КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Iк (Uк) 2 страница
Условное обозначение: V t Канал р –типа: С Uзи= Uобр р Ic Iз = (10-8 – 10-12 )А =0 поэтому Ic= Iи З р Iu И
V t Канал n –типа: n С
p n И Входной характеристики Iз (Uзи) – нет!, т.к. у Uзи = Uобрт и Iз=Iобр=0. Выходные характеристики (стоковые): Iс Uзи =0 Uзи=-1В Uзи Uзи = -2В Uзи=-3В -3 -2 -1 Uси Переходные характеристики Iс (Uзи) Параметры полевого транзистора c pn –переходом:
Ku= ∆Uси / ∆Uзи
Rвх = Uзи / Iз (=0) = ∞
Rвых = Uси / Iс
Область применения: 1.Если биполярный транзистор, имеющий маленькое Rвх, то его применяют для усиления сигналов от источников с маленьким внутренним сопротивлением, то полевой транзистор с Rвх =∞ применяют в усилителях сигнала от источников с большим внутренним сопротивлением. 2.В интегральных схемах, т.к. P=Iз * Uзи ≈(0,1 – 0,2)Вт. 3.В качестве источников питания, в электронных часах. Полевые транзисторы с приповерхностным затвором: (2-ух типов): 1.С встроенным каналом; 2.С индуцированным каналом.
МДП со встроенным каналом, в которых до подачи U на затвор канал между стоком и истоком существует:
УГО: З с n –каналом. (с p наоборот)
VT n p n
П
Структурная схема:
И - З + - С+ Iс канал n n
p
П- подложка (тело прибора)PN-типа
При подаче + потенциала на затвор, заряды из канала отталкиваются в глубь подложки. Число свободных электронов в канале растёт,если растёт Iс – режим называется- режим обогащения. При подаче Iс (-) отталкиваются электроны – режим обеднения. Принцип действия основан на изменении проводимости канала, при изменении потенциала на затворе. Основные характеристики: выходные (стоковые): Iс Uзи =2В Uзи=1В Uзи Uзи =0 Uзи<-1В Uзи<-2В -2 -1 +1 +2 Uси МДП транзистор с индуцированным каналом – это такой полевой транзистор, в котором до подачи напряжения на затвор, канал между стоком и истоком отсутствует: УГО: З с р –каналом. (с n наоборот)
р n р
И П С
Структурная схема:
И - З + С+ Iс n n
p
П- подложка (тело прибора)PN-типа
При подачи на затвор потенциала, в схеме с индуцированным каналом, канал между стоком и истоком не существует. При подачи некоторого порогового напряжения достаточного для создания такого количества электронов, в приповерхностном слое, чтобы образовался канал между стоком и истоком, через прибор от стока к истоку начинает протекать Iс, такой канал называется индуцированным, а потенциал затвора пороговым. Т.к. I через канал протекает только после его индицирования, то прибор потребляет меньшую мощность, чем все остальные транзисторы, и поэтому в настоящее время интегральная электроника строится на полевых транзисторах с индуцированным каналом. Условные обозначения: КП103А: К- кремниевый; П – полевой транзистор; 1,5,6,7 – полупроводниковый прибор интегральной схемы; 03 – серия; Л – усилитель.
Интегральные микросхемы: - это полупроводниковый прибор, имеющий много pn- переходов и электродов, и представляющий собой единое функционально устройство (например, усилитель, стабилизатор).
Классификация: 1.По технологии изготовления: -П.П. И.С.(полупроводниковые интегральные схемы); -Плёночные; -Гибридные.
П.П. И.С.(полупроводниковые интегральные схемы) – представляют собой pn- переходы, созданные в толще кристалла, образующие резисторы, конденсаторы, малые ёмкости, диоды и транзисторы, электронные связи в виде п.п. отсутствуют, поэтому П.П.И.С. обладают вот такими достоинства: 1.Из-за отсутствия пайки, повышается надёжность, уменьшается объём и снижается стоимость. Главный недостаток: Невозможность создать в толще п.п. индуктивности и трансформаторы, т.к. до настоящего времени не обнаружено в твёрдых телах физических явлений эквивалентных электромагнитной индукции, поэтому индукторы и трансформаторы являются навесными элементами, которые припаивают извне. (1,5,6,7).
Плёночные – представляют собой выполненные на изоляционном материале напыления в виде плёнки. (2,4,8)
R L и т.д.
Достоинство: малые габариты по толщине, возможность получения индуктивностей. Недостаток: невозможность создания элементов больших номинальных значений.
Гибридные - соединён плёночной, на которую напаяны навесные элементы.(3)
R L и т.д.
Область применения: 1.Отработка точных номинальных значений, элементов схемы в процессе её разработки или создания, в этом случае навесные элементы установки регулируемы. 2. При необходимости включения в схему элементов с большими номинальными значениями, которые невозможно получить ни в интегральной, ни в плёночной.
2. По виду обрабатываемого сигнала: - Аналоговые; -Цифровые.
Аналоговые – обрабатывают сигналы, которые изменяются по непрерывной функции (ОУ - операционный усилитель). Цифровые – обрабатывают сигналы, которые предоставлены в двоичном или другом цифровом коде..
3.По количеству заключенных в интегральной схеме элементов (по степени интеграции): К=lg N (N- число элементов, входящих в ИС).
К – округляют до более наивысшего целого числа. Анализ таблицы показывает, что ЦИС обеспечивает большую степень министруктуризации, однако, П.П.И.С., особенно построенные на биполярных транзисторах (n-p-n)- типа, обеспечивают более высокую производительность, в И.С применяются, как правило, полевые транзисторы и индуцированным каналом.
Условные обозначения: КР134ЛА2: К- обозначение широкого распространения; Р - обозначение типа корпуса: Р-пластик,Е-металл, К- стекло-керамика. 1 – технология изготовления интегральной схемы. 34 – номер серии И.С. ЛА - функциональное назначение И.С. 2 –номер разработки в серии.
Полупроводниковые аналоговые устройства: Источники 2-ого электропитания: на первичные и вторичные. Первичные – преобразуют неэлектрические виды энергии в электрическую. (генераторы); Вторичные – преобразуют электрическую энергию с одними параметрами в электрическую энергию с другими величинами, частотами,другой стабильности.
При переходе к питанию электронных устройств необходимо получить: 1.Необходимый уровень, питающего: Uпит(5-12)В; 2.Необходимую частоту: f=0, U=const, высокочастотную до f= (10 -20)кГц. 3.Обеспечить требуемое рассогласование.
Типовая схема источника 2-ого электропитания:
≈U=220/380В R Трансформатор В Ф СТ Iн f=50Гц 1 2 3 4
Назначение каждого элемента: 1.Трансформатор напряжения, понижающий, обеспечивает согласованное по уровню, величине напряжение; на выходе сигнал так же переменный синусоидальный по амплитуде, но той же частоты. 2.Выпрямитель – преобразует переменное синусоидальное напряжение в постоянное пульсирующее по величине. (функциональность зависит от схемы выпрямителя). 3.Фильтр- сглаживает пульсации выпрямителя, характеризует коэффициент сглаживания пульсации. Фильтр предназначен для стабилизации мгновенного значения выпрямителя. 4.Стабилизатор напряжения- для стабилизации среднего значения выпрямленного напряжения, которое зависит от: 1.От колебания напряжения источника питания. 2.От колебания тока на нагрузки, под действием окружающей среды.
Габариты трансформатора и сглаживания среды на низких частотах большие, для устранения недостатка используют структурную схему источника 2-ого электропитания:
Конвертер ≈U=220/380В В1 Ф1 И TV В2 Ф2 СТ f=50Гц
Конвертер: входное питание напряжения, потом выпрямитель и на 1-ый сглаживающий фильтр. В состав конвертора входит: Инвертор, преобразовывает среднее значение выпрямленного напряжения в переменное синусоидальное заданной величины, строится на биполярных транзисторах, работающих ключевом режиме или тиристоре. Ек Uвых=Ек-Iк*Rк Rн Iк
Rн=0 исх.И Т Uвых 1
При работе в импульсном режиме: транзистор и инвертер на входе, трансформатор напряжения имеет импульсный сигнал, изменяется с функцией задаваемой инвертером. В таком блоке питания габариты трансформатора U2 – маленькие. Пример – в лампах. Область применения: для питания различных электронных устройств. Применяется, если на выходе требуется получить регулируемое напряжение по величине. Область применение: управление приводом постоянного тока. 1.УВ- управляемый выпрямитель, выполняет регулирование входного напряжения по величине, по функции и по мгновенному значению. 2.Стабилизатор – стабилизирует среднее значение выпрямительного напряжения.
Выпрямители: - называется полупроводниковое устройство предназначенное для преобразования переменного синусоидального тока и напряжения в пульсирующее постоянное.
Классификация: 1.По виду выходной величины: - неуправляемый; -управляемый. 2.По потребляемой мощности: - 1- фазные Р<4кВт -2 –фазные Р>4Квт. 3.По количеству выпрямительных полупроводников: -1-полупроводниковые; -2-полупроводниковые.
Неуправляемый однофазный одно полупериодный выпрямитель.
TV A K VD +1 -2 +1 -2 ~ Uc Rн Uн
-1 +2 -1 +2
Принцип действия выпрямителя, используя временные диаграммы работы Uс + t
i При Uпр →Rвн pn=0 При Uобр→Rвн pn→∞ t Uн iRн Uс = 0,45 U t
В 1-ый полупериод pn вентильный выпрямительный диод VD – открыт, через сопротивление нагрузки протекает ток и на выходном резисторе появляется Uн=iRн. Во 2-ой полупериод pn – расширяется, i=0, Rн=0. При Uобр ток через диод =0. На выходе получаем постоянный по знаку пульсирующий по величине сигнал. Основные параметры выпрямленного напряжения: 1.Среднее значение выпрямительного напряжения:
Т П П Uср=1/Т ∫Um *sinωt dt= 1/Т ∫Um *sinωt dt = Umω/(1/f *ω) *(-cosωt)│= -Um/(1/f *2Пf)(-1-1) 0 0 0 =Um/П=√2 U/П=1,4/3,14U=0,45 U 2.Частота пульсаций выпрямленного напряжения: ωп = ω
3.Коэффициент пульсации: Коэффициент пульсации равен отношению амплитуды низшей гармоники, расположено f в ряд Фурье поделённой постоянную составляющую ряда, которая представляет собой среднее значении выпрямленного U, дают следующий спектральный состав в виде разложения в ряд Фурье Р=Umнизшая/Uср
Uн=1/n*Um + 1/2 Um *sinωt -2/3П Um *cosωt
1.Uср=U0=Um/П 2. ωп -Постоянная составляющая ряда Фурье даёт среднее значение выпрямленного напряжения.
Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 449; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |