Биполярные транзисторы (БТ)

Содержание (дидактика) дисциплины

СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 зачетные единицы, 144 часа.

№ модуля образовательной программы	№ раздела	Наименование раздела дисциплины	Виды учебной нагрузки и их трудоемкость, часы
Лекции	Практические занятия	Лабораторные работы	Курсовое проектирование	СРС	Всего часов
Б3.В.ОД.2		Введение
	Полупроводниковые приборы
2.1	Проводимость полупроводников (п/п), р-n-переход.. Полупроводниковые диоды
2.2	Биполярные транзисторы (БТ)
2.3	Полевые транзисторы (ПТ)
2.4	Тиристоры
2.5	Оптоэлектронные приборы
	Источники вторичного электропитания (ИВЭ)
3.1	Выпрямители
3.2	Стабилизаторы.
3.3	Инверторы
	Электронные усилители
4.1	Усилители переменного сигнала
4.2	Усилители мощности
4.3	Обратные связи (ОС) в усилителях
4.4	Усилители постоянного тока (УПТ)
	Импульсные и цифровые устройства
5.1	Ключевой режим работы БТ. Генераторы сигналов специальных форм
5.2	Интегральная схемотехника. Комбинационные логические элементы
5.3	Последовательностные элементы
5.4	Запоминающие устройства (ЗУ)
5.5	Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи (ЦАП и АЦП)
5.6	Микропроцессоры (МП) и микроЭВМ (МЭВМ)
	Индикаторные устройства.
6.1	Виды устройств индикации и принцип организации схем управления
ИТОГО:						117+27 экзам.=144

Раздел 1 « ВВЕДЕНИЕ »

Дидактическая единица 1 (1.1). Электроника, ее роль в развитии науки, техники, в производстве и управлении. Исторический обзор этапов развития «Электроники» как науки, перспективы развития. Научные и технологические основы наноэлектроники. Классификация основных устройств электроники. Материалы, элементы и компоненты электронной техники – резисторы, конденсаторы, индуктивности, элементы коммутации и питания, система условных графических обозначений (УГО), нормируемые и расчетные параметры.

Раздел 2 « ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ »

2.1 Проводимость полупроводников (п/п), р-n-переход.. Полупроводниковые диоды

Дидактическая единица 1 (2.1.1). Проводимость полупроводников (п/п), виды носителей зарядов, собственная и примесная проводимость п/п, р-n-переход. Энергетическая диаграмма р-n-перехода, прямое и обратное включение, уравнение токов, вольтамперная характеристика (ВАХ) и виды пробоя р-n-перехода. Полупроводниковые диоды: виды, система УГО, особенности практического использования. Дидактическая единица 2 (2.1.2). Сравнительный анализ эксплуатационных и предельных электрических параметров (U_пр., I_обр., U_{обр..мax.}, I_пр.ср., I_{пр. имп.}, f_пред., T_max) из справочной литературы для п/п диодов, изготовленных из различных материалов (Ge, Si, GaAs, Se) и по разным технологиям (сплавные, диффузионные, планарные и т.д.), с учетом электрических потерь, надежности, конструктивных особенностей. Дидактическая единица 3 (2.1.4). Оформление реферата по теме «Полупроводниковые диоды, виды, нормируемые параметры, сравнительный анализ, применение».

Дидактическая единица 1 (2.2.1). Биполярные транзисторы (БТ). Структура двух видов БТ – прямой проводимости (р-n-р) и обратной проводимости (n-р-n), принцип действия, краткие сведения по технологии изготовления. Схемы включения БТ: общая база (ОБ), общий эмиттер (ОЭ) и общий коллектор (ОК). Свойства схем включений и анализ статических характеристик, уравнения токов электродов БТ, особенности применения. Дидактическая единица 2 (2.2.2). Биполярные транзисторы (БТ). Анализ свойств и особенностей практического использования различных схем включения БТ. Дидактическая единица 3 (2.2.3). Лабораторная работа №1 «Исследование биполярного транзистора и усилительных каскадов на его основе». Дидактическая единица 4 (2.2.4). Подготовка к выполнению лабораторной работы №1. Работа с литературой. Анализ результатов лабораторной работы №1. Выполнение проверочных расчетов. Оформление письменного отчета. Подготовка к защите результатов работы. Выполнение домашнего задания по теме: правила «нормального» включения БТ заданной проводимости по схемам ОБ, ОЭ, ОК.

Дата добавления: 2015-05-07