Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT-343 14 страница


⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒


 

SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
p2G PMBTA56 PHIL PNP VCB0=-80B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>50; fT>50МГц B E C
p2H PMBTA55 PHIL PNP VCB0=-60B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>50; fT>50МГц B E C
p2L PMBT5401 PHIL PNP VCB0=-160B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=60...240; fT=100...300 МГц B E C
p2T PMBT4403 PHIL PNP VCB0=-40B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
p2U PMBTA63 PHIL PNP VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>5000; fT>125МГц B E C
p2V PMBTA64 PHIL PNP VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>10000; fT>125МГц B E C
p2X PMBT4401 PHIL PNP VCB0=40B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
P3 TPO202T SIL pMOS VDS=-20B; ID=410MA; PD=350мВт; gF=600MOM; RDS(ON)=0.9OM G S D
P4 SST204 SIL nFET VDS=25B; PD=350мВт;IDSS=0.2...3MA; gF=0.5MCM D S G
p4F PMBD353 PHIL 2xSHD VR<4B; IF<30MA;VF(IF =10MA)<600мB; CD<1пФ K1 A2 A1K2
P5 FMMT2369A ZETEX NPN VCB0=40B;IC=200MA; PD=330мВт; h21=40...120 B E C
p5A PMBD6050 PHIL FD VR<70B; IF<215MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<100нА; CD<1.5пФ; tRR<4нc A nc K
p5B PMBD6100 PHIL 2xFD VR<70B; IF<215MA;VF(IF =100MA)=0.85...1.1B; IR<100нА; CD<1.5пФ; tRR<4нc A1 A2 K1K2
p5C PMBD7000 PHIL 2xFD VR<100B; IF<215MA;VF(IF =100MA)=0.75...1.25B; IR<500нА; CD<1.5пФ; tRR<4нc A1 K2 K1A2
p5D PMBD914 PHIL FD VR<70B; IF<215MA;VF(IF =150MA)<1.25B; Iобр<1мкА; CD<1.5пФ; tRR<4нc A nc K
p5G PMBD352 PHIL 2xSHD VR<4B; IF<30MA;VF(IF =10MA)<600B; CD<1пФ A1 K2 K1A2
p8A PMBZ5226B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=3.3B; IL(VR =1.0B)<25мкА; ZZT(IZT=20MA)<1600OM; IZM=200мА A nc K
p8B PMBZ5227B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=3.6B; IL(VR =1.0B)<15мкА; ZZT(IZT=20MA)<1700OM; IZM=200мА A nc K
p8C PMBZ5228B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=3.9B; IL(VR =1.0B)<10мкА; ZZT(IZT=20MA)<1900OM; IZM=200мА A nc K
p8D PMBZ5229B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=4.3B; IL(VR =1.0B)<5мкА; ZZT(IZT=20MA)<2000OM; IZM=200мА A nc K
p8E PMBZ5230B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=4.7B; IL(VR =1.0B)<5мкА; ZZT(IZT=20MA)<2000OM; IZM=200мА A nc K
p8F PMBZ5231B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=5.1B; IL(VR =2.0B)<5мкА; ZZT(IZT=20MA)<2000OM; IZM=200мА A nc K
p8G PMBZ5232B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=5.6B; IL(VR =3.0B)<5мкА; ZZT(IZT=20MA)<1600OM; IZM=200мА A nc K
p8H PMBZ5233B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=6.0B; IL(VR =3.5B)<5мкА; ZZT(IZT=20MA)<1600OM; IZM=200мА A nc K
p8J PMBZ5234B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=6.2B; IL(VR =4.0B)<5мкА; ZZT(IZT=20MA)<1000OM; IZM=200мА A nc K
p8K PMBZ5235B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=6.8B; IL(VR =5.0B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<750OM; IZM=200мА A nc K
p8L PMBZ5236B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=7.5B; IL(VR =6.0B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<500OM; IZM=200мА A nc K
p8M PMBZ5237B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=8.2B; IL(VR =6.5B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<500OM; IZM=200мА A nc K
p8N PMBZ5238B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=8.7B; IL(VR =6.5B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8P PMBZ5239B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=9.1B; IL(VR =7.0B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8Q PMBZ5240B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=10B; IL(VR =8.0B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8R PMBZ5241B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=11B; IL(VR =8.4B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8S PMBZ5242B PHIL DZ VZ(IZT=20MA)=12B; IL(VR =9.1B)<3мкА; ZZT(IZT=20MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8T PMBZ5243B PHIL DZ VZ(IZT=9.5MA)=13B; IL(VR =9.9B)<0.5мкА; ZZT(IZT=9.5MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8U PMBZ5244B PHIL DZ VZ(IZT=9.0MA)=14B; IL(VR =10B)<0.1мкА; ZZT(IZT=9.0MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8V PMBZ5245B PHIL DZ VZ(IZT=8.5MA)=15B; IL(VR =11B)<0.1мкА; ZZT(IZT=8.5MA)<600OM; IZM=200мА A nc K

 

 

SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
p8W PMBZ5246B PHIL DZ VZ(IZT=7.8MA)=16B; IL(VR =12B)<0.1мкА; ZZT(IZT=7.8MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8X PMBZ5247B PHIL DZ VZ(IZT=7.4MA)=17B; IL(VR =13B)<0.1мкА; ZZT(IZT=7.4MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8Y PMBZ5248B PHIL DZ VZ(IZT=7.0MA)=18B; IL(VR =14B)<0.1мкА; ZZT(IZT=7.0MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
p8Z PMBZ5249B PHIL DZ VZ(IZT=6.6MA)=19B; IL(VR =14B)<0.1мкА; ZZT(IZT=6.6MA)<600OM; IZM=200мА A nc K
P9 BCX70KR ZETEX NPN VCB0=45B;IC=200MA; PD=330мВт; h21=380...630; fT>250МГц B E C
p9A PLVA650A PHIL DZ VZ(IZT=250MA)=4.8...5.2B; IL(VR =0.8* VZ)<20мкА; ZZT(IZT=250MA)<700OM; IZM=250мА A nc K
p9B PLVA653A PHIL DZ VZ(IZT=250MA)=5.1...5.5B; IL(VR =0.8* VZ)<5мкА; ZZT(IZT=250MA)<250OM; IZM=250мА A nc K
p9C PLVA656A PHIL DZ VZ(IZT=250MA)=5.4...5.8B; IL(VR =0.8* VZ)<1мкА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА A nc K
p9D PLVA659A PHIL DZ VZ(IZT=250MA)=5.7...6.1B; IL(VR =0.8* VZ)<500HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА A nc K
p9E PLVA662A PHIL DZ VZ(IZT=250MA)=6.0...6.4B; IL(VR =0.8* VZ)<100 HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА A nc K
p9F PLVA665A PHIL DZ VZ(IZT=250MA)=6.3...6.7B; IL(VR =0.8* VZ)<50 HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА A nc K
p9G PLVA668A PHIL DZ VZ(IZT=250MA)=6.6...7.0B; IL(VR =0.8* VZ)<10 HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА A nc K
p9J PLVA2650A PHIL 2xDZ VZ(IZT=250MA)=4.8...5.2B; IL(VR =0.8* VZ)<20 мкА; ZZT(IZT=250MA)<700OM; IZM=250мА K1 K2 A1A2
p9K PLVA2653A PHIL 2x DZ VZ(IZT=250MA)=5.1...5.8B; IL(VR =0.8* VZ)<5 мкА; ZZT(IZT=250MA)<250OM; IZM=250мА K1 K2 A1A2
p9L PLVA2656A PHIL 2x DZ VZ(IZT=250MA)=5.4...5.8B; IL(VR =0.8* VZ)<1 мкА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА K1 K2 A1A2
p9M PLVA2659A PHIL 2x DZ VZ(IZT=250MA)=5.7...6.1B; IL(VR =0.8* VZ)<500 HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА K1 K2 A1A2
p9N PLVA2662A PHIL 2x DZ VZ(IZT=250MA)=6.0...6.4B; IL(VR =0.8* VZ)<100 HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА K1 K2 A1A2
p9O PLVA2665A PHIL 2x DZ VZ(IZT=250MA)=6.3...6.7B; IL(VR =0.8* VZ)<50 HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА K1 K2 A1A2
p9P PLVA2668A PHIL 2x DZ VZ(IZT=250MA)=6.6...7.0B; IL(VR =0.8* VZ)<10 HА; ZZT(IZT=250MA)<100OM; IZM=250мА K1 K2 A1A2
PA BA885 SIEM PIN VR<50B; IF<50MA;VF(IF =10MA)<1.1B; IR<0.05 мкА;CD<0.4пФ A nc K
pA2 PMBD2836 PHIL 2xFD VR<75B; IF<215MA;VF(IF =100MA)=1.25; IR<100нА; CD<2.5пФ; tRR<4нc K1 K2 A1A2
pA3 PMBD2835 PHIL 2xFD VR<35B; IF<215MA;VF(IF =100MA)=1.25; IR<100нА; CD<2.5пФ; tRR<4нc K1 K2 A1A2
pA5 PMBD2837 PHIL 2xFD VR<30B; IF<215MA;VF(IF =100MA)=1.25; IR<100нА; CD<2.5пФ; tRR<4нc A1 A2 K1K2
pA6 PMBD2838 PHIL 2xFD VR<50B; IF<215MA;VF(IF =100MA)=1.25; IR<100нА; CD<2.5пФ; tRR<4нc A1 A2 K1K2
PC BA886 SIEM PIN VR<50B;IF<50MA;VF(IF =10MA)<1.15B; IR<0.05 мкА;CD<0.2пФ A nc K
PDs BA887 SIEM PIN VR<50B; IF<100MA; IR<0.02 мкА;CD<0.27пФ A nc K
pGI PMBT5551 PHIL NPN VCB0=180B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=80...250; fT=100...300 B E C
PMs BAR66 SIEM 2xPIN VR<150B; IF<200MA;VF(IF =50MA)<1.2B; CD<0.35пФ A1 K2 K1A2
pO4 PMSS3904 PHIL NPN VCB0=60B;IC=200MA; PD=300мВт; h21=100...300; fT>180МГц B E K
PO6 PMSS3906 PHIL PNP VCB0=-40B;IC=-200MA; PD=200мВт; h21=100...300; fT>150МГц B E C
POs BAR64 SIEM PIN VR<200B; IF<100MA;VF(IF =50MA)<1.1B; CD<0.35пФ A nc K
PPs BAR64-04 SIEM 2xPIN VR<200B; IF<100MA;VF(IF =50MA)<1.1B; CD<0.35пФ A1 K2 K1A2
PRs BAR64-05 SIEM 2xPIN VR<200B; IF<100MA;VF(IF =50MA)<1.1B; CD<0.35пФ A1 A2 K1A2

 

 

SOT23, SOD23 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
PS TP0101TS SIL pMOS VDS=-20B; ID=1000MA; PD=1000мВт; gF=1300MCM; RDS(ON)=0.65OM G S D
PSs BAR64-06 SIEM 2xPIN VR<200B; IF<100MA;VF(IF =50MA)<1.1B; CD<0.35пФ K1 K2 A1A2
R01 KSR1101 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>20; fT>250МГц B E C
R02 KSR1102 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>30; fT>250МГц B E C
R03 KSR1103 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>56; fT>250МГц B E C
R04 KSR1104 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц B E C
R05 KSR1105 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>30; fT>250МГц B E C
R06 KSR1106 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц B E C
R07 KSR1107 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц B E C
R08 KSR1108 SAMS D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>56; fT>250МГц B E C
R09 KSR1109 SAMS D-NPN VCB0=40B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц B E C
R1 TN2010T SIL nMOS VDS=200B; ID=120MA; PD=360мВт; gF=300MCM; RDS(ON)=9.5OM G S D
R10 KSR1110 SAMS NPN VCB0=40B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц B E C
R11 KSR1111 SAMS NPN VCB0=40B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц B E C
R12 KSR1112 SAMS NPN VCB0=40B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц B E C
R13 KSR1113 SAMS NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=300мВт; h21>56; fT>250МГц B E C
R14 KSR1114 SAMS NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=300мВт; h21>68; fT>250МГц B E C
R1A SST3904 ROHM NPN VCB0=60B;IC=200MA; h21=100...300; fT>300МГц B E C
R1A MMBT3904 VISH NPN VCB0=60B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
R1B SST2222 ROHM NPN VCB0=60B;IC=600MA; h21=100...300; fT>250МГц B E C
R1C SST1130 ROHM NPN VCB0=30B;IC=200MA; h21=120...360 B E C
R1C SSTA20 ROHM NPN VCB0=40B;IC=200MA; h21>120; fT>125МГц B E C
R1G SSTA06 ROHM NPN VCB0=80B;IC=500MA; h21>100; fT>100МГц B E C
R1G MMBTA06 VISH NPN VCB0=80B;IC=300MA; PD=350мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
R1H SSTA05 ROHM NPN VCB0=60B;IC=500MA; h21>100; fT>100МГц B E C
R1H MMBTA05 VISH NPN VCB0=60B;IC=30MA; PD=350мВт; h21>50; fT>100МГц B E C
R1J SST6427 ROHM NPN VCB0=40B;IC=500MA; h21=20000...200000 B E C
R1K SST6428 ROHM NPN VCB0=60B;IC=200MA; h21=250...650; fT>100МГц B E C
R1M SSTA13 ROHM NPN VCB0=30B;IC=500MA; h21>10000; fT>125МГц B E C
R1M MMBTA13 VISH NPN VCB0=30B;IC=300MA; PD=350мВт; h21>10000; fT>125МГц B E C
R1N SSTA14 ROHM NPN VCB0=30B;IC=500MA; h21>20000; fT>125МГц B E C
R1N MMBTA14 VISH NPN VCB0=30B;IC=300MA; PD=350мВт; h21>20000; fT>125МГц B E C
R1P SST2222A ROHM NPN VCB0=75B;IC=600MA; h21=100...300; fT>250МГц B E C
R1P MMBT2222A VISH NPN VCB0=50B;IC=800MA; PD=200мВт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
R1Q SST5088 ROHM NPN VCB0=35B;IC=200MA; h21=300...900; fT>50МГц B E C
R1R SST5089 ROHM NPN VCB0=30B;IC=200MA; h21=400...1200; fT>50МГц B E C
R2 BFR93ALT1 MOT NPN VCB0=15B;IC=35MA; PD=306мВт; h21>40; fT>3000МГц B E C
R2A SST3906 ROHM PNP VCB0=-40B;IC=-200MA; h21=100...300; fT>250МГц B E C
R2A MMBT3906 VISH PNP VCB0=-40B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
R2B SST2907 ROHM PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; h21=100...300; fT>200МГц B E C
R2C MMSTA70 ROHM PNP VCB0=-60B;IC=-200MA; h21=160...400; fT>125МГц B E C
R2F SST2907A ROHM PNP VCB0=-60B;IC=-600MA; h21=100...300; fT>200МГц B E C
R2G SSTA56 ROHM PNP VCB0=-80B;IC=-500MA; h21>100; fT>50МГц B E C
R2H SSTA55 ROHM PNP VCB0=-60B;IC=-500MA; h21>100; fT>50МГц B E C
R2K MMST8598 ROHM PNP VCB0=-60B;IC=200MA; h21=100...300; fT>150МГц B E C
R2P MMST5086 ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-200MA; h21=150...500; fT>40МГц B E C
R2Q MMST5087 ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-200MA; h21=250...800; fT>40МГц B E C
R2s BFR93A SIEM NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=300мВт; h21=50...200; fT=5500МГц B E C
R2T SST4403 ROHM PNP VCB0=-40B;IC=-600MA; h21=100...300; fT>200МГц B E C
R2T MMBT4403 VISH PNP VCB0=-40B;IC=-800MA; PD=200мВт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
R2U SSTA63 ROHM PNP VCB0=-30B;IC=-300MA; h21>5000; fT>125МГц B E C
R2V SSTA64 ROHM PNP VCB0=-30B;IC=-300MA; h21>10000; fT>125МГц B E C
R2X SST4401 ROHM NPN VCB0=60B;IC=600MA; h21=100...300; fT>250МГц B E C
R2X MMBT4401 VISH NPN VCB0=50B;IC=800MA; PD=200мВт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
R2Z SST4400 ROHM NPN VCB0=60B;IC=600MA; h21=50...150; fT>200МГц B E C
R51 KSR2101 SAMS D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>20; fT>250МГц B E C
R52 KSR2102 SAMS D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>30; fT>250МГц B E C
R53 KSR2103 SAMS D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>56; fT>250МГц B E C
R54 KSR2104 SAMS D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц B E C
R55 KSR2105 SAMS D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>30; fT>250МГц B E C
R56 KSR2106 SAMS D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц B E C
R57 KSR2107 SAMS D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц B E C

 

⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 327; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.014 сек.