Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT-343 20 страница


⇐ Предыдущая567891011121314Следующая ⇒


 

SOT323 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
4Bs BC859BW SIEM PNP VCB0=-30B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=125...475; fT=250МГц; B E C
4C BC859CW PHIL PNP VCB0=-30B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=420...800; fT>100МГц; B E C
4Cs BC859CW SIEM PNP VCB0=-30B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=420...800; fT=250МГц; B E C
4D BC859W PHIL PNP VCB0=-30B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=125...800; fT>100МГц; B E C
4E BC860AW PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=125...250; fT>100МГц; B E C
4F BC860BW PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=220...475; fT>100МГц; B E C
4Fs BC860BW SIEM PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=220...475; fT=250МГц; B E C
4G BC860CW PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=420...800; fT>100МГц; B E C
4Gs BC860CW SIEM PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=420...800; fT=250МГц; B E C
4H BC860W PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=125...800; fT>100МГц; B E C
  DTA123YUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21>56; fT>250МГц; R1/R2=2.2/10кОм B E C
  BAT17W SIEM SHD VR<4B; IF<130мA;VF(IF =10мA)<0.6B; IR<0.25мкА CD<0.75пФ; A nc K
  BAT17-04W SIEM 2xSHD VR<4B; IF<130мA;VF(IF =10мA)<0.6B; IR<0.25мкА CD<0.75пФ; A1 K2 K1A2
  DTA114YUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц; R1/R2=10/47кОм B E C
  BAT17-05W SIEM 2xSHD VR<4B; IF<130мA;VF(IF =10мA)<0.6B; IR<0.25мкА CD<0.75пФ; A1 A2 K1K2
  BAT17-06W SIEM 2xSHD VR<4B; IF<130мA;VF(IF =10мA)<0.6B; IR<0.25мкА; CD<0.75пФ; K1 K2 A1A2
5A BC807-16W PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=100...250; fT>80МГц; B E C
5As BC807-16W SIEM PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=100...250; fT=250МГц; B E C
5B BC807-25W PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=160...400; fT>80МГц; B E C
5Bs BC807-25W SIEM PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=160...400; fT=200МГц; B E C
5C BC807-40W PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=250...600; fT>80МГц; B E C
5Cs BC807-40W SIEM PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=250...630; fT=200МГц; B E C
5D BC807W PHIL PNP VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>80МГц; B E C
5E BC808-16W PHIL PNP VCB0=-25B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=100...250; fT>80МГц; B E C
5Es BC808-16W SIEM PNP VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=100...250; fT=200МГц; B E C
5F BC808-25W PHIL PNP VCB0=-25B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=160...400; fT>80МГц; B E C
5Fs BC808-25W SIEM PNP VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=160...400; fT=200МГц; B E C
5G BC808-40W PHIL PNP VCB0=-25B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=250...600; fT>80МГц; B E C
5Gs BC808-40W SIEM PNP VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21=250...600; fT=200МГц; B E C
5H BC808W PHIL PNP VCB0=-25B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>80МГц; B E C
6.8 DF3A6.8FU TOSH 2xPZ VZ(IZT=5MA)=6.4...7.2B; IR(VR=5.0B)<0.5мкА; K1 K2 A1A2
  DTC123YUA ROHM D-NPN VCB0=-50B;IC=-500MA; PD=200мВт; h21>33; fT>250МГц; R1/R2=2.2/10кОм B E C
  BAS40W PHIL SHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<5пФ; A nc K
  BAS40-04W PHIL 2xSHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<5пФ; A1 K2 K1A2
  DTC114YUA ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>68; fT>250МГц; R1/R2=10/47кОм B E C
  BAS40-05W PHIL 2xSHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<5пФ; A1 A2 K1K2

 

 

SOT323 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
  BAS40-06W PHIL 2xSHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<5пФ; K1 K2 A1A2
6A BC817-16W PHIL NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=100...250; fT>100МГц; B E C
6A MUN5111T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>35 B E C
6As BC817-16W SIEM NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=100...250; fT>170МГц; B E C
6B BC817-25W PHIL NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=160...400; fT>100МГц; B E C
6B MUN5112T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>60 B E C
6Bs BC817-25W SIEM NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=160...400; fT=170МГц; B E C
6C BC817-40W PHIL NPN VCB0=45B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=250...600; fT>100МГц; B E C
6C MUN5113T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>80 B E C
6Cs BC817-40W SIEM NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=250...630; fT=170МГц; B E C
6D BC817W PHIL NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>100МГц; B E C
6D MUN5114T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>80 B E C
6E BC818-16W PHIL NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=100...250; fT>100МГц; B E C
6E MUN5115T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>160 B E C
6Es BC818-16W SIEM NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=100...250; fT=170МГц; B E C
6F BC818-25W PHIL NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=160...400; fT>100МГц; B E C
6F MUN5116T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>160 B E C
6G BC818-40W PHIL NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=250...600; fT>100МГц; B E C
6G MUN5130T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>3 B E C
6Gs BC818-40W SIEM NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=250...630; fT=170МГц; B E C
6H BC817W PHIL NPN VCB0=30B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>100МГц; B E C
6H MUN5131T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>8 B E C
6J MUN5132T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>15 B E C
6K MUN5133T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>80 B E C
6L MUN5134T1 MOT D-PNP VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=150мВт; h21>80 B E C
6t3 1PS70SB40 PHIL SHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<5пФ; A nc K
6t4 1PS70SB44 PHIL 2xSHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<10пФ; A1 K2 K1A2
6t5 1PS70SB45 PHIL 2xSHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<10пФ; A1 A2 K1K2
6t6 1PS70SB46 PHIL 2xSHD VR<40B; IF<120мA;VF(IF =1мA)<380B; CD<10пФ; K1 K2 A1A2
73p BAS70W PHIL SHD VR<70B; IF<70мA;VF(IF =1мA)<410B; CD<2пФ; A nc C
74p BAS70-04W PHIL 2xSHD VR<70B; IF<70мA;VF(IF =1мA)<410B; CD<2пФ; A1 K2 K1A2
  DTA114WUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21>24; fT>250МГц; R1/R2=10/4.7кОм B E C
74s BAS70-04W SIEM 2xSHD VR<70B; IF<70мA;VF(IF =15мA)<1.0B; IR<0.1мкА; CD<2.0пФ; A1 K2 K1A2
75p BAS70-05W PHIL 2xSHD VR<70B; IF<70мA;VF(IF =1мA)<410мB; CD<2пФ; tRR<0.1нc A1 A2 K1K2
75s BAS70-05W SIEM 2xSHD VR<70B; IF<70мA;VF(IF =15мA)<1.0мB; IR<0.1мкА; CD<2.0пФ; A1 A2 K1K2
76p BAS70-06W PHIL 2xSHD VR<70B; IF<70мA;VF(IF =1мA)<410мB; CD<2пФ; tRR<0.1нc K1 K2 A2A1
  DTA144WUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC(max)=100MA; PD=200мВт; h21>56; fT>250МГц; R1/R2=47/22кОм B E C
76s BAS70-06W SIEM 2xSHD VR<70B; IF<70мA;VF(IF =15мA)<1.0мB; IR<0.1мкА; CD<2.0пФ; K1 K2 A1A2
8.2 01BZA8.2 TOSH 2xPZ VZ(IZT=5MA)=7.7...8.7B; IR(VR=6.5B)<0.5мкА; K1 K2 A1A2
  DTC114WUA ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21>24; fT>250МГц; R1/R2=10/4.7кОм B E C
  DTA144WUA ROHM D-NPN VCB0=-50B;IC(max)=100MA; PD=200мВт; h21>56; fT>250МГц; R1/R2=47/22кОм B E C
  DTA143TUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц; R1=4.7кОм B E C
                   

 

 

SOT323 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
  DTA114TUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц; R1=10кОм B E C
  DTA124TUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц; R1=22кОм B E C
  DTA144TUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц; R1=47кОм B E C
  DTA115TUA ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц; R1=100кОм B E C
9A DTA125TU ROHM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>250МГц; R1=200кОм B E C
A MRF947T1 MOT NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=188мВт; h21>50; fT=8Ггц B E C
A1 BAS70-06W PHIL 2xFD VR<75B; IF<150мA;VF(IF =50мA)<1.0мB; CD<2пФ; tRR<4нc K1 K2 A2A1
A1s BAW56W PHIL 2xDI VR<70B; IF<200мA;VF(IF =150мA)<1.25мB; CD<2.0пФ; tRR<6нc K1 K2 A1A2
A3 1PS300 PHIL 2xFD VR<80B; IF<200мA;VF(IF =50мA)<1.0мB; CD<2.0пФ; tRR<4нc K1 K2 A1A2
A3 1SS300 TOSH 2xDI VR<80B; IF<100мA;VF(IF =100мA)<1.2мB; tRR<4нc K1 K2 A1A2
A3 KDS120 KEC 2xDI VR<80B; IF=100мA;IR =0.5мкA; CT=2.2пФ K1 K2 A1A2
A4 BAV70W PHIL 2xFD VR<70B; IF<175мA;VF(IF =50мA)<1.0мB; CD<1.5пФ; tRR<4нc A1 A2 K1K2
A4s BAV70W SIEM 2xDI VR<70B; IF<200мA;VF(IF =150мA)<1.25мB; CD<1.5пФ; tRR<6нc A1 A2 K1K2
A6 BAS16W PHIL FD VR<75B; IF<175мA;VF(IF =50мA)<1.0мB; CD<1.5пФ; tRR<4нc A nc K
A6s BAS16W SIEM DI VR<75B; IF<250мA;VF(IF =50мA)<1.0мB; CD<2.0пФ; tRR<6нc A nc K
A7 BAV99W PHIL 2xFD VR<75B; IF<150мA;VF(IF =50мA)<1.0мB; CD<1.S5пФ; tRR<4нc A1 A2 K1K2
A7s BAV99W SIEM 2xDI VR<70B; IF<200A;VF(IF =150мA)<1.25мB; CD<1.5пФ; tRR<6нc A1 A2 K1K2
A9 1SS322 TOSH SHD VR<40B; IF<100A;VF(IF =100мA)<0.6B; CD=18пФc A nc K
AN 2SC4098N ROHM NPN VCB0=40B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=56...120; fT=300МГц; B E C
AP 2SC4098P ROHM NPN VCB0=40B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=82...180; fT=300МГц; B E C
AQ 2SC4098Q ROHM NPN VCB0=40B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=120...270; fT=300МГц; B E C
B3 1PS301 PHIL 2xFD VR<80B; IF<250A;VF(IF=50мA)<1.0B; CD<1.5пФ; tRR<4нc A1 A2 K1K2
B3 1SS301 TOSH 2xDI VR<80B; IF<100A;VF(IF =100мA)<1.2B; tRR<4нc A1 A2 K1K2
B9 1PS301 TOSH DI VR<400B; IF<100A;VF(IF =100мA)<1.3B A nc K
BDM 2SA1808M ROHM PNP VCB0=-30B;IC=-30MA; PD=200мВт; h21=39...82; fT>400МГц B E C
BDN 2SA1808N ROHM PNP VCB0=-30B;IC=-30MA; PD=200мВт; h21=56...120; fT>400МГц B E C
BDP 2SA1808P ROHM PNP VCB0=-30B;IC=-30MA; PD=200мВт; h21=82...180; fT>400МГц B E C
BF KDS112 KEC 2xDI VR=30B; IF=50мA;IR =0.1мкA; CT=0.8пФ A1 A2 K1K2
BFR 2SC4723R ROHM NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>180МГц B E C
BFS 2SC4723S ROHM NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>180МГц B E C
BHM 2SC4700M ROHM NPN VCB0=25B;IC=200MA; PD=150мВт; h21=39...82; fT>250МГц B E C
BHN 2SC4700N ROHM NPN VCB0=25B;IC=200MA; PD=150мВт; h21=56...120; fT>250МГц B E C
BHP 2SC4700P ROHM NPN VCB0=25B;IC=200MA; PD=150мВт; h21=82...180; fT>250МГц B E C
BJU 2SD2351U ROHM NPN VCB0=60B;IC=150MA; PD=200мВт; h21=560...1200; fT>250МГц B E C
BJV 2SD2351V ROHM NPN VCB0=60B;IC=150MA; PD=200мВт; h21=820...1800; fT>250МГц B E C
BJW 2SD2351W ROHM NPN VCB0=60B;IC=150MA; PD=200мВт; h21=1200...2700; fT>250МГц B E C
BLL 2SC4772L ROHM NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=27...56; fT>600МГц B E C

SOT323 (продолжение)

⇐ Предыдущая567891011121314Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 323; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.