Порядок выполнения работы. Различают следующие основные режимы работы транзистора:

Режим работы

Различают следующие основные режимы работы транзистора:

1. Активный (усилительный) - эмиттерный p-n-переход открыт, коллекторный p-n-переход - закрыт.

2. Режим отсечки - соответствует закрытому состоянию транзистора, т.е. малому значению выходного тока. В режиме отсечки оба p-n-перехода закрыты.

3. Режим насыщения соответствует току базы I_б>>J_бsat. Степень насыщения характеризуется коэффициентом насыщения:

В режиме насыщения оба p-n-перехода транзистора открыты.

4. Инверсный режим соответствует обратному включению транзистора - эмиттерный переход закрыт, коллекторный переход - открыт. В этом режиме транзистор может удовлетворительно работать при малых пи­тающих напряжениях и очень малых сигналах.

Следовательно, транзисторные усилители гармонических сигналов работают в активном режиме. Предварительные каскады усиления ра­ботают в режиме большого сигнала.

Транзисторные ключевые схемы работают в режиме отсечки и насы­щения, переход из одного режима в другой происходит скачкооб­разно.

Инверсный режим применяется в некоторых схемах микроэлектрони­ки и отличается высокой экономичностью.

Схема лабораторной установки, на которой измеряются параметры реального физического транзистора приведена на рисунке 5.

Рисунок 5

Пояснение к схеме:

А1 - микроамперметр 0-250 мкА;

VI - милливольтметр 0-250 мВ;

V2 - вольтметр 0-25 В;

А2 - миллиамперметр - влево 0-20 мА; вправо 0-10 мА;

VT - транзистор;

R1, R2 - резисторы регулируемые;

R3 - резистор нерегулируемый.

Установка позволяет снимать статические характеристики тран­зистора, включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Изменение токов и напряжений в цепи базы осуществляется с помощью регули­руемого резистора Rl, a в цепи коллектора - с помощью резистора R3.

Дата добавления: 2015-07-02