КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Порядок выполнения работы. Различают следующие основные режимы работы транзистора:
Режим работы
Различают следующие основные режимы работы транзистора: 1. Активный (усилительный) - эмиттерный p-n-переход открыт, коллекторный p-n-переход - закрыт. 2. Режим отсечки - соответствует закрытому состоянию транзистора, т.е. малому значению выходного тока. В режиме отсечки оба p-n-перехода закрыты. 3. Режим насыщения соответствует току базы Iб>>Jбsat. Степень насыщения характеризуется коэффициентом насыщения: В режиме насыщения оба p-n-перехода транзистора открыты. 4. Инверсный режим соответствует обратному включению транзистора - эмиттерный переход закрыт, коллекторный переход - открыт. В этом режиме транзистор может удовлетворительно работать при малых питающих напряжениях и очень малых сигналах. Следовательно, транзисторные усилители гармонических сигналов работают в активном режиме. Предварительные каскады усиления работают в режиме большого сигнала. Транзисторные ключевые схемы работают в режиме отсечки и насыщения, переход из одного режима в другой происходит скачкообразно. Инверсный режим применяется в некоторых схемах микроэлектроники и отличается высокой экономичностью.
Схема лабораторной установки, на которой измеряются параметры реального физического транзистора приведена на рисунке 5. Рисунок 5
Пояснение к схеме: А1 - микроамперметр 0-250 мкА; VI - милливольтметр 0-250 мВ; V2 - вольтметр 0-25 В; А2 - миллиамперметр - влево 0-20 мА; вправо 0-10 мА; VT - транзистор; R1, R2 - резисторы регулируемые; R3 - резистор нерегулируемый. Установка позволяет снимать статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Изменение токов и напряжений в цепи базы осуществляется с помощью регулируемого резистора Rl, a в цепи коллектора - с помощью резистора R3.
Дата добавления: 2015-07-02; Просмотров: 344; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |