Исследование выходных характеристик транзистора

Исследование входных характеристик транзистора.

Для получения входных характеристик в WorkBench собрать схему рисунок 6. Тип транзистора выбрать по номеру в журнале приложение 1. В зависимости от типа проводимости транзистора правильно подать полярность источников напряжения и тока.

Снять входные статические характеристики транзистора. Для этого изменять ток источника I_б в диапазоне от 1 μА до 10 мА с переменным шагом в последовательности 1, 2, 5, 10, 20, 50 и так далее. По показаниям амперметра I_б и вольтметра U_бэ составить таблицу с результатами эксперимента. Опыт повторить два раза. Первый раз установить значение источника U_кэ=0 В, а второй раз U_кэ=10 В.

На общем рисунке построить графики входных статических характеристик транзистора как зависимость I_б=f₁(U_бэ) при U_кэ =const.

По входным характеристикам транзистора для средней части графика определить параметры h₁₁ и h₁₂.

Для получения выходных характеристик в WorkBench собрать схему рисунок 7. Тип транзистора выбрать по номеру в журнале приложение 1. В зависимости от типа проводимости транзистора правильно подать полярность источников напряжения и тока.

Снять выходные статические характеристики транзистора. Для этого повторить эксперимент несколько раз. Каждый эксперимент проводить при постоянном значении тока I_б. Значения I_б принять из ряда 0 μА, 50 μА, 100 μА, 200 μА, 500 μА. В ходе одного эксперимента при постоянном значении тока базы менять напряжение источника U_кэ в диапазоне от 0,1 до 10 В. На участке от 0,1 до 1 В использовать шаг 0,1 В. На участке от 1 до 10 В использовать шаг 1 В. По показаниям амперметра I_к и вольтметра U_кэ составить таблицы с результатами экспериментов.

На общем рисунке построить графики выходных статических характеристик транзистора как зависимость I_к=f₂(U_кэ) при I_б =const.

По выходным характеристикам транзистора для средней части графика определить параметры h₂₁ и h₂₂, а также значения параметров α и β.

Используя дополнительную литературу найти формулы и рассчитать физические параметры транзистора, такие как r_б, r_э и r_к. Составить эквивалентную схему замещения транзистора в физических параметрах.

Содержание отчета

1. Титульный лист.

2. Тема и цель работы.

3. Задание 2.1. Полная исследуемая схема в WorkBench. Описание, как проводились исследования. Таблицы с результатами экспериментов. Графики входных характеристик. Результаты расчетов заданных параметров. Выводы.

4. Задание 2.2. Полная исследуемая схема в WorkBench. Описание, как проводились исследования. Таблицы с результатами экспериментов. Графики выходных характеристик. Результаты расчетов заданных параметров. Эквивалентная схема в физических параметрах. Выводы.

Контрольные вопросы

1. Основные схемы включения транзистора.

2. В какой схеме включения транзистор обеспечивает усиление сиг­нала как по току, так и по напряжению?

3. В какой схеме включения транзистор не обладает усилением по
току?

4. В какой схеме включения транзистор не обладает усилением по
напряжению?

5. В какой схеме включения транзистор обеспечивает максимальное
усиление по мощности?

6. Какая система параметров получила наибольшее применение, охарактеризовать их?

7. Какие токи и напряжения являются входными, и какие выходными в
транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером?

8. Почему схема включения транзистора называется схемой с общим
эмиттером?

9. По каким параметрам коэффициент усиления транзисторного каска­да больше единицы, при какой схеме включения?

10. По какому коэффициенту усиления судят об усилительных свой­ствах прибора?

11. Нарисовать упрощенную эквивалентную схему каскада на транзис­торе, включенном по схеме с ОЭ.

12. Что такое генератор тока?

13. Что такое генератор напряжения?

14. В каком случае искажения сигнала в процессе усиления больше, когда источник сигнала близок к генератору тока, или к генерато­ру напряжения?

Приложение 1

Варианты заданий

№ по списку в журнале	Вид проводимости	Библиотека и модель транзистора
	p-n-p	motorola, BC177
	n-p-n	nationl2, 2N2714
	p-n-p	philips1, BC161
	n-p-n	motorol2, BC182
	p-n-p	nationl2, MPQ200
	n-p-n	philips1, BC107
	p-n-p	motorola, BC393
	n-p-n	nationl2, 2N3390
	p-n-p	philips1, BC369
	n-p-n	motorol2, BC238
	p-n-p	nationl2, NSD203
	n-p-n	philips1, BC337
	p-n-p	motorola, BCY71
	n-p-n	nationl2, 2N3415
	p-n-p	philips1, BC556
	n-p-n	motorol2, BC372
	p-n-p	nationl2, PN200
	n-p-n	philips1, BC546
	p-n-p	motorola, BSS75
	n-p-n	nationl2, 2N3711

Литература

1. Конспект лекций

2. Забродин Ю. С. Промышленная электроника: Учебник для вузов.–М.: Высш. школа, 1982.–496 с

3. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника. – Ростов н / Д: Феникс,

i. 2002. – 576с.

Программу составил

проф., д. т. н. Зайцев В.С.

Ответственный за выпуск

зав. кафедрой АТП и П

доц., к. т. н Симкин А.И..

Дата добавления: 2015-07-02