Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Введение 1 страница. В отчете должны быть представлены:




БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

Содержание отчета.

 

В отчете должны быть представлены:

1. Функциональная схема цифрового устройства.

2. Таблица истинности для RS триггера

3. Таблица истинности для счетчика

4. Таблицы истинности для дешифратора.

 

 

1. Принцип работы двоичного счетчика. Параметры счетчика

2. Принцип построения десятичного счетчика

3. Способы изменения модуля счета.

4. Принцип работы дешифратора и индикатора.

 

1. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника / Е.П. Угрюмов. М.: Высшая школа, 2001, 524с.

2. Новожилов О.П. Основы цифровой техники. / О.П. Новожилов. М. ИНФРА-М, 2005, 430 с.

3. Калабеков Э.Д. Цифровые схемы и микропроцессорные устройства / Э.Д. Калабеков. М.: Высшая школа, 2004. 360 с.

4. Токхейм Р. Основы цифровой электроники / Р. Токхейм. М.: Мир, 1988. 348 с.

5. Горбачев Г.Н. Промышленная электроника. / Г.Н. Горбачев, Е.Е. Чаплыгин. М.: Энергоатомиздат, 1988. 320 с.

 

 

СОДЕРЖАНИЕ

Общие положения..................................... 1

Техника безопасности при выполнении лабораторных работ..4

Лабораторная работа № 5. Компенсационные стабилизаторы напряжения........................................... 5

Лабораторная работа № 6. Исследование генераторов синусоидальных колебаний............................ 13

Лабораторная работа № 7. Исследование базовых логических схем и RS-триггера на их основе.........................5

Лабораторная работа № 8. Исследование цифровых устройств регистрации числа импульсов.......................... 13

 

Приложения......................................... 48

 


Приложение № 1

ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет» Кафедра электромеханических систем и электроснабжения ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № (название) по курсу «Промышленная электроника»     ВЫПОЛНИЛ: СТУДЕНТ ГР. _____________   _________________________   ПРИНЯЛ: ПРЕПОДАВАТЕЛЬ ________________________ Воронеж 2009 г.

Приложение №2

Зона Поз. обозна-чение Наименование Кол. Примечан
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
         
          СПЕЦИФИКАЦИЯ
         
         
            Лит Масса  
Изм   № докум.          
Разраб.      
Пров.      
        Лист Листов
           
Н.контр      
Утв.      
                         

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

 

к выполнению лабораторных работ

по курсам «Промышленная электроника»

для студентов специальности 110302 «Электрификация и автоматизация сельского хозяйства»

и «Физические основы электроники» специальности 140601 «Электромеханика»

очной и заочной форм обучения

 

Составители:

Шелякин Владимир Петрович

Акулинин Станислав Алексеевич

Савельева Елена Леонидовна

 

В авторской редакции

 

 

Компьютерный набор Е.Л.Савельевой

 

Подписано в печать 00.00.2009.

Формат 60х84/16. Бумага для множительных аппаратов.

Усл. печ. л. 3,2. Уч. - изд. л. 3,0. Тираж 200 экз. «С» 210.

Зак. № ___

 

ГОУВПО «Воронежский государственный технический

университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14

 

 

Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2.

Требования к контрольной работе:

1. Контрольная работа выполняется в тетради в клетку либо на листах формата А4 аккуратным разборчивым почерком.

2. Все схемы, таблицы, графики выполнять в соответствии с ГОСТ.

3. Задачи должны содержать исходные данные по вашему варианту, электрическую схему и необходимые пояснения к ходу решения. Все вычисления, графики приводить в решении задач.

4. Контрольная работа предоставляется на рецензию заранее. При наличии замечаний в той же работе приводится исправленный вариант.

 

Сведения на контрольную работу №2.

Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (рисунок 1,2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:

а) построить линию нагрузки;

б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искаженной формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;

в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току КI, напряжению КU и мощности КP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке Р,мощность, рассеиваемую в коллекторе РК, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.

 

Задача 2: Рассчитать h - параметры транзистора в рабочей точке и построить эквивалентную схему прибора на низкой частоте, используя характеристики заданного биполярного транзистора (задача №1).

Задача 3:Исходные данные для задачи берем из таблицы 2. По выходным характеристикам полевого транзистора (рисунок 3) построить передаточную (стокозатворную) характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе:

μ;Ri ; S=f (UЗИ).

Задача 4:Решить задачу из задания согласно варианту.

Задача 5:Решить задачу из задания согласно варианту. Получить минимальную функцию и построить функциональную схему для реализации логической функции четырех переменных, заданной в таблице 3.

 

 

Таблица

Номера заданий, задач
Номер варианта          
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           
           

 

Пример решения задачи 1.

 

Дано: транзистор КТ315А, напряжение питания ЕК = 15В, сопротивление нагрузки RН=500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБО =350 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ =150 мкА.

Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1.Нагрузочная линия соответствует графику уравнения UКЭ+IR RНК. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой при Uкэ=0 соответствует точке IК = EК /RН. Абсцисса при IК=0 соответствует точке UКЭК. Соединение этих координатах и является построением нагрузочной линии.

В нашем случае координаты нагрузочной линии IК=15/500=30 мА и UК=15 В. Соединяя эти точки, получаем линию нагрузки.

Пересечение нагрузочной линии с заданным значением тока базы IБ определяет рабочую точку (РТ) транзисторного каскада, нагруженного на резистор. В нашем случае рабочая тока соответствует пересечению нагрузочной прямой с характеристикой при IБ=350 мкА.

Если в семействе выходных характеристик отсутствует требуемая характеристика (в нашем случае IБ = 350 мкА), её следует самостоятельно построить между характеристиками с ближайшими значениями тока базы (на рисунке пунктирная линия).

 

Рисунок 1.1.

Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи UКЭ0 и IК0. Определяем параметры режима по постоянному току I КЭ0=19,2 мА и

=5,45 В.

На входных характеристиках (рисунок 1.2) рабочую точку определяем как точку пересечения ординаты соответствующей току IК0=350 мкА характеристики при UКЭ=10 В (РТ). Хотя в рабочей точке на выходных характеристиках UКЭ≠10В, входные характеристики в активном режиме практически совпадают и можно воспользоваться характеристикой для UКЭ=10 В. Определяем UБЭ0=0,745 В.

По данному изменению синусоидального тока базы с амплитудой IБМ определяем графически амплитуды токов и напряжений на электродах транзистора. Построим временные диаграммы переменного тока коллектора, напряжения коллектора и базы для случая синусоидального входного тока с амплитудой IБМ=150 мкА. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на базе и коллекторе противофазные. После построения временных диаграмм необходимо оценить, имеются ли заметные искажения в выходной цепи транзистора или нет.

Рисунок 1.2

Из временных диаграмм видно, что под воздействием переменного входного тока на выходных характеристиках двигается вдоль линии нагрузки. Если рабочая точка какую-либо часть периода входного тока попадает в область насыщения или отсечки сигнала, необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора.

Дальнейшие расчеты производятся только для активного режима работы прибора, называемого линейным или неискажающим.

При нахождении из графиков величин IКМ, UКМ, UБМ следует обратить внимание, что амплитудные значения для положительных и отрицательных полуволн сигнала могут быть неодинаковыми, а значит, усиление большого сигнала в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями.

Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяется как среднее за период.

По выходным статическим характеристикам (рисунок 1.1) находим положительные и отрицательные амплитуды токов и напряжений = 8 мА и = 8 мА, а также = 3,85 В и = 4,15 В. Затем определяем среднее значение амплитуд:

мА,

.

 

По входным характеристикам находим и

 

.

Затем определяем коэффициенты усиления:

по току:

по напряжению:

по мощности: .

 

Находим

Определяем мощности.

Полезная мощность:

P= .

Мощность, рассеиваемая на коллекторе:

 

PKO=UКЭО IКО=5,45 19,2 10-3=104,6 мВт.

 

Потребляемая мощность:

 

PПКЭ IКО=15 19,2 10-3=288 мВт.

 

Коэффициент полезного действия каскада:

 

.

 

 

Пример решения задачи 2.

 

Определим Н-параметры биполярного транзистора КТ 315А, рабочая точка: IБО= 350 мкА; UКЭО=5,45 В.

При любой схеме включения транзистор может быть представлен в виде активного четырехполюсника, на входе которого действует напряжение u1 и протекает ток i1, а на входе – напряжение u2 и ток i2.

 

 

Рис.2.1. Схема транзистора, представленного в виде активного четырехполюсника.

 

Для транзисторов чаще всего используются h – параметры, так как они наиболее удобны для измерений. Система уравнений, показывающая связь напряжений и токов с h - параметрами, имеет вид:

 

 

В систему h - параметров входят следующие величины.

Входное сопротивление

 

при или ,

представляет собой сопротивление транзистора между входными зажимами для переменного входного тока при коротком замыкании на входе, т.е. при отсутствии выходного переменного напряжения. А если бы на выходе было переменное напряжение, то оно за счет обратной связи, существующей в транзисторе, влияло бы на входной ток. В результате входное сопротивление получалось бы различным в зависимости от переменного напряжения на выходе, которое, в свою очередь, зависит от сопротивления нагрузки R. Но параметр h11 должен характеризовать сам транзистор, и поэтому он определяется при U2 = const, т.е. при RН = 0.

Параметр h11Э определим следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.2) зададимся приращением тока базы Δ IБ= 50= =100мкА относительно рабочей точки IБО=350 мкА. Соответствующее приращение напряжения база-эмиттер составит ΔUБЭ1=0,018 В. Входное сопротивление:

Ом

 

Коэффициент обратной связи по напряжению:

 

при или ,

показывает, какая доля выходного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие наличия в нем внутренней обратной связи.

Условие I 1= const подчеркивает, что входная цепь разомкнута для переменного тока.

Параметр h12Э определим по входным характеристикам. При постоянстве тока базы (IБО = 350 мкА) найдем приращение напряжения база-эмиттер: ΔUБЭ2=0,035 В. Тогда коэффициент обратной связи по напряжению составит:

 

Рисунок 2.2

 

Коэффициент усиления по току (коэффициент передачи тока):

 

при или ,

 

показывает усиление тока транзистором в режиме работы без нагрузки.

Условие U2 = const, т.е. RН =0, здесь задается для того, чтобы изменение выходного тока I2 зависело только от изменения входного тока I1. Если бы выходное напряжение менялось, то оно влияло бы на выходной ток, и по изменению этого тока уже нельзя было бы правильно оценить усилие.

По выходным характеристикам определим параметр h21Э (рисунок 2.3).

Зададимся приращением тока базы относительно рабочей точки ΔIБ =100 мкА, соответствующее приращение тока коллектора составит ΔIК1=5,6 мА.

Коэффициент передачи тока базы:

.

 

 

 

 

Рисунок 2.3

 

Выходная проводимость:

 

при или ,

 

представляет собой внутреннюю проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора. Если ток I1 не будет постоянным, то его изменения вызовут изменения тока I2 и значение h22, будет определено неправильно.

Величина h22 измеряется в сименсах (См).

Выходную проводимость определим по выходным характеристикам. Около рабочей точки зададимся приращением напряжения коллектор-эмиттер: ΔUКЭ=4В. Соответствующее приращение тока коллектора составит

ΔIК2=1 мА. Выходная проводимость:

См

 

H – параметры транзистора позволяют достаточно просто создать его схему замещения, в которой присутствуют только резисторы, управляемые источник напряжения и источник тока.

Рис.2.4. Эквивалентная схема транзистора с использованием

h – параметров.

 

 

Пример решения задания 3.

 

Пусть дан полевой транзистор типа КП103, напряжение сток-исток Даны выходные характеристики(рисунок 3.1). Для построения стокозатворной характеристики (прямой передачи) определим ток стока при и т.д.

Рисунок 3.1

 

Результаты заносим в таблицу 3.1

 

Таблица 3.1

 

UЗИ   0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0  
IС, мА 4,08 3,13 2,31 1,6 1,05 0,61 0,3  

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 1290; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.097 сек.