Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Все транзисторы имеют мощность рассеивания на коллекторе 150 мВт




Задание для работы в лаборатории

Литература

1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта: Наука. 2009. Стр. 87-113.

2. Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.59-69.

3. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д -М: Радио и связь, 1998. Стр. 70-81, 86-92.

4. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр.140-170 (выборочно).

5. Транзисторы для широкого применения: Справочник. Под редакцией Перельмана Б. П. -М.: Радио и связь, 1981.

6. Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2008. Электронная версия.

 

4.1 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОБ собрать схему, приведенную на рисунке 1.

Рисунок 1- Схема для исследования транзистора при включении с ОБ.

Тип БТ установить в соответствии с вариантом (Приложение А.1). Этот же тип остается во всех последующих схемах.

4.2 Изменяя ток эмиттера 0,1, 1, 5 мА и т.д. снять две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1 - Транзистор (указать по варианту)

UКБ, В IЭ, мА   0,1              
  UЭБ                  
  UЭБ                  

4.3 Снять выходные характеристики транзистора IК=f(UКБ) для трех значений тока эмиттера IЭ: 1) IЭ=0, 2) IЭ=10 мА, 3) IЭ=20 мА.

Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2 - Транзистор (указать по варианту)

IЭ, мА UКБ, В   0,5          
  IК, мкА              
  IК, мА              
               

 

4.4 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОЭ собрать схему, приведенную на рисунке 2.

Рисунок 2 - Схема для исследования транзистора при включении с ОЭ.

 

4.5 Снять две входные характеристики IБ=f(UБЭ) при двух значениях UКЭ: 1) UКЭ=0, 2) UКЭ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 3.

 

Таблица 3 - Транзистор (указать по варианту)

UКЭ, В IБ, мкА              
  UБЭ, В              
  UБЭ, В              

 

4.6 Снять семейство из шести выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблицу 4, включая IБ=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. в диапазоне значений UКЭ от 0В до ~ 1В. Результаты измерений занести в таблицу 4.

Таблица 4 - Транзистор (указать по варианту)

IБ, мкА UКЭ, В   0,1 0,2 0,5          
  IК, мкА                  
      IК, мА                  
                   
                   
                   
                   

 

4.7 Для исследования схемы усилителя на БТ, включенного с ОЭ, собрать схему, приведенную на рисунке 3. На базу транзистора подаются постоянное напряжение смещения ЕБЭ и переменное напряжение UВХ = UБЭ~. Выходным напряжением усилителя является переменная составляющая UБЭ~ = UВЫХ

Рисунок 3 - Схема усилителя, включенного с ОЭ.

 

4.8 Перед включением схемы установить следующие параметры:

ЕКЭ = 15 В, UБЭ ~ = 10 мВ, f = 1 кГц, RH = 1.5 k.

Для вольтметра установить режим постоянного напряжения – DC.

4.9 Подобрать напряжение источника смещения ЕБЭ такой величины, чтобы постоянное напряжение на коллекторе (показания вольтметра в режиме DC) составляло 7-8 В.

4.10 Переключить вольтметр в режим измерения переменного напряжения – АС и снова включить схему.

Определить коэффициент усиления КU = UВЫХ/UBX. Зарисовать в отчет осциллограммы на входе и выходе усилителя.

4.11 Рассчитать параметры h11Э, h21Э и h22Э по соответствующим графикам.

Расчет произвести в рабочей точке UКЭ = 10 В и IБ=200 мкА,

 

5. Содержание отчета

Отчет должен содержать:

5.1 Схемы исследований транзистора.

5.2 Таблицы с результатами измерений

5.3 Графики входных и выходных характеристик для схем включения БТ с ОБ и ОЭ. Примеры графиков даны на рисунках 4.4-4.6.

5.4 Расчет значений h11Э, h21Э и h22Э по соответствующим графикам:

5.5 Значение KU и осциллограммы напряжений на входе и выходе усилителя.

5.6 Выводы по работе.

а) схема с ОБ б) схема с ОЭ

Рисунок 4 Входные характеристики БТ

Рисунок 5 - Выходные характеристики БТ – схема включения с ОБ

 

 

Рисунок 6 – Выходные характеристики БТ – схема включения с ОЭ

 

Приложение А

Таблица А.1 – Варианты заданий

№ вар          
Тип БТ КТ3102A КТ3102B КТ3102D КТ3102E КТ3102G
№ вар          
Тип БТ КТ3102V KT315B KT315D KT315E KT315G
№ вар          
Тип БТ KT315 I KT315V KT315Z KT316A KT316B
№ вар          
Тип БТ KT316D KT316G KT316V KT355A KT368A
№ вар          
Тип БТ KT368B KT371A KT371B KT373A KT373B
№ вар          
Тип БТ KT373G KT373V KT375A KT375B KT630A

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 1170; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.