Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Переходные процессы в р-n-переходе при подаче прямого напряжения




Рассмотрим переходные процессы в р-n-переходе на примере полупроводникового диода, включенного по схеме, приведённой на рис.2.2. Условимся также, что параметры схемы таковы, что при подаче напряжения Е положительной полярности величина тока I в цепи не зависит от процессов, происходящих в диоде. Это возможно в том случае, если сопротивление R значительно больше суммарного сопротивления диода (R>>RVD). Тогда прямой ток будет определяться сопротивлением R.

Наглядное представление о характере происходящих при подаче прямого напряжения переходных процессов дают временные диаграммы напряжений и токов, приведённые на рис.2.3. Проанализируем их.

 

Прямое напряжение на диоде

Uд=U+Uб

При подаче на вход схемы скачком напряжения Е(t) положительной полярности (рис.2.3,а) ток через диод также скачком нарастает до величины I+=E/R (рис.2.3,б).

В начальный момент времени полное падение напряжения на диоде Uд (рис.2.3,д) равно падению напряжения Uб на сопротивлении базы Rб (рис.2.3,г) и определяется величиной тока I+

Uд (0)=Uб (0)=U1 = Rб I+ (2.3)

Напряжение U на р-n-переходе (рис.2.3,в) при этом равно нулю, т.к. он шунтирован ёмкостью, напряжение на которой, как следует из второго закона коммутации, не может измениться скачком.

По мере диффузии неосновных носителей заряда в базу её сопротивление уменьшается, а следовательно, уменьшается и падение напряжения на ней (рис.2.3,г).В то же время напряжение на р-n-переходе возрастает, так как ёмкость р-n-перехода заряжается. Полное падение напряжения на диоде определяется суммой напряжений Uб и U и изменяется по закону, показанному на рис.2.3,д.

Если Величина начального скачка напряжения базы U1 больше установившегося значения (U2) (это возможно при больших занчениях тока I+), то этот режим называется режимом с высоким уровнем инжекции и соответствует сплошной линии рис.2.3д.

Если величина тока I+ невелика, то уровень инжекции неосновных носителей заряда в р-n-переходе низок, а сопротивление базы Rб изменяется незначительно. Диаграмма напряжения Uб в этом случае практически повторяет диаграмму тока I (рис.2.3,б), а на диаграмме суммарного напряжения на диоде Uд отсутствует первоначальный пик U1, как это показано на рис.2.3,д пунктиром.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 482; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.