Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT-343 13 страница


⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒


SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
KZE BZX84C3V3 VISH DZ VZ(IZT=5MA)=3.1...3.5B;ZZT(IZT=5MA)<95OM A nc K
KZF BZX84C3V6 VISH DZ VZ(IZT=5MA)=3.4...3.8B;ZZT(IZT=5MA)<95OM A nc K
KZG BZX84C3V9 VISH DZ VZ(IZT=5MA)=3.7...4.1B;ZZT(IZT=5MA)<90OM A nc K
KZH BZX84C4V3 VISH DZ VZ(IZT=5MA)=4.0...4.6B;ZZT(IZT=5MA)<90OM A nc K
LO HSMP-3860 HP PIN IF<1A; VBR>50B; RS(TYP)=3.0Ом; CD(TYP)=0.20пФ; A nc K
L1 BSS65 ZETEX PNP VCB0=-12B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=40...150; fT>400МГц B E C
L2 HSMP-3862 HP 2xPIN IF<1A; VBR>50B; RS(TYP)=3.0Ом; CD(TYP)=0.20пФ; A1 K2 K1A2
L2 BSS69 ZETEX PNP VCB0=-40B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=50...150; fT>200МГц B E C
L20 CMPD1001 CENTS DIH IF<250мA; VR=50B; VF(IF =10MA)<0.75B; IR<100нА; tRR<50нc; CT<35пФ A nc K
L20 BAS29 PHIL DI VR<90B;IF<250MA;VF(IF =200MA)<1.0B; CD<35пФ; tRR<50 A nc K
L21 CMPD1001S CENTS 2x DIH IF<250мA; VR=90B; VF(IF =10MA)<0.75B; IR<100нА; tRR<50нc; CT<35пФ A1 K1 K2 A1
L21 BAS31 PHIL 2xDI VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<2.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc A1 K2 K1A2
L22 CMPD1001A CENTS 2x DIH IF<250мA; VR=90B; VF(IF =10MA)<0.75B; IR<100нА; tRR<50нc; CT<35пФ K2 K1 A2 A1
L22 BAS35 PHIL 2xDI VR<90B; IF<250MA;VF(IF =200MA)<1.0B; CD<35пФ; tRR<50нc K1 K2 A1A2
L20 KSK211 SAMS nFET VDS=18B; PD=200мВт; IDSS>1мА; gF>9мСм; D G S
L3 HSMP-3863 HP 2xPIN IF<1A; VBR>50B; RS(TYP)=3.0Ом; CD(TYP)=0.20пФ; K1 K2 A1A2
L3 KST1623L3 SAMS NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=350мВт; h21=60...120; fT>200МГц B E C
L3 BSS70 ZETEX PNP VCB0=-40B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
L31 BAV23S PHIL 2xD VR<200B; IF<225MA;VF(IF =100MA)<1.0B;CD<5пФ; tRR<50нc A1 K2 K1A2
L4 HSMP-3864 HP 2xPIN IF<1A; VBR>50B; RS(TYP)=3.0Ом; CT(TYP)=0.20пФ; A1 A2 K1K2
L4 KST1623L4 SAMS NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=350мВт; h21=90...180; fT>200МГц B E C
L4 BAT54 VISH SHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<2мкА; CD<10пФ; tRR<5нc A nc K
L4Z BAT54 ZETEX SHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<4.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc A nc K
L42 BAT54A PHIL 2xSHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =1MA)<320MB; CD<10пФ; tRR<5нc K1 K2 A1A2
L42 BAT54A VISH SHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<2.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc K1 K2 A1A2
L42 BAT54A ZETEX SHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<4.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc K1 K2 A1A2
L43 BAT54C PHIL 2xSHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =1MA)<320MB; CD<10пФ; tRR<5нc A1 A2 K1K2
L43 BAT54B VISH 2xSHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<2.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc A1 A2 K1 K2
L43 BAT54C VISH 2xSHD VR=30B; IF=200MA; PD=200мВт; tRR<5нc A1 A2 K1 K2
L43 BAT54C ZETEX 2xSHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<4.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc A1 A2 K1 K2
L44 BAT54S PHIL 2xSHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =1MA)<320MB; CD<10пФ; tRR<5нc A1 K2 K1 A2
L44 BAT54S VISH 2xSHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<2.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc A1 K2 K1 A2
L44 BAT54S ZETEX 2xSHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<4.0мкА; CD<10пФ; tRR<5нc A1 K2 K1 A2
L4p BAT54 PHIL SHD VR<30B; IF<200MA;VF(IF =1MA)<320MB; CD<10пФ; tRR<5нc A nc K
L5 KST1623L5 SAMS NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=350мВт; h21=135...270; fT>200МГц B E C
L5 BSS65R ZETEX PNP VCB0=-12B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=40...150; fT>400МГц B E C
L52 BAS678 PHIL FD VR<80B; IF<250MA;VF(IF =200MA)<1.0B; CD<2пФ; tRR<6нc A nc K
L5p BAS55 PHIL FD VR<60B; IF<250MA;VF(IF =200MA)<1.0B; CD<2.5пФ; tRR<6нc A nc K
                 

 

 

SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
L6 KST1623L6 SAMS NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=350мВт; h21=200...400; fT>200МГц B E C
L6 BAR17 SIEM PIN VR<100B; IF<140MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.05мкА; CD<0.37пФ A nc K
L6 BSS69R ZETEX PNP VCB0=-40B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=50...150; fT>200МГц B E C
L7 KST1623L7 SAMS NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=350мВт; h21=300...600; fT>200МГц B E C
L7 BAR14-1 SIEM 2xPIN VR<100B; IF<140MA;VF(IF =100MA)<1.05B; IR<0.1мкА; CD<0.2пФ A1 K2 K1A2
L7 BSS70R ZETEX PNP VCB0=-40B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
L8 BAR15-1 SIEM 2xPIN VR<100B; IF<140MA;VF(IF =100MA)<1.05B; IR<0.1мкА; CD<0.2пФ A1 A2 K1K2
L9 BAR16-1 SIEM 2xPIN VR<100B; IF<140MA;VF(IF =100MA)<1.05B; IR<0.1мкА; CD<0.2пФ K1 K2 A1A2
LA BF550 SIEM PNP VCB0=-40B;IC=-25MA; PD=280мВт; h21=50...250; fT=350МГц B E C
LAp BF550 PHIL PNP VCB0=-40B;IC=-25MA; PD=250мВт; h21>50; fT=325МГц B E C
LB BF999 SIEM nMOS VDS=20B;ID=30MA; PD=200мВт;NF=1.0ДВ; IDSS=5...18MA; gF=18мСм; G D S
LD BF543 SIEM nMOS VDS=20B;ID=30MA;PD=200мВт;NF=1.0ДВ G D S
LD BF543 TELEF nMOS VDS=20B;ID=30MA;PD=200мВт;gF=70Mc;RDS(ON)=10OM G D S
LE BF660 SIEM PNP VCB0=-40B;IC=-25MA; PD=280мВт; h21>30; fT=700МГц B E C
LEp BF660 PHIL PNP VCB0=-30B;IC=-25MA; PD=280мВт; h21>30; fT=650МГц B E C
LGs BF775A SIEM NPN VCB0=25B;IC=30MA; PD=280мВт; h21=50...250; fT=5800МГц B E C
LH BF569 SIEM PNP VCB0=-40B;IC=-30MA; PD=280мВт; h21>30; fT>950МГц B E C
LHp BF660 PHIL NPN VCB0=35B;IC=30MA; PD=280мВт; h21=50; fT=900МГц B E C
LK BF799 SIEM NPN VCB0=30B;IC=35MA; PD=280мВт; h21=40...250; fT=1100МГц B E C
LOs BF775 SIEM NPN VCB0=20B;IC=30MA; PD=280мВт; h21=40...250; fT=4500МГц B E C
LRs BF517 SIEM NPN VCB0=20B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=25...250; fT=2000МГц B E C
LSs BF770A SIEM NPN VCB0=15B;IC=50MA; PD=300мВт; h21>40; fT=5500МГц B E C
M1J MMBT2369LT1 MOT NPN VCB0=40B;IC=200MA; PD=300мВт; h21=40...120; B E C
M3 KDV173 KEC 2xPIN VR=50B;IR=0.1мкА;CT=0.25пФ;RS<7.0OM A1 K2 K1A2
M3 KST812M3 SAMS PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=60...120; B E C
M3A MMBTH24LT1 MOT NPN VCB0=40B;IC=50MA; PD=300мВт; h21>30; fT>400МГц B E C
M3B MMBT918LT1 MOT NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=300мВт; h21>20; fT>600МГц B E C
M3J MMBTH69LT1 MOT PNP VCB0=-15B; PD=300мВт; h21>30...300; fT>2000МГц B E C
M4 KST812M4 SAMS PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=90...180; B E C
M5 KST812M5 SAMS PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=135...270; B E C
M6 KST812M6 SAMS PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=200...400; B E C
M6 BSS66 ZETEX NPN VCB0=60B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=50...150; fT>250МГц B E C
M7 KST812M7 SAMS PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=350мВт; h21=300...600; B E C
M7 BSS67 ZETEX NPN VCB0=60B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
M8 BSS66R ZETEX NPN VCB0=60B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=50...150; fT>250МГц B E C
M9 BSS67R ZETEX NPN VCB0=60B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
MA FMMTA06R ZETEX NPN VCB0=80B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
MB FMMTA56R ZETEX PNP VCB0=-80B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
MC ZVN3306F ZETEX nMOS VDS=60B;ID=150MA;PD=330мВт;gF=100MOM;RDS(ON)=5OM G S D
MCs BFS17P SIEM NPN VCB0=25B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=20...150; fT=2500МГц B E C
MF ZVN3310F ZETEX nMOS VDS=100B;ID=100MA;PD=330мВт;gF=150MOM;RDS(ON)=5OM G S D
ML ZVP3306F ZETEX pMOS VDS=-60B;ID=90MA;PD=330мВт;gF=25MOM;RDS(ON)=80OM G S D
MR ZVP3310F ZETEX pMOS VDS=-100B;ID=45MA;PD=330мВт;gF=60MOM;RDS(ON)=14OM G S D  
MT ZVP1320F ZETEX pMOS VDS=-200B;ID=35MA;PD=330мВт;gF=150MOM;RDS(ON)=2.5OM G S D  
MU ZVN3320F ZETEX nMOS VDS=200B;ID=60MA;PD=330мВт;gF=100MOM;RDS(ON)=1OM G S D  
MV BS170F ZETEX nMOS VDS=60B;ID=150MA;PD=330мВт; G S D  
MX BS250F ZETEX pMOS VDS=-45B;ID=90MA;PD=330мВт;gF=200MOM;RDS(ON)=5OM G S D  
MY VN10LF ZETEX nMOS VDS=60B;ID=150MA;PD=330мВт; G S D  
MZ ZVN4106F ZETEX nMOS VDS=60B;ID=200MA;PD=330мВт;gF=75MOM;RDS(ON)=25OM G S D  
                   

 

SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
N BAV70 VISH 2xDI VR<70B; IF<300MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<5.0мкА; CD<4.0пФ; tRR<6нc A1 A2 K1 K2
NO TN0200T SIL nMOS VDS=20B;ID=730MA;PD=350мВт; IDSS=8...20MA; gF=4мСм; G S D
N1 TN0201T SIL nMOS VDS=20B;ID=390MA;PD=350мВт;gF=45MOM;RDS(ON)=0.75OM G S D
N12 TMPT2221 ALLEG NPN VCB0=60B;ICB0<10нA;h21=40…120;VCE(sat)<0.4B fT>250МГц B E C
N3 KDV152S KEC BD VR=15B;IR=50 нA;C2V=0.25пФ;C8V=26пФ;rS<0.3OM A nc K
N54 TMPT2221A ALLEG NPN VCB0=75B;ICB0<10нA;h21=40…120;VCE(sat)<0.3B fT>250МГц B E C
NA FMMTA05R ZETEX NPN VCB0=60B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
NB BF599 SIEM NPN VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21>38; fT=550МГц B E C
NB FMMTA55R ZETEX PNP VCB0=-60B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
NC BF840 CDIL NPN VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=65...220; fT>380МГц B E C
NC BF840 SIEM NPN VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=65...220; fT=380МГц B E C
NCp BF840 PHIL NPN VCB0=40B;IC=25MA; PD=250мВт;Ib=4.5...15мкА; fT=380МГц B E C
ND BF841 CDIL NPN VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=35...125; fT>380МГц B E C
ND BF841 SIEM NPN VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=35...125; fT=380МГц B E C
NDp BF841 PHIL NPN VCB0=40B;IC=25MA; PD=250мВт;Ib=8...28мкА; fT=380МГц B E C
NS TN0200TS SIL nMOS VDS=20B;ID=1200MA;PD=1000мВт;gF=2200MOM;RDS(ON)=0.4OM G S D
P BAW56 VISH 2xDI VR<70B; IF<300MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<5.0мкА; CD<5.0пФ; tRR<6нc K1 K2 A1 A2
P0 TP0101T SIL nMOS VDS=-20B;ID=600MA;PD=350мВт;gF=1300MOM;RDS(ON)=0.65OM G S D
p01 PDTA143ET PHIL D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>20; B E C
p02 PDTC143ET PHIL D- NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>20; B E C
p03 PDTA114ET PHIL D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=250мВт; h21>30; B E C
p04 PDTA143ET PHIL D- NPN VCB0=50B;IC=50MA; PD=250мВт; h21>30; B E C
p05 PDTA124ET PHIL D-PNP VCB0=-50B;IC=-30MA; PD=250мВт; h21>56; B E C
p06 PDTC124ET PHIL D- NPN VCB0=50B;IC=30MA; PD=250мВт; h21>56; B E C
p07 PDTA144ET PHIL D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>68; B E C
p08 PDTC144ET PHIL D-NPN VCB0=50B;IC=30MA; PD=250мВт; h21>68; B E C
p09 PDTB144ET PHIL PNP VCB0=50B;IC=30MA; PD=250мВт; h21>68; D S G
P1 SST201 SIL nFET VDS=40B; PD=350мВт;IDSS=0.2...1MA; gF=0.5MCM B E C
p10 PDTD114ET PHIL D-NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>56; B E C
p1A PMBT3904 PHIL NPN VCB0=60B;IC=200MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
p1B PMBT2222 PHIL NPN VCB0=60B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
p1D PMBTA42 PHIL NPN VCB0=300B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц B E C
p1E PMBTA43 PHIL NPN VCB0=200B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц B E C
p1F PMBT5550 PHIL NPN VCB0=160B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=60...250; fT=100...300 B E C
p1G PMBTA06 PHIL NPN VCB0=80B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
p1H PMBTA05 PHIL NPN VCB0=60B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
p1J PMBT2369 PHIL NPN VCB0=40B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=40...120 B E C
p1K PMBT6428 PHIL NPN VCB0=60B;IC=200MA; PD=250мВт; h21=250...650; fT=100...700 МГц B E C
p1L PMBT6429 PHIL NPN VCB0=55B;IC=200MA; PD=250мВт; h21=500...1250; fT=100...700 МГц B E C
p1M PMBTA13 PHIL NPN VCB0=30B;IC=300MA; PD=250мВт; h21>5000; fT>125МГц B E C
p1N PMBTA12 PHIL NPN VCB0=30B;IC=300MA; PD=250мВт; h21>10000; fT>125МГц B E C
p1P PMBT2222A PHIL NPN VCB0=75B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
p1Q PMBT5088 PHIL NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=250мВт; h21=350...1400 B E C
P2 BFR92ALT1 MOT NPN VCB0=20B;IC=25MA; PD=273мВт; h21>40; fT=4500МГц B E C
P2 SST202 SIL nFET VDS=40B; PD=350мВт;IDSS=0.9...4.5MA; gF=1MCM D S G
p2A PMBT3906 PHIL PNP VCB0=-40B;IC=-200MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
p2B PMBT2907 PHIL PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>30; fT>200МГц B E C
p2D PMBT92 PHIL PNP VCB0=-300B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц B E C
p2E PMBT93 PHIL PNP VCB0=-200B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц B E C
p2F PMBT2907A PHIL PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>50; fT>200МГц B E C

 

⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 351; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.