Основные параметры полевых транзисторов

1. Крутизна характеристики:

,

(4.3)

где приращение тока стока; приращение напряжения на затворе.

Крутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по управляющим характеристикам.

2. Внутреннее (выходное) сопротивление :

,

(4.4)

где приращение тока стока; приращение напряжения стока.

Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока. На пологих участках выходных характеристик достигает сотен кОм и оказывается во много раз больше сопротивления транзистора по постоянному току .

3. Коэффициент усиления :

.

(4.5)

Коэффициент усиления показывает, во сколько раз сильнее действует на ток стока изменение напряжения затвора, нежели изменение напряжения стока, т.е. выражается отношением таких изменений и , которые компенсируют друг друга, в результате чего ток остается постоянным. Для подобной компенсации и должны иметь разные знаки, что определяет наличие знака «–» в правой части выражения (4.5).

Эти три параметра (, S, ) связаны между собой зависимостью:

.

(4.6)

4. Входное сопротивление :

,

(4.7)

где приращение тока стока; приращение напряжения на затворе.

Поскольку током затвора является обратный ток p–n -перехода, который очень мал, то входное сопротивление оказывается очень большим, что является основным достоинством полевого транзистора.

5. Входная ёмкость между затвором и истоком , которая является барьерной ёмкостью p–n -перехода и может составлять единицы – десятки пФ в зависимости от способа изготовления полевого

транзистора.

Типовые значения параметров кремниевых полевых транзисторов с управляющим p–n -переходом: S= 0,3…3 ; Ом; МОм;

=0,2…10 пФ.

Еще одним важным достоинством полевого транзистора является гораздо меньшая температурная зависимость по сравнению с биполярными транзисторами. Это связано с тем, что в полевом транзисторе ток вызван перемещением основных носителей, концентрация которых в основном определяется количеством примеси и поэтому мало зависит от температуры. Полевой транзистор обладает более высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения. Недостатком полевых транзисторов является недостаточно высокая крутизна S, что несколько ограничивает область их применения.

Дата добавления: 2015-06-04