.19 Пояснить работу БТ в усилительном режиме.

Дата добавления: 2015-05-06