Введение 2 страница. По полученным результатам строим характеристику прямой передачи – стокозатворную характеристику (рисунок 3.2)

По полученным результатам строим характеристику прямой передачи – стокозатворную характеристику (рисунок 3.2)

Рисунок 3.2

Определяем крутизну и строим ее зависимость от напряжения на затворе. Сначала найдем крутизну при напряжении на затворе U_ЗИ=0,25 В.

Определяем токи I_С1=4,08 мА и I_С2=3,13 мА при напряжениях U_ЗИ1=0 В и U_ЗИ2=0,5 В, соответственно (рисунок 3.1). Затем вычисляем крутизну характеристику передачи:

мА/В

Аналогично проделываем эту операцию при U_ЗИ=0,75 В; 1.25 В; 1,75В и т.д. Результаты вычислений заносим в таблицу 3.2 и построим зависимость S=f (U_ЗИ) (рисунок 3.4).

Таблица 3.2

UЗИ, В	0,25	0,75	1,25	1,75	2,25	2,75
S, мА/В	1,9	1,64	1,42	1,1	0,88	0,62

Для определения дифференциального сопротивления стока R_С, задаемся приращением напряжения U_CИ= 2 В относительно напряжения U_СИО=6 В (рисунок 3.3).

Определяем приращение тока стока при напряжении на затворе U_ЗИ= 0 В. Вычисляем значение сопротивления стока:

R_C= кОм

Аналогичным образом определяем сопротивление R_C при U_СИ =0,5 В; 1 В и т.д.

Рисунок 3.3

Таблица 3.3

Uзи,В		0,5		1,5		2,5
∆Ic,мА	0,14	0,1	0,7	0,6	0,5	0,045	0,04
Rc,кОм		39,2	54,8	65,6		88,9
S,мА/В		1,75	1,5	1,25		0,75	0,5
µ		68,5	82,2			66,6

Результаты заносим в таблицу 3.3.

Построим зависимость R_С=f (U_ЗИ) (рисунок 3.4).

Рисунок 3.4.

По графику на рисунке 3.4 определяем значения крутизны S для тех же величин что и R_C. Результаты также занесем в таблицу 3.3.

Определяем коэффициент усиления транзистора по формуле: μ=S R.

Результат также заносим в таблицу 3.3 и строим зависимость μ =f(U_ЗИ).

Пример решения задачи 5.

Получить минимальную форму и построить функциональную схему для реализации логической функции четырех переменных:

Номер конституенты

-

-

Для построения принципиальной схемы использовать логические элементы.

Решение.

1. Представляем заданную функцию в виде таблицы:

А	В	С	D	F
				-
				-

2.Наносим функцию на диаграмму Вейча.

2. Выполняем накрытие всех единичных значений.

3. Используя правила алгебры-логики, записываем результат накрытий:

4. Реализуем функцию в виде логической схемы:

Исходные данные:

Таблица 1

вариант	Тип БТ	ЕК, В	RН, Ом	IБО,мкА	IБМ, мкА
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	KN603a
	КТ605а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а
	КТ605а
	КТ603а

Таблица 2

Вариант	Тип ПТ	UСИО, В	UЗИО, В
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К
	КП 903 А
	КП 103 К	8,5
	КП 903 А
	КП 103 К	10,5
	КП 903 А
	КП 103 К	9,5
	КП 903 А	14,5
	КП 103 К	7,5
	КП 903 А
	КП 103 К	11,5
	КП 903 А	17,5

Таблица 3

№ варианта

Номер конституенты

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

Характеристики транзисторов:

Рис. 1а. Выходные характеристики транзистора.

Рис. 1б. Входные характеристики транзистора.

Рис. 2а. Выходные характеристики транзистора.

Рис. 2а. Входные характеристики транзистора.

Рис. 3.а. Выходные характеристики транзистора КП 903 А.

Рис. 3.б. Выходные характеристики транзистора КП 103 А.

Задание 4.

1. Диод, у которого при прямом напряжении 0,8 В максимально допус­тимый ток равен 100 мА, соединен последовательно с резистором нагрузки Каково наибольшее значение напряжение источника, при котором диод будет работать в безопасном режиме?

2. Кремниевый стабилитрон подключен по схеме (рис. 4), где . Данные стабилитрона

Найти , если изменяется от до Опреде­лить будет ли обеспечена стабилизация во всём диапазоне изменения .

3. Стабилитрон в схеме стабилизатора напряжения включаем параллельно с резистором Найти сопротивление ограничительного ре­зистора , если входное напряжение меняется в пределах до . Определить, будет ли обеспечена стабилизация во всем диа­пазоне входного напряжения. Параметры стабилитрона

4. Транзистор типа р-п-р включен по схеме с ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если

a)

б)

в)

5. В биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, ток базы ток коллектора Определить коэффициенты передачи тока эмиттера и , если током можно пренебречь.

6. Транзистор, имеющий β=100, включен по схеме с общим эмиттером. Определить ток базы, ток эмиттера, коэффициент передачи тока эмиттера , если ток коллектора а начальным током коллектора можно пренебречь.

7. К цепи, состоящей из последовательно соединенных диода VD и ре­зистора приложено напряжение (рис. 5). Определить ток в цепи и падения напряжений на её элементах. ВАХ диода в увеличенном масштабе нелинейного участка её прямой ветви и решение методом пересе­чения характеристик приведены на рис. 5,а и 5,б.

8. Определить, как изменится рабочий режим цепи на рис. 5,б в случае увеличения в 2 раза ( ~ 300 Ом).

9. Определить, как изменится рабочий режим цепи на рис. 5,а,б при ус­ловии увеличения напряжения питания с 5 В до 7 В.

10. Для схемы на рис. 6,а определить входное напряжение, обеспечи­вающее получение выходного напряжения Параметры схемы:

Транзистор КТ830А. Коэффициент передачи тока . Входные и выходные характеристики транзистора приведены на рис. 6, а, б, в.

11. Для условий примера 10 найти диапазон изменения входного на­пряжения, соответствующей работе транзистора в активном режиме.

12. На входе цепи на рис. 5,а действует напряжение . Для параметров, заданных в примере 7, определить ток цепи.

13. На входе цепи на рис. 5,а действует входное напряжение Для параметров цепи, заданных в примере 12, определить ток цепи (при решении можно использовать рис. 5,в)

14. На входе схемы на рис.6 действует напряжение . Для параметров схемы примера 10 определить и .

Рис.4.

а)

б)

в)

Рис. 5.

а)

б)

в)

Рис 6.

Вопросы по дисциплине «Электротехника и электроника»

Часть 2.

1. Общие сведения из теории полупроводников. Основные положения теории электропроводности.

2. Электронно-дырочный переход (процессы при прямом и обратном включении р-п перехода).

3. Чем определятся объёмный заряд и потенциальный барьер в полупроводниках?

4. Полупроводниковые диоды (классификация, характеристики, параметры).

5. Устройство и принцип действия биполярного транзистора.

6. Схем включения биполярного транзистора, их свойства.

7. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора. Н -параметры, схема замещения.

8. Коэффициент передачи тока при включении биполярного транзистора по схеме с ОЭ, ОБ, ОК.

9. Какая из схем включения биполярного транзистора обеспечивает максимальное усиление по мощности?

10. Полевой транзистор. Устройство, принцип действия, разновидности.

11. Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-п переходом, характеристики.

12. МДП-транзисторы, принцип действия, характеристики.

13. Тиристоры. Устройство, принцип действия.

14. Неуправляемые выпрямители (назначение, основные особенности, работа на примере однополупериодной схемы).

15. Неуправляемые выпрямители (назначение, основные особенности, работа на примере мостовой схемы)

16.Стабилизаторы. Общие сведения. Основные сведения.

17.Параметрический стабилизатор напряжения.

18.Компенсационный стабилизатор напряжения.

19.Общие сведения об усилителях, классификация усилителей, структурная схема.

Анализ работы усилительного каскада на примере схемы с ОЭ.

20.Температурная стабилизация каскада усиления на примере с ОЭ.

21.Режимы работы усилительных каскадов.

22.Обратные связи в усилителях (определение, назначение виды ОС).

23.Усилители постоянного тока (УПТ).

24.Дифференциальные усилители (ДУ).

25.Операционные усилители (ОУ) (общие сведения, назначение, обозначение, основные параметры).

26.Обратные связи в операционных усилителях, инвертирующий и неинвертирующий ОУ.

27.Электронный ключ на биполярном транзисторе.

28.Электронные схемы, реализующие логические операции И, ИЛИ, НЕ.

29.Триггеры на цифровых интегральных схемах. Назначение, классификация. 30.Цифровые счетчики импульсов.

32. Микропроцессы (МП). Состав и структура микропроцессорной системы.

Дата добавления: 2015-06-04