КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Схемы включения
Схемы замещения и включения транзисторов. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА
Цель работы: Ознакомление с принципом работы, параметрами и схемами включения транзистора, исследование его характеристик и режимов работы. Изучение процессов усиления тока и напряжения транзистором. Лабораторное занятие рассчитано на 2 часа.
Для измерения параметров транзистора пользуются его статическими характеристиками и схемой замещения транзистора как четырехполюсника, представленной на рис. 1 Рисунок 1
Пояснения к схеме представленной на рис. 1. U1 - входное напряжение; h11 - входное сопротивление транзистора: h12 - коэффициент обратной связи по напряжению: h21 - коэффициент прямой передачи тока: h22 - выходная проводимость:
1. Схема с общей базой (рис. 2) – базовый электрод транзистора является общим для входной и выходной цепей транзистора. Входной ток равен току эмиттера. Усиление по току отсутствует, так как I2 < I1. Рисунок 2 2. Схема с общим эмиттером (рис. 3) – во входной цепи проходит маленький ток базы Iб, поэтому входное сопротивление транзистора велико. Выходное сопротивление меньше, чем в схеме с общей базой, это позволяет осуществить согласования между каскадами усилителя без согласующих трансформаторов. Рисунок 3
3. Схема с общим коллектором (рис. 4) – отличается мальм выходным сопротивление, т.к. во входной цепи течет ток эмиттера Iэ. Входное сопротивление большое, так как выходным является ток базы. Схема применяется в качестве согласующего элемента между нагрузкой с малым сопротивлением и выходом предыдущего каскада, обладающим большим выходным сопротивлением. Рисунок 4
Дата добавления: 2015-07-02; Просмотров: 446; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |