Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Схемы включения




Схемы замещения и включения транзисторов.

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ

ТРАНЗИСТОРА

 

Цель работы: Ознакомление с принципом работы, парамет­рами и схемами включения транзистора, ис­следование его характеристик и режимов ра­боты. Изучение процессов усиления тока и напряжения транзистором.

Лабораторное занятие рассчитано на 2 часа.

 

Для измерения параметров транзистора пользуются его статичес­кими характеристиками и схемой замещения транзистора как четырех­полюсника, представленной на рис. 1

Рисунок 1

 

Пояснения к схеме представленной на рис. 1.

U1 - входное напряжение;

h11 - входное сопротивление транзистора:

h12 - коэффициент обратной связи по напряжению:

h21 - коэффициент прямой передачи тока:

h22 - выходная проводимость:

 

1. Схема с общей базой (рис. 2) – базовый электрод транзистора яв­ляется общим для входной и выход­ной цепей транзистора. Входной ток равен току эмиттера. Усиление по току отсутствует, так как I2 < I1.

Рисунок 2

2. Схема с общим эмиттером (рис. 3) – во входной цепи проходит ма­ленький ток базы Iб, поэтому входное сопротивление транзисто­ра велико. Выходное сопротивле­ние меньше, чем в схеме с об­щей базой, это позволяет осу­ществить согласования между кас­кадами усилителя без согласую­щих трансформаторов.

Рисунок 3

 

3. Схема с общим коллектором (рис. 4) – отличается мальм выходным сопротивление, т.к. во входной цепи течет ток эмит­тера Iэ. Входное сопротивле­ние большое, так как выход­ным является ток базы. Схе­ма применяется в качестве согласующего элемента между наг­рузкой с малым сопротивлением и выходом предыдущего каскада, обладающим большим выходным сопротивлением.

Рисунок 4

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-07-02; Просмотров: 416; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.