Теоретический курс

ЭЛЕКТРОНИКА

Учебное пособие

для бакалавров направления

140400 «Электроэнергетика и электротехника»

Ухта 2014

УДК 621.382.232

Я 31

Ягубов З.Х. ЭЛЕТРОНИКА Теоретический курс: Учебное пособие для бакалавров направления 140400 «Электроэнергетика и электротехника». /З.Х. Ягубов, Л. П. Бойченко, А.Э. Старцев, И. А. Дементьев. – Ухта: УГТУ, 2014. – 244 с.: ил.

Данное учебное пособие предназначено для освоения теоретического материала по дисциплине «Электроника» при подготовке к выполнению лабораторных работ и к экзамену по указанной дисциплине бакалавров как дневного, так и заочного видов обучения направления 140400 «Электроэнергетика и электротехника».

В учебном пособии кратко изложены теоретические сведения при изучении элементов и устройств электроники (таких как диоды, стабилитроны, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры и др).

Кроме этого, в приложениях приведены: классификация и обозначения полупроводниковых приборов (отечественных и зарубежных); условные графические обозначения полупроводниковых приборов; условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах; стандартные условные графические и буквенные обозначения некоторых элементов электрических схем.

Данное учебное пособие рассмотрено, одобрено и рекомендовано кафедрой ЭАТП, протокол №9 от 23.09.2013.

Рецензенты:

Редактор: Г.В. Данилов, к.т.н., доцент кафедры АИС УГТУ.

В учебном пособии учтены замечания рецензентов и редактора.

Корректор К. В. Коптяева. Технический редактор Л. П. Коровкина.

План 20__ г., позиция __. Компьютерный набор. Подписано в печать __.__.2013.

Объём 243 с. Тираж 150 экз. Заказ №____.

© Ухтинский государственный технический университет, 2014

169300, Республика Коми, г. Ухта, ул. Первомайская, д. 13. Типография УГТУ.

169300, Республика Коми, г. Ухта, ул. Октябрьская, д. 13

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Физические основы работы полупроводниковых приборов

1.1. Энергетические уровни и зоны

1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики

1.3. Собственная электропроводность полупроводников

1.4. Распределение электронов по энергетическим уровням

1.5. Примесная электропроводность полупроводников

1.5.1. Донорные примеси

1.5.2. Акцепторные примеси

1.6. Процессы переноса зарядов в полупроводниках

1.6.1. Дрейф носителей заряда

1.6.2. Диффузия носителей заряда

1.7. Электрические переходы

1.7.1. Электронно-дырочный переход

1.7.2. Вентильное свойство p–n-перехода

1.7.3. Вольт-амперная характеристика р–n-перехода

1.7.4. Виды пробоев p–n-перехода

1.7.5. Ёмкость р–n-перехода

1.7.6. Контакт «металл – полупроводник»

1.7.7. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости

1.7.8. Гетеропереходы

1.7.9. Свойства омических переходов. Контрольные вопросы

Глава 2. Полупроводниковые диоды

2.1. Общие сведения о диодах

2.2. Выпрямительные диоды

2.2.1. Особенности вольт-амперных характеристик выпрямительных диодов

2.3. Импульсные диоды

2.4. Туннельные диоды

2.5. Обращенный диод

2.6. Диоды Шоттки

2.7. Варикапы

2.8. Стабилитроны

2.9. Стабисторы

2.10. Применение полупроводниковых диодов

2.10.1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления

2.10.2. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой

2.10.3. Однофазная мостовая схема

2.10.5. Параметрический стабилизатор напряжения

Контрольные вопросы

3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

3.1. Структура и основные режимы работы

3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе

3.3. Схемы включения транзистора

3.3.1. Схема с общей базой

3.3.2. Схема с общим эмиттером

3.3.3. Схема с общим коллектором

3.4. Статические характеристики биполярного транзистора

3.4.1. Статические характеристики для схемы с общей базой

3.4.2. Статические характеристики для схемы с общим эмиттером

3.5. Эквивалентные схемы транзистора

3.6. Транзистор как линейный четырехполюсник

3.7. Режимы работы транзистора

3.8. Предельные режимы работы транзистора

3.9. Расчёт рабочего режима транзистора

3.10. Динамические характеристики транзистора

3.11. Режимы работы усилительных каскадов

3.11.1. Режим класса А

3.11.2. Режим класса В

3.11.3. Режим класса АВ

3.11.4. Режим класса С

3.11.5. Режим класса D

3.12. Влияние температуры на работу усилительных каскадов

3.12.1. Схема эмиттерной стабилизации

3.12.2. Схема коллекторной стабилизации

3.13. Составной транзистор

3.14. Усилители постоянного тока

3.14.1. Дифференциальные усилители

3.14.2. Операционный усилитель

3.14.3. Схемотехника операционных усилителей

3.14.4. Основные схемы на операционных усилителях

Контрольные вопросы

4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

4.1. Полевой транзистор с управляющим p–n-переходом

4.2. Схемы включения полевых транзисторов

4.3. Статические характеристики полевых транзисторов

4.4. Основные параметры полевых транзисторов

4.5. Полевые транзисторы с изолированным затвором

4.5.1. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом

4.5.2. Транзистор с индуцированным (инверсионным) каналом

4.5.3. Сравнение МДП- и биполярного транзистора

4.6. Комбинированные транзисторы

Контрольные вопросы

5. ТИРИСТОРЫ

5.1. Динисторы

5.2. Триодные тиристоры

5.2.1. Способы запирания тиристоров

5.2.2 Запираемые тиристоры

5.3. Симметричные тиристоры

5.4. Основные параметры тиристоров

5.5. Применение тиристоров

5.5.1. Управляемые выпрямители

5.5.2. Регуляторы переменного напряжения

Контрольные вопросы

6. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

6.1. Фотоэлектрические приборы на основе внешнего фотоэффекта

6.1.1. Фотоэлементы

6.1.2. Фотоэлектронные умножители

6.2. Фотоэлектрические приборы на основе внутреннего фотоэффекта

6.2.1. Фоторезисторы

6.2.2. Фотодиоды

6.2.3. Фототранзисторы

6.2.4. Фототиристоры

6.3. Светодиоды

6.4. Оптоэлектронные устройства

Контрольные вопросы

ПРИЛОЖЕНИЕ. КЛАССИФИКАЦИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов

2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов

3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов

4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Дата добавления: 2015-06-04