Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Iк (Uк) 2 страница




 

Условное обозначение: V t

Канал р –типа: С Uзи= Uобр

р Ic Iз = (10-8 – 10-12 )А =0

поэтому Ic= Iи

З р Iu

И

 

 

V t

Канал n –типа: n С

p

n

И

Входной характеристики Iз (Uзи) – нет!, т.к. у Uзи = Uобрт и Iз=Iобр=0.

Выходные характеристики (стоковые):

Uзи =0

Uзи=-1В

Uзи Uзи = -2В

Uзи=-3В

-3 -2 -1 Uси

Переходные характеристики Iс (Uзи)

Параметры полевого транзистора c pn –переходом:

 

Ku= ∆Uси / ∆Uзи

 

Rвх = Uзи / Iз (=0) = ∞

 

Rвых = Uси / Iс

 

Область применения:

1.Если биполярный транзистор, имеющий маленькое Rвх, то его применяют для усиления сигналов от источников с маленьким внутренним сопротивлением, то полевой транзистор с Rвх =∞ применяют в усилителях сигнала от источников с большим внутренним сопротивлением.

2.В интегральных схемах, т.к. P=Iз * Uзи ≈(0,1 – 0,2)Вт.

3.В качестве источников питания, в электронных часах.

Полевые транзисторы с приповерхностным затвором:

(2-ух типов):

1.С встроенным каналом;

2.С индуцированным каналом.

 

 

МДП со встроенным каналом, в которых до подачи U на затвор канал между стоком и истоком существует:

 

УГО:

З с n –каналом. (с p наоборот)

 

 

VT

n p n

 

П

 

Структурная схема:

 

И - З + - С+

Iс канал

n n

 

p

 

П- подложка (тело прибора)PN-типа

 

При подаче + потенциала на затвор, заряды из канала отталкиваются в глубь подложки. Число свободных электронов в канале растёт,если растёт Iс – режим называется- режим обогащения.

При подаче Iс (-) отталкиваются электроны – режим обеднения.

Принцип действия основан на изменении проводимости канала, при изменении потенциала на затворе.

Основные характеристики: выходные (стоковые):

Uзи =2В

Uзи=1В

Uзи Uзи =0

Uзи<-1В

Uзи<-2В

-2 -1 +1 +2 Uси

МДП транзистор с индуцированным каналом – это такой полевой транзистор, в котором до подачи напряжения на затвор, канал между стоком и истоком отсутствует:

УГО:

З с р –каналом. (с n наоборот)

 

 

р n р

 

И П С

 

Структурная схема:

 

И - З + С+

n n

 

p

 

П- подложка (тело прибора)PN-типа

 

При подачи на затвор потенциала, в схеме с индуцированным каналом, канал между стоком и истоком не существует.

При подачи некоторого порогового напряжения достаточного для создания такого количества электронов, в приповерхностном слое, чтобы образовался канал между стоком и истоком, через прибор от стока к истоку начинает протекать Iс, такой канал называется индуцированным, а потенциал затвора пороговым.

Т.к. I через канал протекает только после его индицирования, то прибор потребляет меньшую мощность, чем все остальные транзисторы, и поэтому в настоящее время интегральная электроника строится на полевых транзисторах с индуцированным каналом.

Условные обозначения:

КП103А:

К- кремниевый;

П – полевой транзистор;

1,5,6,7 – полупроводниковый прибор интегральной схемы;

03 – серия;

Л – усилитель.

 

 

Интегральные микросхемы:

- это полупроводниковый прибор, имеющий много pn- переходов и электродов, и представляющий собой единое функционально устройство (например, усилитель, стабилизатор).

 

Классификация:

1.По технологии изготовления:

-П.П. И.С.(полупроводниковые интегральные схемы);

-Плёночные;

-Гибридные.

 

П.П. И.С.(полупроводниковые интегральные схемы) – представляют собой pn- переходы, созданные в толще кристалла, образующие резисторы, конденсаторы, малые ёмкости, диоды и транзисторы, электронные связи в виде п.п. отсутствуют, поэтому П.П.И.С. обладают вот такими достоинства:

1.Из-за отсутствия пайки, повышается надёжность, уменьшается объём и снижается стоимость.

Главный недостаток:

Невозможность создать в толще п.п. индуктивности и трансформаторы, т.к. до настоящего времени не обнаружено в твёрдых телах физических явлений эквивалентных электромагнитной индукции, поэтому индукторы и трансформаторы являются навесными элементами, которые припаивают извне.

(1,5,6,7).

 

Плёночные – представляют собой выполненные на изоляционном материале напыления в виде плёнки.

(2,4,8)

 

 
 


R

 
 


L и т.д.

 

Достоинство: малые габариты по толщине, возможность получения индуктивностей.

Недостаток: невозможность создания элементов больших номинальных значений.

 

Гибридные - соединён плёночной, на которую напаяны навесные элементы.(3)

 
 

 


R

 
 


L и т.д.

 

Область применения:

1.Отработка точных номинальных значений, элементов схемы в процессе её разработки или создания, в этом случае навесные элементы установки регулируемы.

2. При необходимости включения в схему элементов с большими номинальными значениями, которые невозможно получить ни в интегральной, ни в плёночной.

 

2. По виду обрабатываемого сигнала:

- Аналоговые;

-Цифровые.

 

Аналоговые – обрабатывают сигналы, которые изменяются по непрерывной функции

(ОУ - операционный усилитель).

Цифровые – обрабатывают сигналы, которые предоставлены в двоичном или другом цифровом коде..

 

3.По количеству заключенных в интегральной схеме элементов (по степени интеграции):

К=lg N (N- число элементов, входящих в ИС).

К Название ИС Цифровые Аналоговые
к ----------------- 0-10 ------------
  МИС 11-100 1-30
  СИС 101-1000 31-100
  БИС 1001-10000 101-300
  СБИС Более 10000 Более 300

К – округляют до более наивысшего целого числа.

Анализ таблицы показывает, что ЦИС обеспечивает большую степень министруктуризации, однако, П.П.И.С., особенно построенные на биполярных транзисторах (n-p-n)- типа, обеспечивают более высокую производительность, в И.С применяются, как правило, полевые транзисторы и индуцированным каналом.

 

Условные обозначения:

КР134ЛА2:

К- обозначение широкого распространения;

Р - обозначение типа корпуса: Р-пластик,Е-металл, К- стекло-керамика.

1 – технология изготовления интегральной схемы.

34 – номер серии И.С.

ЛА - функциональное назначение И.С.

2 –номер разработки в серии.

 

Полупроводниковые аналоговые устройства:

Источники 2-ого электропитания: на первичные и вторичные.

Первичные – преобразуют неэлектрические виды энергии в электрическую. (генераторы);

Вторичные – преобразуют электрическую энергию с одними параметрами в электрическую энергию с другими величинами, частотами,другой стабильности.

 

При переходе к питанию электронных устройств необходимо получить:

1.Необходимый уровень, питающего: Uпит(5-12)В;

2.Необходимую частоту: f=0, U=const, высокочастотную до f= (10 -20)кГц.

3.Обеспечить требуемое рассогласование.

 

Типовая схема источника 2-ого электропитания:

 

≈U=220/380В R

Трансформатор В Ф СТ Iн

f=50Гц

1 2 3 4

 

Назначение каждого элемента:

1.Трансформатор напряжения, понижающий, обеспечивает согласованное по уровню, величине напряжение; на выходе сигнал так же переменный синусоидальный по амплитуде, но той же частоты.

2.Выпрямитель – преобразует переменное синусоидальное напряжение в постоянное пульсирующее по величине. (функциональность зависит от схемы выпрямителя).

3.Фильтр- сглаживает пульсации выпрямителя, характеризует коэффициент сглаживания пульсации. Фильтр предназначен для стабилизации мгновенного значения выпрямителя.

4.Стабилизатор напряжения- для стабилизации среднего значения выпрямленного напряжения, которое зависит от:

1.От колебания напряжения источника питания.

2.От колебания тока на нагрузки, под действием окружающей среды.

 

Габариты трансформатора и сглаживания среды на низких частотах большие, для устранения недостатка используют структурную схему источника 2-ого электропитания:

 

Конвертер

≈U=220/380В

В1 Ф1 И TV В2 Ф2 СТ

f=50Гц

 

 

Конвертер: входное питание напряжения, потом выпрямитель и на 1-ый сглаживающий фильтр.

В состав конвертора входит:

Инвертор, преобразовывает среднее значение выпрямленного напряжения в переменное синусоидальное заданной величины, строится на биполярных транзисторах, работающих ключевом режиме или тиристоре.

Ек

Uвых=Ек-Iк*Rк Rн

       
   

 


Rн=0

исх.И Т

Uвых

       
   


1

 

При работе в импульсном режиме: транзистор и инвертер на входе, трансформатор напряжения имеет импульсный сигнал, изменяется с функцией задаваемой инвертером.

В таком блоке питания габариты трансформатора U2 – маленькие.

Пример – в лампах.

Область применения: для питания различных электронных устройств.

Применяется, если на выходе требуется получить регулируемое напряжение по величине.

Область применение: управление приводом постоянного тока.

1.УВ- управляемый выпрямитель, выполняет регулирование входного напряжения по величине, по функции и по мгновенному значению.

2.Стабилизатор – стабилизирует среднее значение выпрямительного напряжения.

 

 

Выпрямители:

- называется полупроводниковое устройство предназначенное для преобразования переменного синусоидального тока и напряжения в пульсирующее постоянное.

 

Классификация:

1.По виду выходной величины:

- неуправляемый;

-управляемый.

2.По потребляемой мощности:

- 1- фазные Р<4кВт

-2 –фазные Р>4Квт.

3.По количеству выпрямительных полупроводников:

-1-полупроводниковые;

-2-полупроводниковые.

 

 

Неуправляемый однофазный одно полупериодный выпрямитель.

 

TV A K VD

+1 -2 +1 -2

           
     


~ Uc Rн Uн

-1 +2 -1 +2

 

 

Принцип действия выпрямителя, используя временные диаграммы работы



+

t

 

i При Uпр →Rвн pn=0

При Uобр→Rвн pn→∞


t

       
   


iRн Uс = 0,45 U

t

 

 

В 1-ый полупериод pn вентильный выпрямительный диод VD – открыт, через сопротивление нагрузки протекает ток и на выходном резисторе появляется Uн=iRн.

Во 2-ой полупериод pn – расширяется, i=0, Rн=0. При Uобр ток через диод =0. На выходе получаем постоянный по знаку пульсирующий по величине сигнал.

Основные параметры выпрямленного напряжения:

1.Среднее значение выпрямительного напряжения:

 

Т П П

Uср=1/Т ∫Um *sinωt dt= 1/Т ∫Um *sinωt dt = Umω/(1/f *ω) *(-cosωt)│= -Um/(1/f *2Пf)(-1-1)

0 0 0

=Um/П=√2 U/П=1,4/3,14U=0,45 U

2.Частота пульсаций выпрямленного напряжения:

ωп = ω

 

3.Коэффициент пульсации:

Коэффициент пульсации равен отношению амплитуды низшей гармоники, расположено f в ряд Фурье поделённой постоянную составляющую ряда, которая представляет собой среднее значении выпрямленного U, дают следующий спектральный состав в виде разложения в ряд Фурье

Р=Umнизшая/Uср

 

Uн=1/n*Um + 1/2 Um *sinωt -2/3П Um *cosωt

 

1.Uср=U0=Um/П

2. ωп -Постоянная составляющая ряда Фурье даёт среднее значение выпрямленного напряжения.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 425; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.174 сек.